“缺芯少屏”之痛讓不少人感覺到要想高質(zhì)量地進行高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，我們就必須在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進行深入布局，雖然說隨著國產(chǎn)屏幕廠商的逐漸突破，國產(chǎn)屏幕已經(jīng)進入世界一流梯隊，““缺芯少屏”已經(jīng)成為“缺芯少魂”，但是芯片危機卻一直沒有解除。

相反，現(xiàn)在我們對國產(chǎn)芯片問題的解決正在顯得越來越迫在眉睫。不過，相對于處理器芯片，現(xiàn)在存儲芯片的危機也算是暫時解除了，原因就是在于長鑫存儲、長江存儲分別在DRAM以及3D NAND方面的突破。

以長江存儲的3D NAND來說，從32層到64層，再到128層，可以說接連突破的速度之快，已經(jīng)讓人們看到了國產(chǎn)3D NAND基本上算是沒有問題了，而這其中最為關(guān)鍵的核心技術(shù)就是獨創(chuàng)的Xtacking專利技術(shù)，該技術(shù)可以在兩片獨立的晶圓上，分別加工周邊電路和儲存單元，讓全球半導(dǎo)體企業(yè)都非常吃驚，而這既是我們存儲芯片獨立創(chuàng)新的體現(xiàn)，也是存儲芯片能夠快速發(fā)展的關(guān)鍵。

危機中的“?！?/p>

上面所說的是存儲芯片危機暫時解除，為什么要說是“暫時”呢？以現(xiàn)在的情況來看的話，也只能是“暫時”了，隨著一些有關(guān)“中芯國際、長江存儲、長鑫存儲等被限制”的信息越來越多，人們再次把焦點轉(zhuǎn)到了“半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)上游材料和設(shè)備”上。

不少人說制約國產(chǎn)芯片發(fā)展的主要原因是“光刻機”，其實，光刻機就是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)上游的關(guān)鍵設(shè)備，而除了光刻機，我們還在清洗材料、晶圓、蒸鍍機等尖端材料和高端設(shè)備上依賴外國廠商，以長江存儲所采用的國產(chǎn)設(shè)備材料來說，比例僅僅為15%左右，一旦被限制了，這就意味著現(xiàn)在我們上面的這些剛“熬出頭”的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將再次面臨打擊。

危機中的“機”

上面說，我們在存儲芯片上，只能說是危機暫時解除，我們要想徹底的解除這些個問題，那就需要整個半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的發(fā)展壯大。

俗話說禍兮福所倚，福兮禍所伏，“?！迸c“機”并存，既然有危機，那就有機遇，現(xiàn)在我們的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展存在產(chǎn)業(yè)鏈不完整以及環(huán)節(jié)薄弱的問題，但是，在危機之下，半導(dǎo)體下游企業(yè)必定會在采購方面開始向國產(chǎn)廠商偏移，而這對于我們這個半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈來說，都是巨大的機遇。

雖然我們的設(shè)備以及材料還處于中低端，但是，只要有市場需求以及引導(dǎo)，假以時日，必然會獲得長足的發(fā)展的進步。這就為打造完整而強大的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈帶來了更多的動力，甚至有可能形成我們在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展上的“內(nèi)循環(huán)”，屆時，在半導(dǎo)體上卡脖子的問題就將一去不復(fù)返了。

結(jié)語

發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)不是依靠腦子一熱或者喊幾句口號就可以搞定的，這是需要時間以及堅持不懈的投入才可以解決的，既需要耐力，更需要耐心。但是我們這個民族有的是韌性，既有決心，也有定力，相信經(jīng)過我們經(jīng)過十年左右的努力，甚至是更短的時間，我們一定會成為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)強國的！

來源：本文來自騰訊新聞。

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