三極管是一種流控型器件,具有三個(gè)電極,分別為基極、集電極和發(fā)射極。通過(guò)基極微小的電流可以驅(qū)動(dòng)集電極和發(fā)射極之間較大的電流,具有三種工作狀態(tài),分別為截止區(qū)、放大區(qū)和飽和區(qū)。主要由PN節(jié)構(gòu)成,可以分為NPN型和PNP型。電路符號(hào)和電極如下圖所示。

以NPN三極管為例,介紹如何控制。典型的電路圖如下圖所示。

NPN三極管的集電極接有發(fā)光二極管,三極管的基極通過(guò)電阻和開(kāi)關(guān)接至電壓VCC,如果讓發(fā)光二極管點(diǎn)亮,需要PN節(jié)正偏,當(dāng)開(kāi)關(guān)被按下時(shí)實(shí)現(xiàn)NPN三極管的導(dǎo)通。
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
cpu
+關(guān)注
關(guān)注
68文章
11355瀏覽量
226203 -
晶體管
+關(guān)注
關(guān)注
78文章
10451瀏覽量
148811
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
探索 onsemi互補(bǔ)雙極功率晶體管:MJL3281A(NPN)與 MJL1302A(PNP)
探索 onsemi互補(bǔ)雙極功率晶體管:MJL3281A(NPN)與 MJL1302A(PNP) 在電子工程領(lǐng)域,功率晶體管的性能直接影響著設(shè)備的穩(wěn)定性和效率。今天,我們來(lái)深入了解 onsemi 推出
onsemi 的 NDS9945 雙 N 通道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管技術(shù)解析
onsemi 的 NDS9945 雙 N 通道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管技術(shù)解析 在電子工程領(lǐng)域,高性能的場(chǎng)效應(yīng)晶體管是眾多電路設(shè)計(jì)的核心元件。今天我們要詳細(xì)介紹 onsemi 公司的 NDS9945
新品 | 第五代氮化鎵CoolGaN? 650V G5雙通道晶體管
新品第五代氮化鎵CoolGaN650VG5雙通道晶體管第五代氮化鎵CoolGaN650VG5雙通道晶體管將半橋功率級(jí)集成于小型6×8mmQFN-32封裝中,該功率級(jí)由兩個(gè)導(dǎo)通電阻典型值
深入剖析MAT12:音頻領(lǐng)域的高性能雙匹配NPN晶體管
深入剖析MAT12:音頻領(lǐng)域的高性能雙匹配NPN晶體管 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,音頻系統(tǒng)對(duì)晶體管的性能要求極為嚴(yán)苛,尤其是在低噪聲和高匹配度方面。今天,我們就來(lái)詳細(xì)探討Analog Devices推出
Diodes公司推出DXTN/P 78Q與80Q系列雙極型晶體管
Diodes 公司(Diodes)(Nasdaq: DIOD)宣布推出 DXTN/P 78Q 與 80Q 系列,擴(kuò)充符合汽車規(guī)范的雙極型(Bipolar)晶體管產(chǎn)品組合。這兩個(gè)系列是超低 VCE
探索BFU520Y:雙NPN寬帶硅射頻晶體管的卓越性能
探索BFU520Y:雙NPN寬帶硅射頻晶體管的卓越性能 在射頻晶體管的領(lǐng)域中,NXP的BFU520Y脫穎而出,成為高速、低噪聲應(yīng)用的理想之選。今天,我們就來(lái)深入剖析這款雙NPN寬帶硅射
晶體管入門(mén):BJT 與 MOSFET 的控制差異#晶體管 #BJT #MOSFET? #場(chǎng)效應(yīng)管 #電子放大
晶體管
安泰小課堂
發(fā)布于 :2025年12月05日 17:20:57
MUN5136數(shù)字晶體管技術(shù)解析與應(yīng)用指南
onsemi MUN5136數(shù)字晶體管旨在取代單個(gè)器件及其外部電阻偏置網(wǎng)絡(luò)。這些數(shù)字晶體管包含一個(gè)晶體管和一個(gè)單片偏置網(wǎng)絡(luò),單片偏置網(wǎng)絡(luò)由兩個(gè)電阻器組成,一個(gè)是串聯(lián)基極電阻器,另一個(gè)是基極-發(fā)射極
電壓選擇晶體管應(yīng)用電路第二期
電壓選擇晶體管應(yīng)用電路第二期
以前發(fā)表過(guò)關(guān)于電壓選擇晶體管的結(jié)構(gòu)和原理的文章,這一期我將介紹一下電壓選擇晶體管的用法。如圖所示:
當(dāng)輸入電壓Vin等于電壓選擇晶體管QS的柵極
發(fā)表于 11-17 07:42
晶體管的定義,晶體管測(cè)量參數(shù)和參數(shù)測(cè)量?jī)x器
晶體管是一種以半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)的電子元件,具有檢波、整流、放大、開(kāi)關(guān)、穩(wěn)壓和信號(hào)調(diào)制等多種功能?。其核心是通過(guò)控制輸入電流或電壓來(lái)調(diào)節(jié)輸出電流,實(shí)現(xiàn)信號(hào)放大或電路開(kāi)關(guān)功能?。 基本定義 晶體管泛指
多值電場(chǎng)型電壓選擇晶體管結(jié)構(gòu)
多值電場(chǎng)型電壓選擇晶體管結(jié)構(gòu)
為滿足多進(jìn)制邏輯運(yùn)算的需要,設(shè)計(jì)了一款多值電場(chǎng)型電壓選擇晶體管。控制二進(jìn)制電路通斷需要二進(jìn)制邏輯門(mén)電路,實(shí)際上是對(duì)電壓的一種選擇,而傳統(tǒng)二進(jìn)制邏輯門(mén)電路通常比較復(fù)雜
發(fā)表于 09-15 15:31
Nexperia推出采用銅夾片封裝的雙極性晶體管
基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia(安世半導(dǎo)體)近日宣布擴(kuò)展其雙極性晶體管(BJT)產(chǎn)品組合,推出12款采用銅夾片封裝(CFP15B)的MJD式樣的雙
下一代高速芯片晶體管解制造問(wèn)題解決了!
片晶體管通?;诩{米片堆疊技術(shù),納米片作為晶體管的溝道部分,其厚度和寬度可以精確控制,以實(shí)現(xiàn)更好的靜電控制和更高的驅(qū)動(dòng)電流。叉片晶體管可以實(shí)
發(fā)表于 06-20 10:40
無(wú)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管詳解
當(dāng)代所有的集成電路芯片都是由PN結(jié)或肖特基勢(shì)壘結(jié)所構(gòu)成:雙極結(jié)型晶體管(BJT)包含兩個(gè)背靠背的PN 結(jié),MOSFET也是如此。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(JFET) 垂直于溝道方向有一個(gè) PN結(jié),隧道穿透
什么是晶體管?你了解多少?知道怎樣工作的嗎?
晶體管(Transistor)是一種?半導(dǎo)體器件?,用于?放大電信號(hào)?、?控制電流?或作為?電子開(kāi)關(guān)?。它是現(xiàn)代電子技術(shù)的核心元件,幾乎所有電子設(shè)備(從手機(jī)到超級(jí)計(jì)算機(jī))都依賴晶體管實(shí)現(xiàn)功能。以下
CPU如何控制雙極性晶體管
評(píng)論