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干貨:H橋電機(jī)驅(qū)動電路詳解

GReq_mcu168 ? 來源:玩轉(zhuǎn)單片機(jī) ? 作者:玩轉(zhuǎn)單片機(jī) ? 2020-10-26 11:11 ? 次閱讀
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電機(jī):俗稱“馬達(dá)”,依據(jù)電磁感應(yīng)定律實現(xiàn)電能轉(zhuǎn)換或傳遞的一種電磁裝置。包括:電動機(jī)和發(fā)電機(jī)。

電動機(jī)在電路中是用字母M表示,它的主要作用是產(chǎn)生驅(qū)動轉(zhuǎn)矩;作為用電器或各種機(jī)械的動力源,發(fā)電機(jī)在電路中用字母G表示,它的主要作用是利用機(jī)械能轉(zhuǎn)化為電能。

電機(jī)控制:對電機(jī)的啟動、加速、運轉(zhuǎn)、減速及停止進(jìn)行的控制。

1.直流有刷電機(jī)

直流有刷電機(jī)(Brushed DC,簡稱BDC),由于其結(jié)構(gòu)簡單,操控方便,成本低廉,具有良好的偏動和調(diào)速性能等優(yōu)勢,被廣泛應(yīng)用于各種動力器件中,小到玩具,按鈕調(diào)節(jié)式汽車座椅,大到印刷機(jī)械等生產(chǎn)機(jī)械中都能看到它的身影。

直流電源的電能通過電刷和換向器進(jìn)入電樞繞組,產(chǎn)生電樞電流,電樞電流產(chǎn)生的磁場與主磁場相互作用產(chǎn)生電磁轉(zhuǎn)矩,使電機(jī)旋轉(zhuǎn)帶動負(fù)載。

優(yōu)點:價格低、控制方便
缺點:由于電刷和換向器的存在,有刷電機(jī)的結(jié)構(gòu)復(fù)雜,可靠性差,故障多,維護(hù)工作量大,壽命短,換向火花易產(chǎn)生電磁干擾。

2.步進(jìn)電機(jī)

步進(jìn)電機(jī)就是一種將電脈沖轉(zhuǎn)化為角位移的執(zhí)行機(jī)構(gòu);更通俗一點講:當(dāng)步進(jìn)驅(qū)動器接收到個脈沖信號,它就驅(qū)動步進(jìn)電機(jī)按設(shè)定的方向轉(zhuǎn)動一個固定的角度。我們可以通過控制脈沖的個數(shù)來控制電機(jī)的角位移量,從而達(dá)到精確定位的目的;同時還可以通過控制脈沖頻率來控制電機(jī)轉(zhuǎn)動的速度和加速度,從而達(dá)到調(diào)速的目的。

優(yōu)點:控制簡單,低速扭矩大,成本低;
缺點:步進(jìn)電機(jī)存在空載啟動頻率,所以步進(jìn)電機(jī)可以低速正常運轉(zhuǎn),但若高于一定速度時就無法啟動,并伴有尖銳的嘯叫聲;同時,步進(jìn)電機(jī)是開環(huán)控制,控制精度和速度都沒有伺服電機(jī)那么高。

3.伺服電機(jī)

伺服電機(jī)廣泛應(yīng)用于各種控制系統(tǒng)中,能將輸入的電壓信號(或者脈沖數(shù))轉(zhuǎn)換為電機(jī)軸上的機(jī)械輸出量,拖動被控制元件,從而達(dá)到控制目的。伺服電機(jī)系統(tǒng)見下圖。一般地,要求轉(zhuǎn)矩能通過控制器輸出的電流進(jìn)行控制;電機(jī)的反應(yīng)要快、體積要小、控制功率要小。伺服電機(jī)主要應(yīng)用在各種運動控制系統(tǒng)中,尤其是隨動系統(tǒng)。

伺服電機(jī)有直流和交流之分,最早的伺服電機(jī)是一般的直流有刷電機(jī),在控制精度不高的情況下,才采用一般的直流電機(jī)做伺服電機(jī)。當(dāng)前隨著永磁同步電機(jī)技術(shù)的飛速發(fā)展,絕大部分的伺服電機(jī)是指交流永磁同步伺服電機(jī)或者直流無刷電機(jī)。

優(yōu)點:可使控制速度,位置精度非常準(zhǔn)確,效率高,壽命長。
缺點:控制復(fù)雜,價格昂貴,需要專業(yè)人士才能控制。

4.無刷直流電機(jī)

無刷直流電機(jī)【BLDCM】是在有刷直流電機(jī)的基礎(chǔ)上發(fā)展來的,但它的驅(qū)動電流是不折不扣的交流。一般地,無刷電機(jī)的驅(qū)動電流有兩種,一種是梯形波(方波),另一種是正弦一般的,把方波驅(qū)動的叫做直流無刷電機(jī)(BLDC);把正弦波驅(qū)動的叫做永磁同步電機(jī)(PMSM),這個實際上就是伺服電機(jī)。

直流無刷電機(jī)與伺服電機(jī)有類似的優(yōu)缺點。BLDC電機(jī)比PMSM電機(jī)造價便宜一些,驅(qū)動控制方法簡單一些。

5.直流減速電機(jī)

減速電機(jī)的重要參數(shù)

電機(jī)一般還有一個最小啟動電壓,就是可以使得電機(jī)(無負(fù)載)、開始旋轉(zhuǎn)的電壓值。為保證電機(jī)正常工作,一般需要接到電機(jī)兩端的電壓值范圍為:最小啟動電壓至額定電壓。并且在這個電壓值范圍內(nèi)才認(rèn)為轉(zhuǎn)速與電壓成正比。

