日B视频 亚洲,啪啪啪网站一区二区,91色情精品久久,日日噜狠狠色综合久,超碰人妻少妇97在线,999青青视频,亚洲一区二卡,让本一区二区视频,日韩网站推荐

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

微光刻膠技術在全球范圍內(nèi)為納米壓印光刻量身定制了光刻膠配方

lhl545545 ? 來源:MEMS ? 作者:MEMS ? 2020-06-17 14:27 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

據(jù)麥姆斯咨詢報道,近日,SUSS MicroTec和micro resist technology GmbH(以下簡稱為MRT)宣布成立合資公司,進一步推動未來新興應用中的納米壓印光刻技術(Nanoimprint Lithography,NIL)發(fā)展。此項合作將依托SUSS Imprint Excellence Center中心逐步開展起來。

半導體領域設備和工藝解決方案供應商SUSS MicroTec,以及開發(fā)和生產(chǎn)創(chuàng)新型光刻膠和先進納米壓印材料公司MRT,近日宣布了兩方在納米壓印光刻技術(NIL)方面的合作。納米壓印光刻技術是通過高保真圖案轉移,實現(xiàn)增材制造革命的關鍵推動力。越來越多的光子學新興應用都在開始采用紫外納米壓印技術(UV-NIL),例如3D人臉識別和增強現(xiàn)實(AR)眼鏡中的衍射光學元件(DOE)和其它微納米結構,以及光學傳感器、激光納米PSS(Patterned Sapphire Substrate,圖形化藍寶石襯底)結構等。

采用紫外納米壓印技術的光學3D圖案化

納米壓印光刻技術及其應用的需求正在不斷變化。因此,此次合作的基本目標是了解市場最新需求,進而通過雙方在工藝和材料方面的優(yōu)勢,合力開發(fā)出相應的解決方案,從而應對該行業(yè)不斷出現(xiàn)的嚴峻挑戰(zhàn)。

高質(zhì)量壓印技術基于三大核心:設備、工藝和材料。前兩大核心(設備和制造工藝專業(yè)知識)目前可通過SUSS Imprint Excellence Center中心(SUSS MicroTec Lithography GmbH和SUSS MicroOptics SA聯(lián)合成立)得到解決。第三大核心的加入,即納米壓印材料供應商MRT的專業(yè)化學知識,可謂是強強聯(lián)合。這三大核心的結合,更好地滿足了行業(yè)的高要求,同時滿足了其對納米結構復制提出的更具挑戰(zhàn)性的需求。

“SUSS Imprint Excellence Center中心在壓印設備領域以及在大規(guī)模生產(chǎn)環(huán)境中進行工業(yè)級工藝開發(fā)具備數(shù)十年的經(jīng)驗?!盨USS MicroTec首席執(zhí)行官Franz Richter說道,“必須通過與光刻膠供應商和經(jīng)驗豐富的材料供應商建立強有力的合作關系,進一步鞏固這一組合,以實現(xiàn)完美的納米壓印解決方案?!?/p>

參與此次合作的公司致力于以共同的目標深化合作,推動現(xiàn)有應用和新興應用朝著高性能、大規(guī)模生產(chǎn)的方向發(fā)展。

“二十多年來,微光刻膠技術在全球范圍內(nèi)為納米壓印光刻量身定制了光刻膠配方?!盡RT首席執(zhí)行官兼創(chuàng)始人Gabi Grützner女士說道,“我們在聚合物化學和納米復制工藝方面的專業(yè)知識使我們能夠提供最先進的材料解決方案,解決日益增長的工業(yè)用例,其中納米復制技術現(xiàn)已用于制造消費類產(chǎn)品。我們很高興與聯(lián)盟內(nèi)的合作伙伴進行合作,因為當材料和設備完美匹配時,可以大大提高客戶在工業(yè)化應用中納米壓印工藝的良率。SUSS Imprint Excellence Center中心為該技術的推廣提供了絕佳機會,目前此技術組合已交付給SUSS Imprint Excellence Center中心,納米壓印光刻技術將普及給更多的工業(yè)用戶使用?!?br /> 責任編輯:pj

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 半導體
    +關注

    關注

    339

    文章

    31298

    瀏覽量

    266896
  • 3D
    3D
    +關注

    關注

    9

    文章

    3024

    瀏覽量

    115654
  • 納米
    +關注

    關注

    2

    文章

    731

    瀏覽量

    42672
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    中國打造自己的EUV光刻膠標準!

