小新Pro13 2020發(fā)布最新預(yù)告 有望搭載DDR4 3200MHz內(nèi)存
小新Air14 2020剛剛發(fā)布，小新Pro13 2020也要來(lái)了，今天聯(lián)想小新官微發(fā)布了最新預(yù)告：突破性能，讓強(qiáng)大更強(qiáng)大。
關(guān)于小新Pro13 2020配置，目前還一無(wú)所知，猜測(cè)10代酷睿i5/i7是少不了的，顯卡無(wú)疑搭載MX350，得益于流處理器數(shù)量的提升，MX350相比于MX250提升大概20%左右，基本戰(zhàn)平GeForce GTX 1050Max-Q，主流游戲能夠勝任。
按上一代小新Pro13的規(guī)格，小新Pro13 2020內(nèi)存最低配8GB起步，還有提供16GB版版本，而且頻率有望提升至DDR4 3200MHz。
屏幕方面，小新Pro 13 2020款或?qū)⑴鋫?560x1600的16:10屏幕，屏占比超過(guò)90%，覆蓋100%sRGB高色域，且支持DC調(diào)光不閃屏以及德國(guó)萊茵防藍(lán)光護(hù)眼認(rèn)證。
當(dāng)然，TOF人臉識(shí)別系統(tǒng)，開(kāi)蓋即開(kāi)機(jī)、全功能Type-C接口、Wi-Fi 6無(wú)線標(biāo)準(zhǔn)也都是少不了的。
責(zé)任編輯：wv
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
筆記本
+關(guān)注
關(guān)注
16文章
2739瀏覽量
77880 -
聯(lián)想
+關(guān)注
關(guān)注
3文章
2762瀏覽量
64773
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
DDR4價(jià)格瘋漲！現(xiàn)貨市場(chǎng)狂飆！
下，渠道搶貨助推價(jià)格上漲。未來(lái)隨著大廠的減產(chǎn)，其他內(nèi)存廠商承接市場(chǎng)需求或?qū)⒊掷m(xù)影響DDR4的供需走勢(shì)。 ? 極速漲價(jià) ? CFM閃存市場(chǎng)數(shù)據(jù)顯示，近期渠道資源從高端到底部低端料號(hào)價(jià)格自上而下全線走高，渠道存儲(chǔ)廠商仍堅(jiān)定強(qiáng)勢(shì)拉漲DDR4
X3D續(xù)命，棘蛇再推高端新品，DDR4時(shí)代真的結(jié)束了嗎？
過(guò)去幾年，隨著DDR5內(nèi)存逐漸普及，新平臺(tái)也相繼退出對(duì)前代內(nèi)存的支持，“DDR4時(shí)代已經(jīng)結(jié)束”成為了主流聲音。但站在2026年這個(gè)節(jié)點(diǎn)，我們看到的卻是另一番景象：
IDT 4MX0121V：DDR3/DDR4 NVDIMM的理想開(kāi)關(guān)/多路復(fù)用器
IDT 4MX0121V：DDR3/DDR4 NVDIMM的理想開(kāi)關(guān)/多路復(fù)用器 在電子工程領(lǐng)域，DDR3和DDR4 NVDIMM（非易失性
使用DDR4時(shí)鐘架構(gòu)
使用DDR4這個(gè)IP核時(shí)，時(shí)鐘如何架構(gòu)十分關(guān)鍵，DDR4 IP對(duì)時(shí)鐘有特殊的要求，可以是差分時(shí)鐘也可以是No buffer的單端時(shí)鐘，在IP核的配置界面可以配置。如果選擇的是差分時(shí)鐘，可以直接與硬件
64GB 288 - Pin DDR4 RDIMM詳細(xì)介紹
64GB 288 - Pin DDR4 RDIMM詳細(xì)介紹 在當(dāng)今高速發(fā)展的電子科技領(lǐng)域，內(nèi)存模塊的性能和容量對(duì)系統(tǒng)的運(yùn)行起著至關(guān)重要的作用。今天，我們就來(lái)深入探討一下Micron的64GB
32GB (x72, ECC, DR) 288 - Pin DDR4 RDIMM：技術(shù)剖析與設(shè)計(jì)考量
32GB (x72, ECC, DR) 288 - Pin DDR4 RDIMM：技術(shù)剖析與設(shè)計(jì)考量 在當(dāng)今數(shù)字化時(shí)代，內(nèi)存技術(shù)的發(fā)展日新月異，DDR4內(nèi)存模塊憑借其高速、高效的特性，
