斯坦得LDI感光干膜及半導(dǎo)體光刻膠項目總投資15億元
9月16日，安徽馬鞍山當(dāng)涂縣9月份項目集中簽約、集中開工儀式在姑孰工業(yè)集中區(qū)舉行。
本次集中簽約8個項目，其中包括斯坦得LDI感光干膜及半導(dǎo)體光刻膠項目。該項目總投資15億元，分2期建設(shè)。其中，一期投資5.2億元，建設(shè)年產(chǎn)1.2億平米LDI感光干膜、4萬噸特種樹脂、1.6萬噸半導(dǎo)體光刻膠光引發(fā)劑生產(chǎn)項目；二期項目建設(shè)特種樹脂、半導(dǎo)體光刻膠光引發(fā)劑項目。
斯坦得企業(yè)（集團）是由同一法人成立的數(shù)家斯坦得公司組成，最早于1998年在深圳注冊成立，其中2004年成立的東莞市斯坦得電子材料有限公司為本集團的核心價值公司，目前公司正處于上市輔導(dǎo)期。 來源：馬鞍山日報
原文標題：【企業(yè)動態(tài)】總投資15億元 斯坦得LDI感光干膜等項目簽約馬鞍山
文章出處：【微信公眾號：CPCA印制電路信息】歡迎添加關(guān)注！文章轉(zhuǎn)載請注明出處。
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
感光干膜
+關(guān)注
關(guān)注
2文章
7瀏覽量
11553 -
光刻膠
+關(guān)注
關(guān)注
10文章
357瀏覽量
31870
原文標題：【企業(yè)動態(tài)】總投資15億元 斯坦得LDI感光干膜等項目簽約馬鞍山
文章出處：【微信號：pci-shanghai，微信公眾號：CPCA印制電路信息】歡迎添加關(guān)注！文章轉(zhuǎn)載請注明出處。
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
熱點推薦
國產(chǎn)光刻膠開啟“鉗形攻勢”
。作為半導(dǎo)體制造中最關(guān)鍵的材料之一，其性能更是直接決定了芯片的線寬、集成度和良率。 ? 《國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金三期規(guī)劃》明確將光刻膠等半導(dǎo)體材料列為重點
中國打造自己的EUV光刻膠標準！
其他工藝器件的參與才能保障芯片的高良率。 ? 以光刻膠為例，這是決定芯片 圖案能否被精準 刻下來的“感光神經(jīng)膜”。并且隨著芯片步入 7nm及以下先進制程芯片 時代，不僅需要EUV光刻機
2025年中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)投資額約為7800億元
根據(jù)CINNO Research 最新統(tǒng)計數(shù)據(jù)顯示，2025年中國（含臺灣）半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)總投資額達 7,841億元，同比增長17.2%。在全球半導(dǎo)體行業(yè)處于周期性調(diào)整的大背景下，這一增長
比肩進口！我國突破光刻膠“卡脖子”技術(shù)
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道 在芯片制造領(lǐng)域，光刻膠用光引發(fā)劑長期被美日韓企業(yè)壟斷，成為制約我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵“卡脖子”技術(shù)。近日，這一局面被打破——湖北興福電子材料股份有限公司以4626.78萬元
光刻膠剝離工藝
光刻膠剝離工藝是半導(dǎo)體制造和微納加工中的關(guān)鍵步驟，其核心目標是高效、精準地去除光刻膠而不損傷基底材料或已形成的結(jié)構(gòu)。以下是該工藝的主要類型及實施要點：濕法剝離技術(shù)有機溶劑溶解法原理：使用丙酮、NMP
