可以直接驅(qū)動。由于MOS場效應(yīng)管是一種電壓驅(qū)動器件，要想使其充分導(dǎo)通，要求其柵極驅(qū)動電壓的幅度要足夠大，而一些低壓IC電路（譬如3.3V供電的單片機(jī)電路）輸出幅度較小，直接用來驅(qū)動MOS場效應(yīng)管，根本無法使管子完全導(dǎo)通。為解決此問題，常加一級雙極型三極管驅(qū)動電路來驅(qū)動MOS場效應(yīng)管，其電路如下圖所示。

上圖中，VT1為NPN型三極管，其基極輸入信號的幅度只有5V，而MOS場效應(yīng)管VT2的開啟電壓較高，要想使其充分導(dǎo)通，其柵極驅(qū)動電壓一般要求≥10V。為了能驅(qū)動MOS場效應(yīng)管導(dǎo)通，電路中加了一級三極管電路，當(dāng)VT1基極為5V高電平時(shí)，VT1導(dǎo)通，VT2截止；當(dāng)VT1基極為低電平0V時(shí)，VT1截止，其集電極的10V電壓（Rc上的壓降幾乎為零，可以忽略不計(jì)）直接加至VT2的G極（即柵極），這樣便可以使VT2獲得足夠的柵極電壓而導(dǎo)通。

在用三極管驅(qū)動MOS場效應(yīng)管時(shí)，需要注意MOS場效應(yīng)管柵極所接電阻（即上圖中的Rc）的取值。若MOS場效應(yīng)管的開關(guān)速度很低，此時(shí)Rc可以選用上百KΩ的電阻，這樣可以減小驅(qū)動電路的耗電。若MOS場效應(yīng)管工作于高速開關(guān)狀態(tài)，此時(shí)Rc不宜取值過大，否則MOS場效應(yīng)管柵源電容充放電的時(shí)間較長，會影響MOS場效應(yīng)管的開關(guān)速度，此時(shí)Rc一般選用幾KΩ的電阻。