國家存儲器基地成功研制出了全球首款128層QLC三維閃存芯片
近日，國家存儲器基地項目二期在武漢東湖高新區(qū)開工，據(jù)悉，國家存儲器基地的項目是由紫光集團、國家集成電路基金、湖北省科投集團和湖北省集成電路基金共同投資建設，這項目計劃分兩期建設3D?NAND閃存芯片工廠。
據(jù)了解，國家存儲器基地項目一期于2016年底開工建設，目前，32層、64層存儲芯片產(chǎn)品已經(jīng)實現(xiàn)了穩(wěn)定的量產(chǎn)，并且成功研制出了全球首款128層QLC三維閃存芯片。
該項目中計分兩期建設3D?NAND閃存芯片工廠，總投資額達到240億美元。
這在之中，國家存儲器基地項目一期主要將會實現(xiàn)技術頭破，并且建成10萬片/月產(chǎn)能，二期則規(guī)劃了20萬片/月的產(chǎn)能，在兩期同時穩(wěn)定量產(chǎn)之后，國家存儲器基地項目月產(chǎn)能將會超過30萬片/月。
存儲器是信息系統(tǒng)的基礎核心芯片，它能代表集成電路產(chǎn)業(yè)規(guī)模經(jīng)濟效益和現(xiàn)金的制造工藝，在近年來，內(nèi)存、SSD、顯卡價格數(shù)次上漲，此次，國家存儲器基地項目二期，將會有效的降低國內(nèi)半導體產(chǎn)品的成本同時，并促進國內(nèi)半導體進一步的發(fā)展。
責任編輯:pj
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