10月9日，《新能源汽車產業(yè)規(guī)劃》（以下簡稱《規(guī)劃》）在國務院常務會議上正式通過，該《規(guī)劃》的出臺開啟了新能源汽車產業(yè)發(fā)展新熱潮，作為新能源汽車核心的IGBT也受到了更多的關注。

IGBT，英文全稱Insulated Gate Bipolar Transistor，即絕緣柵雙極型晶體管，是一種新型電力電子器件，也是實現(xiàn)將高壓轉換成低壓、低壓轉換成高壓的必不可少的器件。

對于新能源汽車來說，由于新能源汽車需要將低壓電轉換成高壓電，逆變器是實現(xiàn)這一目標的關鍵器件，而IGBT單元又是逆變器和驅動電路的核心，IGBT相當于新能源汽車核心的核心。

從國內市場來看，雖然目前IGBT器件主要由歐洲、美國、日本等地區(qū)或國家的廠商提供，且占據(jù)了大約 70%的市場份額，但由于中國龐大的功率半導體需求量，國內廠商發(fā)展仍具有自身優(yōu)勢。

東興證券數(shù)據(jù)顯示，全球 IGBT 市場成長迅速，年復合增長率維持在7%-9%之間，中國成為IGBT 需求上升最快的國家之一。

此外，僅考慮車規(guī)級IGBT市場，招銀國際預計2020年中國IGBT市場規(guī)模將達到28億元，到2025年將達到183億元。

從產業(yè)鏈看，IGBT產業(yè)鏈可以分為四部分，分別為芯片設計、芯片制造、模塊設計以及制造封測。其中，IGBT器件設計及制造存在IDM模式和Fabless模式。目前不少國內IDM廠商也持續(xù)在該領域展開布局，并取得了不錯成效。

株洲中車時代：作為中車時代電氣股份有限公司下屬全資子公司，是一家同時掌握大功率晶閘管、IGCT、IGBT及SiC器件及其組件技術的IDM（集成設計制造）模式企業(yè)，擁有芯片—模塊—裝置—系統(tǒng)完整產業(yè)鏈。

從發(fā)展歷程上看，株洲中車時代很早以前就已經開始了IGBT的研發(fā)。2009年，株洲中車時代6英寸器件生產線、國內首條高壓IGBT模塊封裝線建成投產。

2013年，8英寸IGBT產業(yè)化基地調試運行；2014年，IGBT產業(yè)化基地建成投產，實現(xiàn)IGBT芯片國產化；2017年，株洲中車時代IGBT進入汽車領域。

今年9月，中車株洲所汽車及工業(yè)用新一代功率半導體項目成果匯報會在湖南株洲召開，項目首批產品正式下線。該生產線達產后每年將新增24萬片中低壓IGBT的產能，預計可滿足240萬臺新能源汽車的需求。

比亞迪半導體：是比亞迪集團旗下的獨立子公司，2020年4月，由“深圳比亞迪微電子”正式更名為“比亞迪半導體”，是國內第一家自主研發(fā)、生產車用IGBT芯片并成功大批量應用的IDM企業(yè)，其業(yè)務涵蓋封裝材料、芯片設計、封裝、測試及應用全產業(yè)鏈。

自2005年，比亞迪就布局IGBT產業(yè)。2009年9月，比亞迪半導體自研的IGBT 1.0芯片成功通過中國電器工業(yè)協(xié)會電力電子分會組織的科技成果鑒定。

2012年，IGBT 2.0芯片問世，基于這款芯片，比亞迪成功打造出了車規(guī)級IGBT模塊。2015年，該芯片升級為2.5版本。

2018年，比亞迪半導體成功研發(fā)出全新的車規(guī)級產品IGBT 4.0芯片，成為車規(guī)級IGBT的標桿。

今年4月，總投資10億元的比亞迪IGBT項目在長沙正式動工，據(jù)悉，該項目設計年產25萬片8英寸晶圓的生產線，投產后可滿足年裝50萬輛新能源汽車的產能需求。

