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1．在常溫下，硅二極管的門檻電壓約為0.5V，導通后在較大電流下的正向壓降約為0.7V；鍺二極管的門檻電壓約為0.1V，導通后在較大電流下的正向壓降約為0.2V。 2、二極管的正向電阻小；反向電阻大。 3、二極管的最主要特性是單向導電性。ＰＮ結外加正向電壓時，擴散電流大于漂移電流，耗盡層變窄。 4、二極管最主要的電特性是單向導電性，穩(wěn)壓二極管在使用時，穩(wěn)壓二極管與負載并聯(lián)，穩(wěn)壓二極管與輸入電源之間必須加入一個電阻。 5、電子技術分為模擬電子技術和數(shù)字電子技術兩大部分，其中研究在平滑、連續(xù)變化的電壓或電流信號下工作的電子電路及其技術，稱為模擬電子技術。 6、PN結反向偏置時，PN結的內電場增強。PN具有具有單向導電特性。 7、硅二極管導通后，其管壓降是恒定的，且不隨電流而改變，典型值為0.7伏；其門坎電壓Vth約為0.5伏。 8、二極管正向偏置時，其正向導通電流由多數(shù)載流子的擴散運動形成。 9、P型半導體的多子為空穴、N型半導體的多子為自由電子、本征半導體的載流子為電子—空穴對。 10、因摻入雜質性質不同，雜質半導體可為空穴（P）半導體和電子（N）半導體兩大類。 11、二極管的最主要特性是單向導電性，它的兩個主要參數(shù)是反映正向特性的最大整流電流和反映反向特性的反向擊穿電壓。 12、在常溫下，硅二極管的開啟電壓約為0.5 V，導通后在較大電流下的正向壓降約為0.7V。 13、頻率響應是指在輸入正弦信號的情況下，輸出隨頻率連續(xù)變化的穩(wěn)態(tài)響應。 15、N型半導體中的多數(shù)載流子是電子，少數(shù)載流子是空穴。 16、按一個周期內一只三極管的導通角區(qū)分，功率放大電路可分為甲類、乙類、甲乙類三種基本類型。 17、在阻容耦合多級放大電路中，影響低頻信號放大的是耦合和旁路電容，影響高頻信號放大的是結電容。 18、在NPN三極管組成的基本共射放大電路中，如果電路的其它參數(shù)不變，三極管的β增加，則IBQ增大，ICQ增大，UCEQ減小。 19、三極管的三個工作區(qū)域是截止，飽和，放大。集成運算放大器是一種采用直接耦合方式的放大電路。 20、某放大電路中的三極管，在工作狀態(tài)中測得它的管腳電壓Va = 1.2V， Vb = 0.5V, Vc = 3.6V, 試問該三極管是硅管管（材料），NPN型的三極管，該管的集電極是a、b、c中的C。 21、已知某兩級放大電路中第一、第二級的對數(shù)增益分別為60dB和20dB, 則該放大電路總的對數(shù)增益為80dB，總的電壓放大倍數(shù)為10000。 22、 三極管實現(xiàn)放大作用的外部條件是：發(fā)射結正偏、集電結反偏。某放大電路中的三極管，測得管腳電壓Va = -1V，Vb =-3.2V, Vc =-3.9V, 這是硅管（硅、鍺），NPN型，集電極管腳是a。 23、三種不同耦合方式的放大電路分別為：阻容（RC）耦合、直接耦合和變壓器耦合，其中直接耦合能夠放大緩慢變化的信號。 24、在多級放大電路中，后級的輸入電阻是前級的負載，而前級的輸出電阻可視為后級的信號源的內阻。多級放大電路總的通頻帶比其中每一級的通頻帶要窄。 25、某放大電路在負載開路時的輸出電壓為4V，接入12kΩ的負載電阻后，輸出電壓降為3V，這說明放大電路的輸出電阻為4kΩ。 26、為了保證三極管工作在放大區(qū)，要求： ①發(fā)射結正向偏置，集電結反向偏置。②對于ＮＰＮ型三極管，應使VBC＜0。 27、放大器級間耦合方式主要有阻容（RC）耦合、直接耦合和變壓器耦合三大類。 28、在三極管組成的三種不同組態(tài)的放大電路中，共射和共基組態(tài)有電壓放大作用，共射組態(tài)有電流放大作用，共射和共集組態(tài)有倒相作用；共集組態(tài)帶負載能力強，共集組態(tài)向信號源索取的電流小，共基組態(tài)的頻率響應好。 29、三極管放大電路的三種基本組態(tài)是共集、共基、共射。 30、多級放大器各級之間的耦合連接方式一般情況下有直接耦合，阻容耦合，變壓器耦合。 31、在單級共射放大電路中，如果輸入為正弦波形，用示波器觀察VO和VI的波形，則VO和VI的相位差為180°；當為共集電極電路時，則VO和VI的相位差為0。 32、放大器有兩種不同性質的失真，分別是飽和失真和截止失真。 33、晶體管工作在飽和區(qū)時，發(fā)射結正偏，集電結正偏；工作在放大區(qū)時，集電結反偏，發(fā)射結正偏。 34、在共射、共集和共基三種放大電路組態(tài)中，希望電壓放大倍數(shù)大、輸出電壓與輸入電壓反相，可選用共射組態(tài)；希望輸入電阻大、輸出電壓與輸入電壓同相，可選用共集組態(tài)。 35、場效應管同雙極型三極管相比，其輸入電阻大，熱穩(wěn)定性好。 36、影響放大電路通頻帶下限頻率fL的是隔直電容和極間電容。 37、三極管工作在放大區(qū)時，它的發(fā)射結保持正向偏置，集電結保持反向偏置。 38、場效應管有共源、共柵、共漏三種組態(tài)。 39、在多級放大電路中總的通頻帶比其中每一級的通頻帶窄。 40、場效應管從結構上分成結型FET和MOSFET兩大類型，它屬于電壓控制型器件。 41、場效應管屬于電壓控制電流型器件，而雙極型半導體三極管則可以認為是 電流控制電流型器件。 42、場效應管是電壓控制電流器件，只依靠多數(shù)載流子導電。 43、根據(jù)場效應管的輸出特性，其工作情況可以分為可變電阻區(qū)、恒流區(qū)、擊穿區(qū)和截止區(qū)四個區(qū)域。 44、當柵源電壓等于零時，增強型FET無導電溝道，結型FET的溝道電阻最小。 45、FET是電壓控制器件，BJT是電流控制器件。 46、在甲類、乙類和甲乙類功率放大電路中，效率最低的電路為甲類。 47、一個輸出功率為10W的擴音機電路，若用乙類推挽功放，則應選額定功耗至少應為2W的功率管2只。 48、在甲類、乙類和甲乙類功率放大電路中，效率最低的電路為甲類，為了消除交越失真常采用甲乙類電路。 49、乙類功放的主要優(yōu)點是效率高，但出現(xiàn)交越失真，克服交越失真的方法是 采用甲乙類。 50、乙類互補對稱功率放大電路產生特有的失真現(xiàn)象叫交越失真。

）；周界防范高壓電網裝置的設計以及高壓電網測試儀的設計以及高壓電網管理系統(tǒng)的研發(fā)設計工作。物聯(lián)網燃氣表，物聯(lián)網壓力表，物聯(lián)網陰極保護測試儀的設計，地埋管道陰極保護恒電位儀設計開發(fā)；精通嵌入式產品的系統(tǒng)

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