    其他工藝器件的參與才能保障芯片的高良率。 ? 以光刻膠例,這是決定芯片 圖案能否被精準 刻下來的“感光神經(jīng)膜”。并且隨著芯片步入 7nm及以下先進制程芯片 時代,不僅需要EUV光刻機,更需要EUV
    的頭像 發(fā)表于 10-28 08:53 ?7149次閱讀

    臺階儀集成電路制造中的應用:高端光刻膠材料純化研究進展

    隨著集成電路制程節(jié)點不斷向納米尺度邁進,光刻技術已從紫外全譜(g線、i線)發(fā)展到深紫外(KrF、ArF)乃至極紫外(EUV)光源。光刻膠作為光刻
    的頭像 發(fā)表于 03-20 18:05 ?178次閱讀
    臺階儀<b class='flag-5'>在</b>集成電路制造中的應用:高端<b class='flag-5'>光刻膠</b>材料純化研究進展

    光刻膠液體吸收行為的橢圓偏振對比研究

    浸沒式光刻技術中,提升分辨率而在鏡頭與晶圓間引入液體介質(zhì)(如去離子水或高折射率液體),卻引發(fā)了光刻膠與液體間復雜的物理化學相互作用,成為
    的頭像 發(fā)表于 01-16 18:04 ?472次閱讀
    <b class='flag-5'>光刻膠</b>液體吸收行為的橢圓偏振對比研究

    光刻膠剝離工藝

    光刻膠剝離工藝是半導體制造和微納加工中的關鍵步驟,其核心目標是高效、精準地去除光刻膠而不損傷基底材料或已形成的結構。以下是該工藝的主要類型及實施要點:濕法剝離技術有機溶劑溶解法原理:使用丙酮、NMP
    的頭像 發(fā)表于 09-17 11:01 ?2536次閱讀
    <b class='flag-5'>光刻膠</b>剝離工藝

    光刻膠旋涂的重要性及厚度監(jiān)測方法

    芯片制造領域的光刻工藝中,光刻膠旋涂是不可或缺的基石環(huán)節(jié),而保障光刻膠旋涂的厚度是電路圖案精度的前提。優(yōu)可測薄膜厚度測量儀AF系列憑借高精度、高速度的特點,
    的頭像 發(fā)表于 08-22 17:52 ?2059次閱讀
    <b class='flag-5'>光刻膠</b>旋涂的重要性及厚度監(jiān)測方法

    國產(chǎn)光刻膠突圍,日企壟斷終松動

    量產(chǎn)到ArF浸沒式驗證,從樹脂國產(chǎn)化到EUV原料突破,一場靜默卻浩蕩的技術突圍戰(zhàn)已進入深水區(qū)。 ? 例如在248nm波長的KrF光刻膠武漢太紫微的T150A
    的頭像 發(fā)表于 07-13 07:22 ?7623次閱讀

    行業(yè)案例|膜厚儀應用測量之光刻膠厚度測量

    光刻膠生產(chǎn)技術復雜、品種規(guī)格多樣,電子工業(yè)集成電路制造中,對其有著極為嚴格的要求,而保證光刻膠產(chǎn)品的厚度便是其中至關重要的一環(huán)。 項目需求? 本次項目旨在測量
    的頭像 發(fā)表于 07-11 15:53 ?736次閱讀
    行業(yè)案例|膜厚儀應用測量之<b class='flag-5'>光刻膠</b>厚度測量

    針對晶圓上芯片工藝的光刻膠剝離方法及白光干涉儀光刻圖形的測量

    引言 晶圓上芯片制造工藝中,光刻膠剝離是承上啟下的關鍵環(huán)節(jié),其效果直接影響芯片性能與良率。同時,光刻圖形的精確測量是保障工藝精度的重要手段。本文將介紹適用于晶圓芯片工藝的光刻膠剝離方
    的頭像 發(fā)表于 06-25 10:19 ?1336次閱讀
    針對晶圓上芯片工藝的<b class='flag-5'>光刻膠</b>剝離方法及白光干涉儀<b class='flag-5'>在</b><b class='flag-5'>光刻</b>圖形的測量

    金屬低蝕刻率光刻膠剝離液組合物應用及白光干涉儀光刻圖形的測量

    物的應用,并探討白光干涉儀光刻圖形測量中的作用。 金屬低蝕刻率光刻膠剝離液組合物 配方組成 金屬低蝕刻率光刻膠剝離液組合物主要由有機溶劑、
    的頭像 發(fā)表于 06-24 10:58 ?975次閱讀
    金屬低蝕刻率<b class='flag-5'>光刻膠</b>剝離液組合物應用及白光干涉儀<b class='flag-5'>在</b><b class='flag-5'>光刻</b>圖形的測量

