6月20日，紫光集團發(fā)布消息，由長江存儲實施的國家存儲器基地項目二期（土建）在武漢東湖高新區(qū)開工，規(guī)劃產能20萬片/月，達產后與一期項目合計月產能將達30萬片。

不容忽視的是，行業(yè)龍頭三星近期也在閃存領域動作頻頻。6月1日，其宣布將在韓國平澤工廠擴產NAND閃存芯片，同時該公司在西安的閃存項目也在持續(xù)擴大投資，計劃建成全球規(guī)模最大閃存芯片制造基地。

觀察者網注意到，受上述消息影響，A股早盤，光刻膠、半導體、國產芯片等板塊紛紛走強。個股方面，瑞芯微、北方華創(chuàng)、中微公司、北京君正、華特氣體、華峰測控等集成電路概念股均大幅上漲。

一期主要實現(xiàn)技術突破

紫光集團介紹，長江存儲國家存儲器基地項目由紫光集團、國家集成電路基金、湖北省科投集團和湖北省集成電路基金共同投資建設，計劃分兩期建設3D NAND閃存芯片工廠，總投資240億美元。

其中，項目一期于2016年底開工建設，進展順利，32層、64層存儲芯片產品已實現(xiàn)穩(wěn)定量產。

在開工儀式上，紫光集團、長江存儲董事長趙偉國表示，國家存儲器基地項目一期開工建設以來，從一片荒蕪之地變成了一座世界領先的存儲器芯片工廠，實現(xiàn)了技術水平從跟跑到并跑的跨越。

在64層3D NAND閃存量產7個月后，長江存儲今年4月宣布新的研發(fā)進展，其跳過96層，成功研制出業(yè)內已知型號產品中最高單位面積存儲密度，最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND閃存芯片容量的128層閃存。

談及量產時間，長江存儲當時向觀察者網表示，配合前述產能，128層NAND閃存將于今年年底到明年上半年陸續(xù)量產。

西南證券6月21日分析指出，長江存儲一期主要實現(xiàn)技術突破，并建成10萬片月產能，計劃將于2020年底滿產，考慮到國外廠商擴產情況，屆時長江存儲市全球占率將達5%左右。

“2018年長江存儲突破32層3D閃存，與國外差距3-4年；2019年其實現(xiàn)64層技術量產，與國外差距縮小至2年；今年4月，長江存儲128層QLC 3D閃存研制成功，若128層年底實現(xiàn)量產，則與三星、海力士、美光等國外廠商技術差距縮小至1年，一期的技術突破任務已基本完成。”該券商分析稱。

華創(chuàng)證券分析指出，存儲器是信息系統(tǒng)的基礎核心芯片，最能代表集成電路產業(yè)規(guī)模經濟效益和先進制造工藝，也是中國進口金額最大的集成電路產品。近些年內存、固態(tài)硬盤、顯卡價格屢現(xiàn)上漲，根源在于存儲芯片掌握在少數(shù)國外廠家手中。國產化將降低國內半導體產品成本，并提升上游設備公司訂單。

6月9日，基于二季度數(shù)據(jù)，SEMI（國際半導體產業(yè)協(xié)會）調整2021年全球晶圓廠設備開支規(guī)模的預測值，由此前預估的657億美元上調至創(chuàng)紀錄的677億美元，預計同比增長率為24%。其中，存儲器工廠的設備開支規(guī)模最大，預計達到300億美元。

前述券商統(tǒng)計數(shù)據(jù)顯示，截至今年6月20日，國內設備廠商在長江存儲中標數(shù)量排名依次為：北方華創(chuàng)（中標56臺）、屹唐（46）、中微公司（38）、盛美半導體（18）、華海清科（11）、精測電子（8）、沈陽拓荊（5）、中科飛測（3）、睿勵（2），覆蓋刻蝕、沉積、檢測、清洗、CMP多個領域。

三星、海力士紛紛擴產

事實上，目前全球閃存市場仍高度集中且被國外廠商壟斷。2020年一季度，三星、鎧俠（東芝）、西部數(shù)據(jù)、美光、海力士、英特爾等在全球閃存市場合計占有率超99%。

3月底，集邦咨詢半導體研究中心（DRAMeXchange）的調查顯示，雖然新冠疫情蔓延，使得2020年第一季度的終端產品出貨動能格外疲弱，但在閃存（NAND Flash）領域，由于2020年全年供給收縮，加上各大供應商資本支出保守，第一季NAND Flash均價在淡季仍上漲約5%。

展望第二季度，該機構指出，北美及中國市場數(shù)據(jù)中心的買方態(tài)度仍相當積極，企業(yè)級固態(tài)硬盤（Enterprise SSD）也成為所有應用類別中缺貨態(tài)勢最為明顯的產品。由于Enterprise SSD占整體NAND Flash出貨比重持續(xù)提升，因此價格的強勁表現(xiàn)也帶動第二季整體NAND Flash均價將上漲至少5%。

而隨著“宅經濟”推動對存儲需求的增加，加之價格上漲，龍頭廠商也紛紛開始擴產。

6月1日，路透社報道，三星電子宣布，將擴大其在韓國平澤市（Pyeongtaek）的NAND閃存芯片生產能力，以押注未來對個人計算機和服務器的需求，因為新冠病毒促使更多人在家工作。

報道指出，三星計劃在明年下半年大規(guī)模生產該芯片，新增的產能將有助于滿足對5G手機和其他設備的需求。分析師預計，三星此次投資額將在7萬億韓元至8萬億韓元（約合65億美元）之間。

7個月前，三星宣布啟動西安閃存芯片（NAND）項目二期第二階段80億美元（約合人民幣563億元）投資。項目建成后將新增產能每月13萬片，使西安成為全球規(guī)模最大的閃存芯片制造基地。

與此同時，據(jù)DIGITIMES今年4月報道，SK海力士將在韓國M15工廠增加NAND Flash產能。

報道指出，之前因為市場供過于求，SK海力士把2019年NAND Flash晶圓較2018年減少10%以上，這也導致其產能爬坡速度有所減緩，不過在三星投資加速刺激下，SK海力士或也在考慮提高增產速度。

觀察者網專欄作者鐵流此前分析，由于中國企業(yè)在NAND Flash和DRAM兩種存儲芯片方面的市場占有率微乎其微，且NAND Flash和DRAM被少數(shù)國際大廠所壟斷，特別是韓國企業(yè)擁有非常高的市場份額，這直接導致存儲芯片價格很容易受到壟斷企業(yè)決策影響……長江存儲在64層NAND上取得突破，未來將有效緩解了在NAND上單一依賴進口供應的局面。