日B视频 亚洲,啪啪啪网站一区二区,91色情精品久久,日日噜狠狠色综合久,超碰人妻少妇97在线,999青青视频,亚洲一区二卡,让本一区二区视频,日韩网站推荐

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

npj:預(yù)測(cè)半導(dǎo)體本征電荷輸運(yùn)性質(zhì)

ExMh_zhishexues ? 來源:知社學(xué)術(shù)圈 ? 作者:知社學(xué)術(shù)圈 ? 2020-10-13 16:27 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

利用新的理論、新計(jì)算工具和強(qiáng)大的計(jì)算能力,電子材料的計(jì)算篩選是實(shí)驗(yàn)探索的一種有效而經(jīng)濟(jì)的選擇。例如這些計(jì)算工具協(xié)助發(fā)現(xiàn)了諸如TmAgTe2、NbFeSb、NbCoSn和CdIn2Te4等許多新的高性能熱電(TE)候選材料。人們還借此類工具探索出高遷移率的氧化物、發(fā)現(xiàn)了作為透明導(dǎo)體的新材料,并可能應(yīng)用于顯示器、發(fā)光二極管和太陽能電池等。一些通過計(jì)算確定的TE候選材料(如Ba2BiTaO6和TaIrGe)已得到實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證。許多以前的工作都是基于載流子遷移率μ、電導(dǎo)率σ和塞貝克系數(shù)S的預(yù)測(cè)。盡管基于Boltzmann輸運(yùn)方程(BTE)的最新工具和理論能夠準(zhǔn)確預(yù)測(cè)電子和聲子的輸運(yùn)性質(zhì),但其高復(fù)雜性和高計(jì)算成本,限制了其高通量篩選預(yù)測(cè)。

該研究提出了一種計(jì)算效率高的第一性原理方法,以預(yù)測(cè)半導(dǎo)體本征電荷輸運(yùn)性質(zhì)。來自新加坡科學(xué)技術(shù)研究局高性能計(jì)算研究所的Gang Wu和Shuo-Wang Yang共同領(lǐng)導(dǎo)的團(tuán)隊(duì),通過引入廣義Eliashberg函數(shù)并加入光學(xué)聲子極化、雜質(zhì)散射和自由載流子屏蔽等過程,經(jīng)過密度泛函微擾理論的計(jì)算,使該方法在計(jì)算量很小的情況下,尤其對(duì)非極性和極性半導(dǎo)體都能實(shí)現(xiàn)高保真度。該研究論證了極性光學(xué)聲子散射的重要性,這表明在研究極性半導(dǎo)體的電子性質(zhì)時(shí),在沒有考慮極性光學(xué)聲子散射時(shí),需格外小心。通過與Si、GaAs、Mg2Si和NbFeSb的實(shí)驗(yàn)和理論結(jié)果進(jìn)行的比較,作者驗(yàn)證了這一方法的可靠性,并揭示了NaInSe2是一種潛在的新型熱電材料。該方法的提出可廣泛應(yīng)用于高遷移率半導(dǎo)體和高性能熱電光伏材料的高通量篩選。

該文近期發(fā)表于npj Computational Materials6:46 (2020),英文標(biāo)題與摘要如下。

EPIC STAR: a reliable and efficient approach for phonon- and impurity-limited charge transport calculations

Tianqi Deng, Gang Wu, Michael B. Sullivan, Zicong Marvin Wong, Kedar Hippalgaonkar, Jian-Sheng Wang & Shuo-Wang Yang

A computationally efficient first-principles approach to predict intrinsic semiconductor charge transport properties is proposed. By using a generalized Eliashberg function for short-range electron–phonon scattering and analytical expressions for long-range electron–phonon and electron–impurity scattering, fast and reliable prediction of carrier mobility and electronic thermoelectric properties is realized without empirical parameters. This method, which is christened “Energy-dependent Phonon- and Impurity-limited Carrier Scattering Time AppRoximation (EPIC STAR)” approach, is validated by comparing with experimental measurements and other theoretical approaches for several representative semiconductors, from which quantitative agreement for both polar and non-polar, isotropic and anisotropic materials is achieved. The efficiency and robustness of this approach facilitate automated and unsupervised predictions, allowing high-throughput screening and materials discovery of semiconductor materials for conducting, thermoelectric, and other electronic applications.