光刻膠旋涂的重要性及厚度監(jiān)測方法
在芯片制造領(lǐng)域的光刻工藝中，光刻膠旋涂是不可或缺的基石環(huán)節(jié)，而保障光刻膠旋涂的厚度是電路圖案精度的前提。優(yōu)可測薄膜厚度測量儀AF系列憑借高精度、高速度的特點，為光刻膠厚度監(jiān)測提供了可靠
從光固化到半導(dǎo)體材料：久日新材的光刻膠國產(chǎn)替代之路
。 從光固化龍頭到半導(dǎo)體材料新銳 久日新材的戰(zhàn)略轉(zhuǎn)型始于2020年。通過收購大晶信息、大晶新材等企業(yè)，強勢切入半導(dǎo)體化學(xué)材料賽道。2024年11月，久日新材控股公司年產(chǎn)4500噸光刻膠項目
國產(chǎn)光刻膠突圍，日企壟斷終松動
厚膠量產(chǎn)到ArF浸沒式膠驗證，從樹脂國產(chǎn)化到EUV原料突破，一場靜默卻浩蕩的技術(shù)突圍戰(zhàn)已進入深水區(qū)。 ? 例如在248nm波長的KrF光刻膠武漢太紫微的T150A膠以120nm分辨率和
行業(yè)案例|膜厚儀應(yīng)用測量之光刻膠厚度測量
光刻膠，又稱光致抗蝕劑，是一種關(guān)鍵的耐蝕劑刻薄膜材料。它在紫外光、電子束、離子束、X 射線等的照射或輻射下，溶解度會發(fā)生變化，主要應(yīng)用于顯示面板、集成電路和半導(dǎo)體分立器件等細微圖形加工作業(yè)。由于
針對晶圓上芯片工藝的光刻膠剝離方法及白光干涉儀在光刻圖形的測量
引言 在晶圓上芯片制造工藝中，光刻膠剝離是承上啟下的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，其效果直接影響芯片性能與良率。同時，光刻圖形的精確測量是保障工藝精度的重要手段。本文將介紹適用于晶圓芯片工藝的光刻膠剝離方法，并探討白光
金屬低蝕刻率光刻膠剝離液組合物應(yīng)用及白光干涉儀在光刻圖形的測量
引言 在半導(dǎo)體及微納制造領(lǐng)域，光刻膠剝離工藝對金屬結(jié)構(gòu)的保護至關(guān)重要。傳統(tǒng)剝離液易造成金屬過度蝕刻，影響器件性能。同時，光刻圖形的精確測量是保障工藝質(zhì)量的關(guān)鍵。本文將介紹金屬低蝕刻率光刻膠
低含量 NMF 光刻膠剝離液和制備方法及白光干涉儀在光刻圖形的測量
引言 在半導(dǎo)體制造過程中，光刻膠剝離液是不可或缺的材料。N - 甲基 - 2 - 吡咯烷酮（NMF）雖在光刻膠剝離方面表現(xiàn)出色，但因其高含量使用帶來的成本、環(huán)保等問題備受關(guān)注。同時，光刻
金屬低刻蝕的光刻膠剝離液及其應(yīng)用及白光干涉儀在光刻圖形的測量
引言 在半導(dǎo)體制造與微納加工領(lǐng)域，光刻膠剝離是重要工序。傳統(tǒng)剝離液常對金屬層產(chǎn)生過度刻蝕，影響器件性能。同時，光刻圖形的精確測量也是確保制造質(zhì)量的關(guān)鍵。本文聚焦金屬低刻蝕的光刻膠剝離液
減少光刻膠剝離工藝對器件性能影響的方法及白光干涉儀在光刻圖形的測量
? ? 引言 ? 在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，光刻膠剝離工藝是關(guān)鍵環(huán)節(jié)，但其可能對器件性能產(chǎn)生負面影響。同時，光刻圖形的精確測量對于保證芯片制造質(zhì)量至關(guān)重要。本文將探討減少光刻膠剝離工藝影響的方
光刻膠剝離液及其制備方法及白光干涉儀在光刻圖形的測量
引言 在半導(dǎo)體制造與微納加工領(lǐng)域，光刻膠剝離液是光刻膠剝離環(huán)節(jié)的核心材料，其性能優(yōu)劣直接影響光刻膠去除效果與基片質(zhì)量。同時，精準測量光刻圖形
評論