深度解析：DDR4、DDR5 與 LPDDR6 內(nèi)存的驗(yàn)證要點(diǎn)與挑戰(zhàn)
： DDR4 仍被廣泛采用，因其在成本、成熟度與可靠性之間取得良好平衡。典型工作電壓為 1.2 V，數(shù)據(jù)速率最高可達(dá) 3200 MT/s。1 DDR5 已成為新設(shè)計(jì)的主流標(biāo)準(zhǔn)，數(shù)據(jù)速率最高可達(dá) 6400
N34C04 EEPROM：DDR4 DIMM的理想SPD解決方案
在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，對(duì)于DDR4 DIMM的設(shè)計(jì)，EEPROM的選擇至關(guān)重要。N34C04作為一款專(zhuān)門(mén)為DDR4 DIMM設(shè)計(jì)的EEPROM Serial 4 - Kb器件，實(shí)現(xiàn)了JEDEC
三星正式啟動(dòng)DDR4模組停產(chǎn)倒計(jì)時(shí)，PC廠商加速轉(zhuǎn)向DDR5，供應(yīng)鏈掀搶貨潮
涉及多款 8GB、16GB DDR4 SODIMM 及 UDIMM 模組，標(biāo)志著 DDR4 內(nèi)存時(shí)代進(jìn)入收尾階段。
芯盛智能攜手中國(guó)移動(dòng)發(fā)布全國(guó)產(chǎn)DDR4內(nèi)存產(chǎn)品
10月10日，以“碳硅共生 合創(chuàng)AI+時(shí)代”為主題的2025中國(guó)移動(dòng)全球合作伙伴大會(huì)上，芯盛智能科技（湖南）有限公司攜手中國(guó)移動(dòng)通信集團(tuán)終端有限公司聯(lián)合發(fā)布基于1Xnm工藝制程的全國(guó)產(chǎn)DDR4內(nèi)存產(chǎn)品，這一成果彰顯了數(shù)字基建自
?TPS65295 DDR4內(nèi)存電源解決方案技術(shù)文檔總結(jié)
TPS65295器件以最低的總成本和最小的空間為 DDR4 內(nèi)存系統(tǒng)提供完整的電源解決方案。它符合 DDR4 上電和斷電序列要求的 JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)。該TPS65295集成了兩個(gè)同步降壓轉(zhuǎn)換器
漲價(jià)！部分DDR4與DDR5價(jià)差已達(dá)一倍！
（2GX8）內(nèi)存在6月2日的報(bào)價(jià)為5.171美元，當(dāng)時(shí)比DDR5低約8%。然而，最新報(bào)價(jià)顯示DDR4已上漲至8.633美元，不到一個(gè)月時(shí)間內(nèi)漲幅高達(dá)67%，且已經(jīng)超過(guò)DDR5的價(jià)格的4
DDR內(nèi)存市場(chǎng)現(xiàn)狀和未來(lái)發(fā)展
DDR內(nèi)存占據(jù)主導(dǎo)地位。全球DDR內(nèi)存市場(chǎng)正經(jīng)歷一場(chǎng)前所未有的價(jià)格風(fēng)暴。由于原廠加速退出DDR3/DDR
看點(diǎn)：三星DDR4內(nèi)存漲價(jià)20% 華為與優(yōu)必選全面合作具身智能
給大家?guī)?lái)一些業(yè)界資訊： 三星DDR4內(nèi)存漲價(jià)20%? 存儲(chǔ)器價(jià)格跌勢(shì)結(jié)束，在2025年一季度和第二季度，價(jià)格開(kāi)始企穩(wěn)反彈。 據(jù)TrendForce報(bào)道稱(chēng)，三星公司DDR4內(nèi)存開(kāi)始漲價(jià)
DDR4漲價(jià)20%，DDR5上調(diào)5%！
最新消息，三星電子本月初與主要客戶就提高DRAM芯片售價(jià)達(dá)成一致。DDR4 DRAM價(jià)格平均上漲兩位數(shù)百分比；DDR5價(jià)格上漲個(gè)位數(shù)百分比。據(jù)稱(chēng) DDR4 上調(diào) 20%，DDR5 上調(diào)
評(píng)論