l 、判斷極性首先將萬(wàn)用表撥在 R×1KQ檔，用萬(wàn)用表測(cè)量時(shí)，若某一極與其它兩極阻值為無(wú)窮大，調(diào)換表筆后該極與其它兩極的阻值仍為無(wú)窮大，則判斷此極為柵極（ G ）。其余兩極再用萬(wàn)用表測(cè)量，若測(cè)得阻值為無(wú)窮大，調(diào)換表筆后測(cè)量阻值較小。在測(cè)量阻值較小的一次中，則判斷紅表筆接的為集電極（ C ） ：黑表筆接的為發(fā)射極（ E ）。

2 、判斷好壞將萬(wàn)用表?yè)茉?R×10KQ 檔，用黑表筆接 IGBT 的集電極（ C ） ，紅表筆接 IGBT的發(fā)時(shí)極 （ E ） ，此時(shí)萬(wàn)用表的指針在零位。用手指同時(shí)觸及一下柵極（ G ）和集電極（ C ） ，這時(shí)工 GBT 被觸發(fā)導(dǎo)通，萬(wàn)用表的指針擺向阻值較小的方向，并能站們指示在某一位置。然后再用手指同時(shí)觸及一下柵極（ G ）和發(fā)射極（ E ） ，這時(shí) IGBT 被阻斷，萬(wàn)用表的指針 回零。此時(shí)即可判斷 IGBT 是好的。

3 、注意事項(xiàng)任何指針式萬(wàn)用表鈴可用于檢測(cè) IGBT 。注意判斷IGBT 好壞時(shí)，一定要將萬(wàn)用表?yè)茉?R×IOK擋，因 R×IKQ 檔以下各檔萬(wàn)用表內(nèi)部電池電壓太低，檢測(cè)好壞時(shí)不能使IGBT 導(dǎo)通，而無(wú)法判斷 IGBT 的好壞。此方法同樣也可以用護(hù)檢測(cè)功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管 （ P 一 MOSFET ）的好壞。

4.IGBT 管的好壞可用指針萬(wàn)用表的 Rxlk 擋來(lái)檢測(cè)，或用數(shù)字萬(wàn)用表的“二極管”擋來(lái)測(cè)量 PN 結(jié)正向壓降進(jìn)行判斷。檢測(cè)前先將 IGBT 管三只引腳短路放電，避免影響檢測(cè)的準(zhǔn)確度；然后用指針萬(wàn)用表的兩枝表筆正反測(cè) G 、 e 兩極及 G 、 c 兩極的電阻，對(duì)于正常的 IGBT 管（正常 G 、 C 兩極與 G 、 c 兩極間的正反向電阻均為無(wú)窮大；內(nèi)含阻尼二極管的 IGBT 管正常時(shí)， e 、 C 極間均有 4k Ω正向電阻），上述所測(cè)值均為無(wú)窮大；最后用指針萬(wàn)用表的紅筆接 c 極，黑筆接 e 極，若所測(cè)值在 3 ． 5k Ω l 左右，則所測(cè)管為含阻尼二極管的 IGBT 管，若所測(cè)值在 50k Ω左右，則所測(cè) IGBT 管內(nèi)不含阻尼二極管。對(duì)于數(shù)字萬(wàn)用表，正常情況下， IGBT 管的 C 、 C 極間正向壓降約為 0 ． 5V 。