編者按：最新，長江存儲發(fā)布128層NAND引起業(yè)內(nèi)的高度關(guān)注，作為全球存儲業(yè)的領(lǐng)先企業(yè)三星電子毫不示弱，4月17日，外媒消息顯示，三星即將完成業(yè)界首批160層以上的NAND閃存芯片的開發(fā)。這家韓國半導(dǎo)體巨頭正在利用其“超級缺口”戰(zhàn)略來開發(fā)該公司的第七代NAND閃存芯片，從而使其在競爭中處于優(yōu)勢地位。此外，在5G毫米波的技術(shù)開發(fā)上，三星電子也首次實現(xiàn)了業(yè)界最快的5G速度，該演示使用載波聚合技術(shù)將毫米波頻譜的多個信道與800MHz頻譜進行了合并。

4月17日，據(jù)ET新聞最新消息，三星電子正在將其“超間隙”策略應(yīng)用于其NAND閃存技術(shù)。三星即將完成業(yè)界首批160層以上的NAND閃存芯片的開發(fā)。這家韓國半導(dǎo)體巨頭正在利用其“超級缺口”戰(zhàn)略來開發(fā)該公司的第七代NAND閃存芯片，從而使其在競爭中處于優(yōu)勢地位。

160層數(shù)將是業(yè)內(nèi)最多的。隨著層數(shù)的增加，用于存儲數(shù)據(jù)的NAND閃存將有更多用途，從而導(dǎo)致更大的容量。

最近，中國半導(dǎo)體公司長江存儲最近宣布了其計劃在今年年底前批量生產(chǎn)128層NAND閃存的計劃，但三星電子已經(jīng)在為下一代做準備。

據(jù)業(yè)內(nèi)人士了解，三星電子正在開發(fā)具有160層或更高層的第七代V-NAND閃存。據(jù)悉，三星電子已經(jīng)在加快開發(fā)過程中取得了重大進展。

三星電子正在尋求將“雙堆?！奔夹g(shù)應(yīng)用于第七代V-NAND閃存。這項技術(shù)在兩個不同的時間產(chǎn)生了孔，因此電流可以流過電路。

三星電子一直在使用“單堆疊”技術(shù)，一次制造出所有孔。由于層數(shù)的增加，三星電子似乎正在考慮采用“雙堆?！奔夹g(shù)。

三星公司正在使用雙堆棧技術(shù)在其V-NAND（也稱為3D NAND）閃存芯片中創(chuàng)建160層或更高的層?？梢岳斫猓琋AND閃存芯片中的層數(shù)越高，意味著存儲容量越高。此前，存儲芯片中使用的最高層數(shù)為128，而三星現(xiàn)在已接近生產(chǎn)160層或更高層的芯片。

160層或更高級別的NAND閃存將是業(yè)內(nèi)首創(chuàng)。當前商業(yè)化的NAND閃存的最高層數(shù)為128。

尚未有公司宣布已成功開發(fā)出160層或更高級別的NAND閃存。三星電子和SK海力士去年宣布，他們開發(fā)了128層NAND閃存。長江存儲最近也成功開發(fā)了128層存儲器，并宣布了其計劃在今年年底開始批量生產(chǎn)該存儲器的計劃。

三星電子展示5G毫米波最快下載速度

據(jù)外媒報道，三星電子4月14日表示，該公司在實驗室演示中實現(xiàn)了業(yè)界最快的5G速度，該演示使用載波聚合技術(shù)將毫米波頻譜的多個信道與800MHz頻譜進行了合并。

該試驗使用了三星的5G毫米波接入單元，該接入單元包含傳統(tǒng)的基帶、射頻和天線。三星在2019年10月舉行的MWC洛杉磯大會上推出了其5G NR毫米波接入單元。該接入單元采用了MIMO技術(shù)，在單個單元中擁有1000多個天線組件。

圖片來自三星網(wǎng)站

在最近的測試中，三星使用了兩個搭載其最新5Gmodem芯片組的測試終端。這些終端將信號發(fā)送至毫米波接入單元，每個終端達到了約4.3 Gbps的傳輸速率，并且在兩款終端都達到了8.5 Gbps的業(yè)界最高速率。

今年早些時候，三星與Verizon合作進行了一項試驗，使用的是位于德克薩斯州一張商用網(wǎng)絡(luò)中的基站。在該試驗中，Verizon使用三星的5G NR接入單元將28GHz頻段上的800MHz帶寬頻譜進行了聚合。但是，雙方并未透露該基站處理了多大的流量。考慮到消費者使用的5G手機數(shù)量并不多，它可能并沒有處理太多的商用流量。

三星正在韓國和美國研究毫米波技術(shù)。該公司表示，它也已經(jīng)開始支持5G在日本的商用部署。

本文資料來自ET News和三星網(wǎng)站，本文整理發(fā)布。