數(shù)字晶體管（DigitalTransistor）與普通晶體管差別不大，并沒(méi)有采用任何數(shù)字技術(shù)，僅僅內(nèi)置了一個(gè)或兩個(gè)偏壓電阻，即所謂的偏壓型晶體管（BiasResistorTransistor）。與普通晶體管相比，數(shù)字晶體管的輸入-輸出呈線性關(guān)系，而且工作狀況穩(wěn)定。

數(shù)字晶體管的工作原理

數(shù)字晶體管的工作原理與與普通晶體管一樣，如圖1。在這個(gè)電路中，在NPN晶體管的基極（B）-發(fā)射極（E）之間輸入一個(gè)正向電壓，注入基極電流。就是說(shuō)，在基極（B）領(lǐng)域注入+空穴。

如果在基極（B）領(lǐng)域注入+電子，發(fā)射極（E）的載流子-會(huì)被吸引至基極（B），但是正極（B）領(lǐng)域非常薄，因此通過(guò)加入集電極電壓，載流子可以穿越基極（B）流向集電極（C）。這樣，電流就由集電極（C）→發(fā)射極（E）流動(dòng)，數(shù)字晶體管就開(kāi)始工作了。

數(shù)字晶體管具有放大和開(kāi)關(guān)作用：

（1）用作放大時(shí)，通過(guò)注入基極電流IB，在集電極IC就能夠獲得放大了hFE倍的電流。在電路應(yīng)用中，通過(guò)輸入信號(hào)持續(xù)控制集電極電流，可以得到hFE倍的輸出電流。

（2）在開(kāi)關(guān)作用中，在ON時(shí)電氣性飽和狀態(tài)（降低集電極-發(fā)射極間的飽和電壓）下使用。

數(shù)字晶體管常用語(yǔ)

表征數(shù)字晶體管的參數(shù)有7個(gè)，分別為VI（on）Min、VI（off）Max、VO（on）、II（Max.）、GI、R1、R2/R1。

其中，VI（on）Min.是最小輸入電壓。這表示向OUT引腳、GND引腳間施加正向電壓（VO），并得到規(guī)定的輸出電流時(shí)需要的最小輸入電壓，即數(shù)字晶體管導(dǎo)通區(qū)域的最小輸入電壓值。因此，如果要從ON狀態(tài)變?yōu)镺FF狀態(tài)，需要進(jìn)一步降低該最小輸入電壓值，所以正常產(chǎn)品的電壓值低于這個(gè)數(shù)值。

VI（off）Max.是最大輸入電壓。這表示向OUT引腳、GND引腳間施加電源電壓（VCC）、輸出電流（IO）的狀態(tài)下，IN引腳、GND引腳間得到的最大輸入電壓，即可以保持?jǐn)?shù)字晶體管OFF狀態(tài)區(qū)域的最大輸入電壓值。因此，如果要從OFF狀態(tài)變?yōu)镺N狀態(tài)，需要進(jìn)一步升高該最大輸入電壓值，所以正常產(chǎn)品的電壓值高于這個(gè)數(shù)值。

VO（on）是輸出電壓，表示任意輸入條件下不超過(guò)絕對(duì)最大額定值的輸出引腳電壓。GND接地放大電路流過(guò)充足的輸入電流時(shí)，輸出電壓降低，IN、OUT接合也變?yōu)檎珘籂顟B(tài)。在規(guī)定的VO、IO下將II設(shè)定為整數(shù)（通常10~20）分之一進(jìn)行測(cè)定。

II（Max.）是輸入電流，表示向IN引腳、GND引腳間施加正向電壓（VI）時(shí)，IN引腳連續(xù)流過(guò)電流的最大輸入容許值。

GI是GND接地直流電流增益，表示規(guī)定的VO、IO條件下的IO/II的比值。

R1表示輸入電阻，表示在IN引腳、晶體管基極之間內(nèi)置的電阻。R1的公差設(shè)定為±30%。另外，還會(huì)隨著溫度的變化而變化。

R2/R1是電阻比率（RESISTANCERATIO），表示晶體管的基極發(fā)射極之間的電阻與內(nèi)置輸入電阻的比率。

數(shù)字晶體管的作用是簡(jiǎn)化了電路設(shè)計(jì)，讓晶體管的工作狀態(tài)更穩(wěn)定。

采購(gòu)時(shí)除了上述7個(gè)參數(shù)，還要考慮IP等級(jí)、包裝與封裝、尺寸、引腳數(shù)、極性（NPN或PNP）、輸入電阻R1，射極電阻R2、功耗、放大倍數(shù)（GI/hFE）、存儲(chǔ)溫度范圍，以及ROHS要求等。