據(jù)當時媒體報道，比亞迪IGBT芯片晶圓的產能已經達到5萬片/月，預計2021年可達到10萬片/月，一年可供應120萬輛新能源車，也就是相當于2019年新能源汽車銷量的總數(shù)。

士蘭微電子：是一家集成電路芯片設計與制造一體（IDM）的企業(yè)，公司產品包括：分立器件、IGBT及其他功率模塊、IPM智能功率模塊等。

2019年，士蘭微電子推出了應用于家用電磁爐的1350VRC-IGBT系列產品，該系列產品是基于士蘭微電子獨立自主開發(fā)的第三代場截止（Field-StopIII）工藝平臺，實現(xiàn)在場截止型IGBT器件內部集成了續(xù)流二極管結構。

據(jù)集微網今年2月消息，士蘭微的IGBT器件已經推進到第五代Field-Stop工藝，采用了業(yè)內領先的Narrow mesa元胞設計，將器件的功率密度較上一代產品提升了30%，最大單芯片電流提升至270A。

華微電子：是集功率半導體器件設計研發(fā)、芯片加工、封裝測試及產品營銷為一體的高新技術企業(yè)。

2019年3月，華微電子發(fā)布公告稱，公司擬向全體股東按照每10股配售3股的比例配售A股股份，配股價格為3.90元/股。據(jù)披露，本次募資的凈額擬全部用于新型電力電子器件基地項目（二期）的建設，該項目產品包括重點應用于工業(yè)傳動、消費電子等領域，形成600V-1700V各種電壓、電流等級的IGBT芯片；同時包括應用于各領域的具有成熟產業(yè)化技術的MOSFET芯片；以及與公司主流產品配套的IC芯片。

此外，今年年初，吉林省商務廳發(fā)布了《吉林市華微電子股份有限公司半導體產業(yè)園項目》，項目說明，華微電子將投資102億在吉林省吉林市建設半導體產業(yè)園。

公開內容顯示，半導體產業(yè)園項目由吉林華微電子股份有限公司現(xiàn)有廠區(qū)（30萬平米用地）和高新北區(qū)（80萬平方米用地）組成：華微電子作為產業(yè)園芯片生產基地，主要進行4、5、6、8英寸外延片、SiC外延片、IGBT、MOSFET等芯片生產制造。

華潤微：屬于華潤集團，是一家擁有芯片設計、晶圓制造、封裝測試等全產業(yè)鏈一體化運營能力的半導體企業(yè)。

據(jù)了解，華潤微IGBT產品主要應用為逆變焊機、感應加熱、UPS、逆變器、變頻器、電機驅動、工業(yè)電源等。

2017年11月，國務院國資委批復同意將中航航空電子系統(tǒng)有限責任公司所持中航（重慶）微電子有限公司的股權劃轉給華潤微電子，中航（重慶）微電子正式并入華潤微電子。

中航（重慶）微電子前身為成立于2007年的渝德科技（重慶）有限公司，公司主要產品包括：高可靠性的高壓MOS和IGBT功率器件等。

在此背景下，去年12月28日，華潤微電子（重慶）有限公司正式揭牌成立。根據(jù)簽約，華潤微電子（重慶）有限公司成立后，將設立國家級功率半導體研發(fā)中心、建設國內最大的功率半導體制造中心，同時完善上下游產業(yè)鏈等。協(xié)議的簽署，不僅能將晶圓制造升級擴產，還將帶來從原材料制造、IC設計到封裝測試的完整產業(yè)鏈條，帶動重慶集成電路產業(yè)基地升級。

2018年11月，華潤微電子與重慶西永微電園公司簽署協(xié)議，華潤微電子將在重慶西永微電園投資約100億元建設12英寸功率半導體晶圓生產線，主要生產MOSFET、IGBT、電源管理芯片等功率半導體產品。

今年10月，對于投資者提出的“華潤微的IGBT是否在自己的產線上生產，是在6英寸還是8英寸線上生產？”華潤微表示，公司IGBT芯片研發(fā)和生產是獨立自主的，目前主要是6英寸產線，正逐步往8英寸產線轉移。
責任編輯:tzh