據(jù)外媒報(bào)道，目前中國(guó)內(nèi)地最大的芯片代工企業(yè)中芯國(guó)際（SMIC）已經(jīng)計(jì)劃在今年第四季度開始7nm芯片的生產(chǎn)。

中芯國(guó)際聯(lián)合首席執(zhí)行官梁夢(mèng)松博士曾表示：7nm作為14nm工藝的繼承者，性能提高了20%，功耗降低了57%。7nm工藝可以減少63%的邏輯電路面積和55%的SoC芯片面積，其晶體管密度是14nm工藝的兩倍以上。梁夢(mèng)松博士先后任職臺(tái)積電和三星電子，在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域可謂是經(jīng)驗(yàn)豐富。

中芯國(guó)際在2019年才開始了14nm工藝的量產(chǎn)，這是其首次涉足FinFET工藝，當(dāng)時(shí)被認(rèn)為落后國(guó)際一流水平兩代。如果中芯國(guó)際如預(yù)測(cè)在今年第四季度實(shí)現(xiàn)7nm工藝的量產(chǎn)（哪怕是小規(guī)模的），那么也就意味著其正式追上了國(guó)際一流水平。雖然此時(shí)距離臺(tái)積電量產(chǎn)7nm已經(jīng)過(guò)去了兩年時(shí)間，但是二者之間的差距正在逐漸縮小。而隨著中芯國(guó)際工藝的提升，華為海思半導(dǎo)體已經(jīng)將部分芯片代工業(yè)務(wù)交給了中芯國(guó)際。

當(dāng)然，中芯國(guó)際在追趕的過(guò)程中依然面臨著很多問(wèn)題。首先就是國(guó)際先進(jìn)制造設(shè)備的限制，之前中芯國(guó)際花費(fèi)1.5億美元訂購(gòu)的荷蘭ASML光刻機(jī)，就因?yàn)槊绹?guó)向荷蘭施加壓力而遲遲無(wú)法拿到出口許可。而在前幾天運(yùn)抵中國(guó)的光刻機(jī)，其實(shí)并非最先進(jìn)的EUV光刻機(jī)，而只是已經(jīng)成熟的DUV設(shè)備。中芯國(guó)際7nm工藝量產(chǎn)所采用的設(shè)備，目前還不確定其來(lái)源。

第二就是更加劇烈的國(guó)際半導(dǎo)體制造行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)。在去年，三星電子宣布計(jì)劃在2030年之前投資1160億美元用于半導(dǎo)體業(yè)務(wù)。而臺(tái)積電則計(jì)劃在2020年投資160億美元用于新工藝的研發(fā)，目前已經(jīng)規(guī)劃到了2nm，同時(shí)5nm EUV工藝也將在今年上半年量產(chǎn)。

競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手加速投資升級(jí)工藝，也給中芯國(guó)際帶來(lái)了巨大的壓力。為了升級(jí)先進(jìn)的制造能力，中芯國(guó)際今年的資本支出預(yù)計(jì)將達(dá)到31億美元，而其年收入也僅為30億美元左右。作為一名追趕者，中芯國(guó)際顯然還有很長(zhǎng)的路要走。不過(guò)有了京東方的成功榜樣，我相信以中芯國(guó)際為代表的內(nèi)地半導(dǎo)體制造能力將會(huì)持續(xù)進(jìn)步。

等到中芯國(guó)際能站到國(guó)際一流水平的時(shí)候，也許像美國(guó)限制華為這樣的事情就不會(huì)發(fā)生了。