如今，5G商用進程不斷提速，加之前段時間高層多次點名”新基建”，5G基站建設或?qū)⒂瓉砀叻?，這些訊號將會給半導體產(chǎn)業(yè)帶來哪些利好？作為全球知名半導體廠商，羅姆（ROHM）在5G方面的戰(zhàn)略布局是怎樣的？5G之下，羅姆將如何乘勢而為？

據(jù)了解，羅姆針對無線基站推出了多款解決方案，包括SiC功率元器件、MOSFET和DC/DC轉(zhuǎn)換器等，助力電信運營商及設備生產(chǎn)商更好地完成4G到5G的平穩(wěn)升級。

<針對UPS供電的電源IC>

羅姆針對UPS供電方式，提供外置FET的升降壓開關控制器“BD9035AEFV-C”、1ch同步降壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器“BD9B304QWZ”以及“BD9F800MUX”。

BD9035AEFV-C的輸入電壓范圍為3.8V~30V，開關頻率在100kHz~600kHz，能夠在-40℃~+125℃工作溫度范圍內(nèi)穩(wěn)定運轉(zhuǎn)。這些優(yōu)質(zhì)特性讓其不僅能夠用于基站建設，還能夠應用于汽車設備、工業(yè)設備和其他電子設備。

BD9F800MUX輸入電壓范圍為4.5V~28V，開關頻率在300kHz或600kHz，最大輸出電流為8.0A，封裝尺寸為3.5mm×3.5mm×0.6mm。在基站建設方面，可用于DSP、FPGA、微處理器等的降壓電源。此外，也可用于液晶電視、DVD /藍光播放器、錄像機、機頂盒等消費電子設備。

BD9B304QWZ的主要優(yōu)點是通過高效率實現(xiàn)低功耗工作。Deep-SLLM控制（升級版低負荷高效率模式）可實現(xiàn)80%以上的效率。同時，BD9B304QWZ是內(nèi)置MOSFET的同步整流器，無需外部FET和二極管，節(jié)省安裝空間，實現(xiàn)了低成本。

基于上述各自的優(yōu)點，BD9B304QWZ和BD9F800MUX雖然特性各不相同，但是應用范圍基本相同，可用于基站建設中DSP、FPGA、微處理器等的降壓電源，也可用于液晶電視、DVD /藍光播放器、錄像機、機頂盒等消費電子設備。

<針對HVDC供電的電源IC>

針對HVDC供電方式，羅姆提供80V/3A DC/DC 轉(zhuǎn)換器“BD9G341AEFJ-LB”等產(chǎn)品。

BD9G341AEFJ-LB內(nèi)置80V/3.5A/150mΩ的Nch功率MOSFET，采用電流模式控制，實現(xiàn)了高速瞬態(tài)響應和簡便的相位補償設定。除了內(nèi)置過流保護、欠壓鎖定、過熱保護、過壓保護等這些基本保護功能外，還能實現(xiàn)了0μA待機電流和軟啟動。相比一般產(chǎn)品，BD9G341AEFJ-LB實現(xiàn)了諸多方面的突破，包括更高的工作電壓、更大的工作電流和更小的封裝尺寸等。在300kHz、Vo=5V、VCC=24V的工作條件下，當輸出電流在0~100mA范圍時，BD9G341AEFJ-LB相較于一般產(chǎn)品在能效上提高了8%-17.6%。

為了滿足未來包括基站電源在內(nèi)的龐大的市場需求，羅姆將在DC/DC轉(zhuǎn)換器方面繼續(xù)開發(fā)相關產(chǎn)品。

<為5G基站帶來革新的SiC功率元器件>

當然，除了供電方式發(fā)生變化，5G基站建設對器件材料變革也有推動作用。由于高頻、高溫、抗輻射以及大功率等挑戰(zhàn)，以SiC功率元器件為首的高性能半導體材料將在5G建設上有重要應用。為了幫助客戶更好地應對5G基站建設過程中的上述挑戰(zhàn)，羅姆已經(jīng)推出第三代碳化硅材料的肖特基勢壘二極管（SiC-SBD）。相較于第二代產(chǎn)品，第三代擁有更好的正向電壓（VF）特性和更好的反向電流（IR）特性。

得益于羅姆第三代SiC-SBD更好的VF和IR特性，客戶在設計產(chǎn)品的過程中可以采用更低的開啟電壓，在正向切為反向時，為了降低功耗，器件將產(chǎn)生更小的瞬態(tài)電流。但是，因為SiC-SBD的瞬態(tài)電流本質(zhì)上不隨正向電流變化，恢復時產(chǎn)生的恢復電流很小，降低了系統(tǒng)噪聲。

相比一般產(chǎn)品，第三代 650V SiC-SBD表現(xiàn)出更好的產(chǎn)品性能，包括實現(xiàn)更高的IFSM，更低的漏電流，以及進一步降低VF等。

目前，羅姆在650V SiC-SBD方面擁有豐富的產(chǎn)品組合。

面對5G基站建設多樣化的需求和復雜的應用環(huán)境所帶來的挑戰(zhàn)，羅姆將持續(xù)保證所供應電源器件的穩(wěn)定性和耐久性，助力運營商和設備廠商完成高速穩(wěn)定的網(wǎng)絡覆蓋。
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