亞洲中國廣東省深圳市茂捷半導體，2020年1月13日訊 – 深耕于模擬電路和數(shù)?；旌?a href="http://m.sdkjxy.cn/v/tag/123/" target="_blank">集成電路設計的 IC設計公司深圳市茂捷(mojay)半導體有限公司今日發(fā)布M6362A/B系列恒壓/恒流離線反激式開關電源IC的最新市場占有率達40%。M6362A/B可在整個負載范圍內提供95%的高效率，并且在密閉適配器內不使用散熱片的情況下可提供100 W的功率輸出。這一突破性的性能提升源自內部開發(fā)的高壓氮化鎵開關技術。

茂捷(mojay) AC-DC電源變換器IC可提供100W的功率輸出

準諧振模式的茂捷(mojay) AC-DC電源變換器IC可提供100W的功率輸出IC在一個表面貼裝封裝內集成了初級電路、次級電路和反饋電路。在M6362A/B系列器件中，氮化鎵開關替換了IC初級的常規(guī)高壓硅晶體管，這可以降低電流流動期間的傳導損耗，并極大降低工作時的開關損耗。這最終有助于大幅降低電源的能耗，從而提高效率，使體積更小的封裝提供更大的輸出功率。

M6362A/B無需外圍元件即可提供精確的恒壓/恒流/恒功率，并輕松與接快充協(xié)議接口IC協(xié)同工作，因此適用于高效率反激式設計，例如，移動設備、機頂盒、顯示器、家電、網絡設備和游戲機的USB-PD和大電流充電器/適配器。電源特性可以通過改變硬件參數(shù)的方式進行配置，而集成先進的數(shù)字接口，可通過軟件實現(xiàn)對恒壓和恒流的設置點、異常處理以及安全模式選項的控制。

茂捷(mojay)半導體表示：“在實現(xiàn)高效率和小尺寸方面，氮化鎵是一項明顯優(yōu)于硅技術的關鍵技術。我們預計眾多電源應用會從硅晶體管快速轉換為氮化鎵。自從我們在18個月之前推出硅技術新器件以來，M6362A/B已成為離線開關電源IC市場當之無愧的技術先行者，隨著我們的反激式產品在效率和功率能力的提高，新的氮化鎵IC進一步鞏固了我們的優(yōu)勢地位。”