責(zé)任編輯:xj

原文標(biāo)題:npj: EPIC STAR—限制聲子和雜質(zhì)的電荷輸運(yùn)的計(jì)算

文章出處:【微信公眾號(hào):知社學(xué)術(shù)圈】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 半導(dǎo)體
    +關(guān)注

    關(guān)注

    339

    文章

    31354

    瀏覽量

    267129
  • 電荷
    +關(guān)注

    關(guān)注

    1

    文章

    665

    瀏覽量

    37438
  • 聲子晶體
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    3

    瀏覽量

    7459
  • 電子材料
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    73

    瀏覽量

    11214

原文標(biāo)題:npj: EPIC STAR—限制聲子和雜質(zhì)的電荷輸運(yùn)的計(jì)算

文章出處:【微信號(hào):zhishexueshuquan,微信公眾號(hào):知社學(xué)術(shù)圈】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    如何用鎖相放大器搭建一個(gè)完整的電輸運(yùn)測(cè)量系統(tǒng)

    在現(xiàn)代凝聚態(tài)物理與材料科學(xué)的研究中,電輸運(yùn)測(cè)量是揭示材料電學(xué)性質(zhì)(如電阻率、霍爾效應(yīng)、量子振蕩等)的重要手段。為了在強(qiáng)噪聲背景下精確提取微弱電信號(hào),鎖相放大器(Lock-in Amplifier
    的頭像 發(fā)表于 04-27 15:48 ?129次閱讀
    如何用鎖相放大器搭建一個(gè)完整的電<b class='flag-5'>輸運(yùn)</b>測(cè)量系統(tǒng)

    半導(dǎo)體中常見的載流子散射機(jī)制

    半導(dǎo)體中的載流子在熱平衡條件下的熱運(yùn)動(dòng)沒有確定的方向性,因此,在沒有外場(chǎng)作用時(shí),凈電流為零;在有外電場(chǎng)作用時(shí),半導(dǎo)體載流子會(huì)加速作定向運(yùn)動(dòng),從而形成凈電流。但載流子在外場(chǎng)下的這種運(yùn)動(dòng)會(huì)受到散射的限制,本節(jié)將介紹半導(dǎo)體中常見的載流
    的頭像 發(fā)表于 04-20 14:30 ?243次閱讀
    <b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>中常見的載流子散射機(jī)制

    簡(jiǎn)單認(rèn)識(shí)半導(dǎo)體的雜質(zhì)和缺陷

    沒有任何雜質(zhì)原子和結(jié)構(gòu)缺陷的半導(dǎo)體稱為半導(dǎo)體,在這種完美的半導(dǎo)體中,電子要么存在于導(dǎo)帶中,要么存在于價(jià)帶中,不可能存在于導(dǎo)帶底和價(jià)帶頂之
    的頭像 發(fā)表于 04-14 15:57 ?278次閱讀
    簡(jiǎn)單認(rèn)識(shí)<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>的雜質(zhì)和缺陷

    簡(jiǎn)單認(rèn)識(shí)半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)

    不同的能帶結(jié)構(gòu)決定了絕緣體、半導(dǎo)體導(dǎo)體等材料具有不同的電學(xué)性質(zhì)。對(duì)于不同半導(dǎo)體,能帶結(jié)構(gòu)差異必然導(dǎo)致它們的電學(xué)和光學(xué)特性差異。能
    的頭像 發(fā)表于 04-13 17:19 ?519次閱讀
    簡(jiǎn)單認(rèn)識(shí)<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>的能帶結(jié)構(gòu)

    半導(dǎo)體設(shè)備工效學(xué)設(shè)計(jì)核心原則!# 半導(dǎo)體

    半導(dǎo)體
    華林科納半導(dǎo)體設(shè)備制造
    發(fā)布于 :2026年03月02日 17:07:57

    半導(dǎo)體設(shè)備把手設(shè)計(jì)黃金標(biāo)準(zhǔn)# 半導(dǎo)體

    半導(dǎo)體
    華林科納半導(dǎo)體設(shè)備制造
    發(fā)布于 :2026年03月02日 17:06:39

    是德科技Keysight B1500A 半導(dǎo)體器件參數(shù)分析儀/半導(dǎo)體表征系統(tǒng)主機(jī)

