最近一段時間電源產(chǎn)品的需求量爆發(fā)性增長，為了滿足出貨和客戶需求，最近一周都在忙著新產(chǎn)品試制和調(diào)整。

當(dāng)然留言還是沒辦法一一回復(fù)了，所以我們今天就來講一下留言里出現(xiàn)頻率最高的問題。

下圖為一款簡單的電源線路圖：

電源輸入端采用的單級 EMI 抗干擾電路由 C1 和 L1 組成，主要目的就是為了減小電源內(nèi)的高頻信號對電網(wǎng)的輻射干擾。

市電經(jīng)過整流橋 BD1 和 C2 濾波后得到一個大約 300V 的直流電壓，這個電壓一路經(jīng)過變壓器的一次繞組后加到開關(guān)管 VT1 的漏極，另一路經(jīng)過 VD6 后加到芯片的第 8 腳 HV 腳，芯片通過內(nèi)部高壓電流源給 VCC 的外接電容 C6 進(jìn)行充電操作，當(dāng) C6 兩端的電壓達(dá)到開啟電壓（大約 13V 左右）時，芯片開始工作，第 5 腳 DRV 輸出 PWM 方波。

當(dāng) PWM 方波處于高電位時，MOS 管導(dǎo)通，能量存儲在變壓器的繞組內(nèi)，二次側(cè) C22 對負(fù)載進(jìn)行放電操作。

當(dāng) PWM 方波處于低電位時，MOS 截至，存儲在變壓器里的能量經(jīng)過 VD22、C22 整流濾波后輸出直流電壓，輸出電壓經(jīng) R25、VR21 和 R26 采樣后，經(jīng)過 431 和光耦后反饋到控制器芯片的反饋 2 腳上，從而對輸出的占空比進(jìn)行調(diào)節(jié)作用；圖中的 C21 主要起到的是軟化整流二極管的開關(guān)特性，ZD21 并聯(lián)在電源輸出端起到過壓保護作用，產(chǎn)品正常工作時，輸出電壓為：

Uo=2.5*（1+（R25+R21+R26）/R26）;

我們可以根據(jù)需求電壓對 R21 進(jìn)行調(diào)節(jié)。

這個線路不僅有過壓保護功能，還設(shè)有短路保護功能；當(dāng)負(fù)載短路時，芯片 2 腳電壓超過 4.2V，芯片會強制輸出低占空比 PWM，VCC 外接電容上的電壓將會線性下降。當(dāng)電壓降低到 10.6V 時，芯片會進(jìn)入保護重啟狀態(tài)，此后控制器因為極低的電流消耗，VCC 外接電容上的電壓逐漸下降，當(dāng)電壓下降到 5.8V 時，芯片會再次啟動對 VCC 的外接電容進(jìn)行充電，當(dāng)電壓達(dá)到 13V 左右時，芯片又會輸出一個 PWM 波形，從而周而復(fù)始，出現(xiàn)打嗝模式。

細(xì)心的盆友會發(fā)現(xiàn)，我們平常的電源一般都設(shè)有輔助繞組，但是上圖中并沒有設(shè)計輔助繞組供電的功能，其實用輔助繞組供電可以得到一個比較平穩(wěn)的電壓，但是我們做的這個產(chǎn)品，客戶對輸出的動態(tài)響應(yīng)要求并不高，所以為了優(yōu)化成本，可以不設(shè)置輔助繞組。
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