    用于 ARRAY 制程工藝的低銅腐蝕光刻膠剝離液及白光干涉儀光刻圖形的測量

    至關重要。本文將介紹用于 ARRAY 制程工藝的低銅腐蝕光刻膠剝離液,并探討白光干涉儀光刻圖形測量中的應用。 用于 ARRAY 制程工藝的低銅腐蝕光刻膠剝離液
    的頭像 發(fā)表于 06-18 09:56 ?1102次閱讀
    用于 ARRAY 制程工藝的低銅腐蝕<b class='flag-5'>光刻膠</b>剝離液及白光干涉儀<b class='flag-5'>在</b><b class='flag-5'>光刻</b>圖形的測量

    低含量 NMF 光刻膠剝離液和制備方法及白光干涉儀光刻圖形的測量

    測量對工藝優(yōu)化和產(chǎn)品質(zhì)量控制至關重要。本文將探討低含量 NMF 光刻膠剝離液及其制備方法,并介紹白光干涉儀光刻圖形測量中的應用。 低含量 NMF 光刻膠剝離液及制備方法
    的頭像 發(fā)表于 06-17 10:01 ?977次閱讀
    低含量 NMF <b class='flag-5'>光刻膠</b>剝離液和制備方法及白光干涉儀<b class='flag-5'>在</b><b class='flag-5'>光刻</b>圖形的測量

    金屬低刻蝕的光刻膠剝離液及其應用及白光干涉儀光刻圖形的測量

    介紹白光干涉儀光刻圖形測量中的作用。 金屬低刻蝕的光刻膠剝離液 配方設計 金屬低刻蝕光刻膠剝離液需平衡
    的頭像 發(fā)表于 06-16 09:31 ?1002次閱讀
    金屬低刻蝕的<b class='flag-5'>光刻膠</b>剝離液及其應用及白光干涉儀<b class='flag-5'>在</b><b class='flag-5'>光刻</b>圖形的測量

    減少光刻膠剝離工藝對器件性能影響的方法及白光干涉儀光刻圖形的測量

    ? ? 引言 ? 半導體制造領域,光刻膠剝離工藝是關鍵環(huán)節(jié),但其可能對器件性能產(chǎn)生負面影響。同時,光刻圖形的精確測量對于保證芯片制造質(zhì)量至關重要。本文將探討減少光刻膠剝離工藝影響的方
    的頭像 發(fā)表于 06-14 09:42 ?1091次閱讀
    減少<b class='flag-5'>光刻膠</b>剝離工藝對器件性能影響的方法及白光干涉儀<b class='flag-5'>在</b><b class='flag-5'>光刻</b>圖形的測量

    光刻膠產(chǎn)業(yè)國內(nèi)發(fā)展現(xiàn)狀

    如果說最終制造出來的芯片是一道美食,那么光刻膠就是最初的重要原材料之一,而且是那種看起來可能不起眼,但卻能決定一道菜味道的關鍵輔料。 光刻膠(photoresist),在業(yè)內(nèi)又被稱為光阻或光阻劑
    的頭像 發(fā)表于 06-04 13:22 ?1866次閱讀

    光刻膠剝離液及其制備方法及白光干涉儀光刻圖形的測量

    引言 半導體制造與微納加工領域,光刻膠剝離液是光刻膠剝離環(huán)節(jié)的核心材料,其性能優(yōu)劣直接影響光刻膠去除效果與基片質(zhì)量。同時,精準測量光刻圖形
    的頭像 發(fā)表于 05-29 09:38 ?1571次閱讀
    <b class='flag-5'>光刻膠</b>剝離液及其制備方法及白光干涉儀<b class='flag-5'>在</b><b class='flag-5'>光刻</b>圖形的測量
    西华县| 青岛市| 内黄县| 荔浦县| 通州区| 卢氏县| 西丰县| 德格县| 卢湾区| 类乌齐县| 昭苏县| 太白县| 浑源县| 连平县| 阜平县| 吉安县| 华池县| 游戏| 罗定市| 遵义市| 白河县| 堆龙德庆县| 城步| 社会| 凤翔县| 桂阳县| 咸宁市| 永新县| 永新县| 新干县| 秦皇岛市| 外汇| 卓尼县| 淮北市| 张家川| 夏津县| 津市市| 孟津县| 万载县| 江阴市| 和林格尔县|