    一臺(tái)半導(dǎo)體參數(shù)分析儀抵得上多種測(cè)量?jī)x器Keysight B1500A 半導(dǎo)體參數(shù)分析儀是一款一體化器件表征分析儀,能夠測(cè)量 IV、CV、脈沖/動(dòng)態(tài) I-V 等參數(shù)。 主機(jī)和插入式模塊能夠表征大多數(shù)
    發(fā)表于 10-29 14:28

    半導(dǎo)體行業(yè)特種兵#半導(dǎo)體# 芯片

    半導(dǎo)體
    華林科納半導(dǎo)體設(shè)備制造
    發(fā)布于 :2025年09月12日 10:22:35

    半導(dǎo)體新項(xiàng)目芯片制造# 半導(dǎo)體#

    半導(dǎo)體
    華林科納半導(dǎo)體設(shè)備制造
    發(fā)布于 :2025年09月11日 16:52:22

    安世半導(dǎo)體蒞臨法電子參觀交流

    近日,全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造商安世半導(dǎo)體(Nexperia)中國(guó)區(qū)銷售負(fù)責(zé)人一行蒞臨我司參觀交流。法電子高層管理團(tuán)隊(duì)全程陪同,雙方圍繞產(chǎn)業(yè)技術(shù)趨勢(shì)、市場(chǎng)合作及未來戰(zhàn)略規(guī)劃進(jìn)行了深入交流。
    的頭像 發(fā)表于 08-15 10:51 ?1490次閱讀

    現(xiàn)代集成電路半導(dǎo)體器件

    目錄 第1章?半導(dǎo)體中的電子和空穴第2章?電子和空穴的運(yùn)動(dòng)與復(fù)合 第3章?器件制造技術(shù) 第4章?PN結(jié)和金屬半導(dǎo)體結(jié) 第5章?MOS電容 第6章?MOSFET晶體管 第7章?IC中的MOSFET
    發(fā)表于 07-12 16:18

    功率半導(dǎo)體器件——理論及應(yīng)用

    本書較全面地講述了現(xiàn)有各類重要功率半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)、基本原理、設(shè)計(jì)原則和應(yīng)用特性,有機(jī)地將功率器件的設(shè)計(jì)、器件中的物理過程和器件的應(yīng)用特性聯(lián)系起來。 書中內(nèi)容由淺入深,從半導(dǎo)體性質(zhì)、基本的
    發(fā)表于 07-11 14:49

    大模型在半導(dǎo)體行業(yè)的應(yīng)用可行性分析

    有沒有這樣的半導(dǎo)體專用大模型,能縮短芯片設(shè)計(jì)時(shí)間,提高成功率,還能幫助新工程師更快上手?;蛘哕浻布梢栽谠O(shè)計(jì)和制造環(huán)節(jié)確實(shí)有實(shí)際應(yīng)用。會(huì)不會(huì)存在AI缺陷檢測(cè)。 能否應(yīng)用在工藝優(yōu)化和預(yù)測(cè)性維護(hù)中
    發(fā)表于 06-24 15:10

    化合物半導(dǎo)體器件的定義和制造工藝

    化合物半導(dǎo)體器件以Ⅲ-Ⅴ族、Ⅱ-Ⅵ族元素通過共價(jià)鍵形成的材料為基礎(chǔ),展現(xiàn)出獨(dú)特的電學(xué)與光學(xué)特性。以砷化鎵(GaAs)為例,其電子遷移率高達(dá)8500cm2/V·s,電阻率達(dá)10?Ω·cm,是制造高速、高頻、抗輻射器件的理想材料
    的頭像 發(fā)表于 05-28 14:37 ?2997次閱讀
    化合物<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>器件的定義和制造工藝
    雅安市| 烟台市| 甘孜| 五华县| 东丰县| 南部县| 金山区| 丹寨县| 山阳县| 任丘市| 金川县| 石阡县| 吐鲁番市| 洞头县| 泰来县| 青河县| 盐源县| 文成县| 商南县| 湖州市| 井研县| 金溪县| 万山特区| 德化县| 蒙山县| 碌曲县| 云浮市| 盐源县| 北京市| 勐海县| 水城县| 巫山县| 廉江市| 梨树县| 富锦市| 巩留县| 商河县| 介休市| 神农架林区| 阿城市| 陕西省|