4月10日，浙江博方嘉芯集成電路科技有限公司氮化鎵射頻及功率器件項(xiàng)目正式開工。

該項(xiàng)目于2019年11月7日簽約落地，總投資25億元，占地111.35畝，總建筑面積約8.9萬平方米，項(xiàng)目分兩期實(shí)施，其中一期建筑面積約5萬平方米，建設(shè)6吋（兼容4吋）晶圓氮化鎵（GaN）芯片生產(chǎn)線，設(shè)計(jì)月產(chǎn)能為1000片。

二期建筑面積約3.9萬平方米，建設(shè)6吋（兼容4吋）GaN芯片生產(chǎn)線和外延片生產(chǎn)線，設(shè)計(jì)月產(chǎn)能為3000片GaN射頻芯片、月產(chǎn)能20000片GaN功率芯片。項(xiàng)目全部達(dá)產(chǎn)后可實(shí)現(xiàn)年銷售30億元以上，年稅收6600萬元以上。

據(jù)施工方項(xiàng)目相關(guān)負(fù)責(zé)人表示，項(xiàng)目在今年3月30號動工以后，施工方進(jìn)行了場地平整、放線定位等工作，今天進(jìn)入到樁基開工階段。第一期工程建設(shè)周期是16個(gè)月，到明年7月1日完工。

據(jù)了解，氮化鎵屬于第三代高大禁帶寬度的半導(dǎo)體材料，具有高工作頻率、電子遷移速率、抗天然輻射及耗電量小等特性，能夠廣泛運(yùn)用于5G通訊基站、智能移動終端、物聯(lián)網(wǎng)、軍工航天、數(shù)據(jù)中心、通信設(shè)備、智能電網(wǎng)及太陽能逆變器等領(lǐng)域。

現(xiàn)階段，氮化鎵屬于緊缺的芯片資源，國內(nèi)90%的需求量都依賴進(jìn)口，急需國內(nèi)生產(chǎn)出替代產(chǎn)品。據(jù)讀嘉新聞指出，博方嘉芯氮化鎵射頻及功率器件項(xiàng)目建設(shè)不僅對嘉興科技城、南湖區(qū)數(shù)字經(jīng)濟(jì)發(fā)展意義重大，對“中國芯”打造也提供強(qiáng)勁助力。
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