華為P40 Pro最新渲染圖曝光 P系列首款五攝旗艦
1月17日消息，知名爆料人士evleaks放出了P40 Pro渲染圖，揭開了P40 Pro的神秘面紗。
如圖所示，P40 Pro采用的是雙孔四曲面全面屏，前置雙攝像頭位于左上角。
背部為徠卡五攝，其中一枚是潛望式鏡頭，這是P系列首款五攝旗艦。
爆料同時顯示，華為P40 Pro覆蓋焦段18mm-240mm，或支持10倍光學(xué)變焦。
有報道指出，P40 Pro將首次使用玻塑混合鏡頭，主攝會配備1/1.33英寸大底。報道稱P40 Pro的拍照將會領(lǐng)先其它手機(jī)品牌超過4個月的時間，如無意外P40 Pro將會送測DxOMark，并有很大可能性霸榜。
這意味著在Mate 40系列發(fā)布之前，華為P40 Pro可能會占據(jù)國內(nèi)品牌拍照手機(jī)的頭把交椅。
核心配置上，P40 Pro搭載麒麟990 5G SOC，支持SA、NSA雙模5G，支持超級快充、無線超級閃充等。
按照華為消費(fèi)者業(yè)務(wù)CEO余承東的說法，P40系列將于3月份發(fā)布。
責(zé)任編輯：wv
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
華為
+關(guān)注
關(guān)注
218文章
36212瀏覽量
262730
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
熱點推薦
吸塵器方案-40V耐壓PMOS管HC40P59P
吸塵器方案-40V耐壓PMOS管HC40P59P
一、方案介紹：
PMOS 管即 P 型金屬 - 氧化物 - 半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，以 P 型半導(dǎo)體為襯底，通過在柵極施加負(fù)電壓調(diào)控源漏
發(fā)表于 04-27 14:12
OPPO發(fā)布 Find X9 系列雙旗艦 ——Find X9 Ultra與Find X9s Pro
4 月 21 日，OPPO 正式發(fā)布 Find X9 系列雙旗艦 ——Find X9 Ultra與Find X9s Pro，以驍龍 8 至尊版、2K
144Hz 高刷屏、哈蘇全焦段五
深入解析NTR1P02與NVR1P02 P溝道MOSFET
）的NTR1P02與NVR1P02這兩款P溝道MOSFET。 文件下載： NTR1P02T1-D.PDF 產(chǎn)品概述 NTR1
深入解析SPC560P34/40系列MCU：汽車底盤與安全應(yīng)用的理想之選
深入解析SPC560P34/40系列MCU：汽車底盤與安全應(yīng)用的理想之選 在汽車電子領(lǐng)域，微控制器（MCU）是實現(xiàn)各種功能的核心部件，對于保障汽車的安全性和穩(wěn)定性起著至關(guān)重要的作用。今天，我們就來
解析NVTFS015P03P8Z：一款高性能P溝道MOSFET
解析NVTFS015P03P8Z：一款高性能P溝道MOSFET 在電子設(shè)計領(lǐng)域，MOSFET作為關(guān)鍵的功率器件，其性能直接影響著整個系統(tǒng)的效率和穩(wěn)定性。今天我們就來深入剖析安森美（onsemi
Onsemi FQD2P40 P-Channel MOSFET：性能與應(yīng)用解析
Onsemi FQD2P40 P-Channel MOSFET：性能與應(yīng)用解析 在電子工程領(lǐng)域，MOSFET（金屬 - 氧化物 - 半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）是不可或缺的關(guān)鍵元件，廣泛應(yīng)用于各種電路設(shè)計中
安森美FQD2P40 P溝道MOSFET：性能與應(yīng)用解析
安森美FQD2P40 P溝道MOSFET：性能與應(yīng)用解析 在電子設(shè)計領(lǐng)域，MOSFET作為關(guān)鍵的功率器件，廣泛應(yīng)用于各類電路中。今天我們就來深入探討安森美（onsemi）的FQD2P40 P
SPC560P34/40系列MCU：汽車底盤與安全應(yīng)用的理想之選
SPC560P34/40系列MCU：汽車底盤與安全應(yīng)用的理想之選 在汽車電子領(lǐng)域，微控制器（MCU）的性能和可靠性至關(guān)重要。今天，我們就來深入探討一下意法半導(dǎo)體（ST）推出的SPC560P
選型手冊：AGM40P150C P 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管
AGMSEMI推出的AGM40P150C是一款面向40V低壓超大功率場景的P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用TO-220封裝，適配負(fù)載開關(guān)、電池保護(hù)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：
新潔能 NCE40P70K高性能P 溝道功率 MOSFET，助力高電流場景高效運(yùn)行
由新潔能（NCE）推出的NCE40P70K是一款高性能P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET。該器件采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)設(shè)計，旨在提供極低的導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）與低柵極電荷特性，特別適用于需要處理大電流
ZK40P80T：P溝道MOS管中的高功率性能擔(dān)當(dāng)
中科微電深耕功率器件領(lǐng)域，針對P溝道器件的應(yīng)用痛點，推出了ZK40P80T這款高性能P溝道MOS管，以-40V耐壓、-80A電流的強(qiáng)勁參數(shù)，搭配1.5mΩ低導(dǎo)通電阻與成熟Trench工
RT-Thread首款AI硬件搶先曝光!——RA8P1 Titan Board
。RA8P1系列是瑞薩電子首款搭載高性能ArmCortex-M85(CM85)及Helium矢量擴(kuò)展，并集成Ethos-U55NPU的32位AI加速微控制器(MCU)。該
p30pro支持無線充電寶嗎
華為P30 Pro支持Qi協(xié)議，15W無線充電，兼容充電寶，具備反向充電功能，便于應(yīng)急補(bǔ)電。
逐點半導(dǎo)體攜手真我為P4系列智能手機(jī)帶來旗艦級視覺體驗
專業(yè)的圖像和顯示處理方案提供商逐點半導(dǎo)體今日宣布， 新發(fā)布的真我P4 5G、真我P4 Pro 5G智能手機(jī)搭載逐點半導(dǎo)體 X7 Gen 2視覺處理器。該處理器通過集成的分布式渲染解決方
PZSDR 軟件無線電 開發(fā)板系列板卡之P201Pro P203Pro 硬件說明—AD9361 AD9363
璞致PZSDR系列中的P201Pro/P203Pro板卡采用Xilinx ZYNQ7020主控搭配ADI AD9361/AD9363射頻芯片（區(qū)別在于帶寬），板卡提供三種供電方式（XH2.54
評論