電機(jī)線圈是有銅導(dǎo)線繞線而成的,所以其電機(jī)電樞繞組電阻一般都是非常小這樣回路中電流一般都是比較大的。這對我們電機(jī)驅(qū)動設(shè)計有很大的影響。

另外,電機(jī)還有一個比較重要的參數(shù):扭矩。簡化理解扭矩就是電機(jī)可以帶動外部部件旋轉(zhuǎn)的力量,在物理上用轉(zhuǎn)矩來描述,單位為:N.m(常用單位有:Kg.cm)。大扭矩可以帶動比較重的東西。一般認(rèn)為:直流電機(jī)的扭矩和電流成正比。

6.直流減速電機(jī)驅(qū)動設(shè)計

直流電機(jī)旋轉(zhuǎn):給電機(jī)兩根線供電電機(jī)就可以旋轉(zhuǎn),給正電壓電機(jī)正轉(zhuǎn),給相反電壓電機(jī)反轉(zhuǎn);電壓越大,電機(jī)轉(zhuǎn)得越快,電壓越小,轉(zhuǎn)速也變小。 一般我們利用STM32單片機(jī)可以方便的調(diào)整電機(jī)速度,但STM32的IO接口電壓和電流一般都是非常有限的,電壓是3.3V,電流是8mA,所以為方便控制需要在微控制器和電機(jī)直接添加驅(qū)動電路板,該電機(jī)驅(qū)動板有兩種輸入線:電源輸入線和控制信號輸入線。電源輸入線一般要求是可以提供電機(jī)額定電源的大電流電源,一般來說電機(jī)所需要的電壓和額定電流是多少,那么就要給電機(jī)驅(qū)動板提供多大的電壓和電流,它是給電機(jī)提供動力的來源??刂菩盘柧€與微控制器的信號線連接,是實現(xiàn)調(diào)速的方法,一般是PWM的可調(diào)方波信號。電機(jī)驅(qū)動板還有一個輸出線,有兩個接口,它與直流電機(jī)的引腳直接連接。注意,這里的電機(jī)驅(qū)動板輸出線是應(yīng)該一系列電路之后才輸出的,也就是通過輸入信號調(diào)制后的輸出線。機(jī)控制都是必須有驅(qū)動器的。

如果不需要正反轉(zhuǎn)控制(單向旋轉(zhuǎn)),可以用下圖驅(qū)動電路,實現(xiàn)電機(jī)單向控速。


◆當(dāng)開關(guān)A和D閉合、B和C斷開時直流電機(jī)正常旋轉(zhuǎn),記該旋轉(zhuǎn)方向為正方向。 ◆當(dāng)開關(guān)B和C閉合、A和D斷開時直流電機(jī)正常旋轉(zhuǎn),記該旋轉(zhuǎn)方向為反方向。 ◆當(dāng)開關(guān)A和C閉合、B和D斷開或者當(dāng)開關(guān)B和D閉合、A和C斷開時直流電機(jī)不旋轉(zhuǎn)。此時可以認(rèn)為電機(jī)處于“剎車”狀態(tài),電機(jī)慣性轉(zhuǎn)動產(chǎn)生的電勢將被短路,形成阻礙運動的反電勢,形成“剎車”作用。 ◆當(dāng)開關(guān)A和B閉合或者當(dāng)開關(guān)C和D閉合時直接電源短路,會燒毀電源,這種情況嚴(yán)禁出現(xiàn)。 ◆當(dāng)開關(guān)A、B、C和D四個開關(guān)都斷開時候,認(rèn)為電機(jī)處于“惰行”狀態(tài),電機(jī)慣性所產(chǎn)生的電勢將無法形成電路,從而也就不會產(chǎn)生阻礙運動的反電勢,電機(jī)將慣性轉(zhuǎn)動較長時間。

這樣簡單的控制開關(guān)狀態(tài)就可以控制電機(jī)的選擇方向。從上圖中可以看到,其形狀類似于字母“H”,而作為負(fù);載的直流電機(jī)是像“橋”一樣架在上面的;所以稱之為“H橋驅(qū)動”。4個開關(guān)所在位置就稱為“橋臂”。在電路中可以做電子開關(guān)的有三極管和MOS管。可以使用這兩種器件代替開關(guān)從而實現(xiàn)。

7.H橋電路分析

下面以MOS管搭建的H橋電路解釋電機(jī)正反轉(zhuǎn)控制。要使電機(jī)運轉(zhuǎn),必須使對角線上的一對MOS管導(dǎo)通。如下圖,當(dāng)Q1管和Q4管導(dǎo)通時(此時必須保Q2和Q3關(guān)斷),電流就從電源正極經(jīng)Q1從左至右穿過電機(jī),然后再經(jīng)Q4回到電源負(fù)極。按圖中電流箭頭所示,該流向的電流將驅(qū)動電機(jī)順時針轉(zhuǎn)動。

另一對MOS管2相Q3導(dǎo)通的時候(此時必須保證Q1和Q4關(guān)斷),電流從右至左流過電機(jī),從而驅(qū)動電機(jī)沿逆時針方向轉(zhuǎn)動。驅(qū)動電機(jī)時,保證H橋兩個同側(cè)的MOS管不會同時導(dǎo)通非常重要,如果MOS管Q1和Q2同時導(dǎo)通,那么電流就會從電源正極穿過兩個MOS管直接回到負(fù)極,此時電路中除了MOS管外沒有其它任何負(fù)載,因此電路上的電流就達(dá)到最大值,燒壞MOS管和電源。Q3和Q4同時導(dǎo)通是同樣的道理。

驅(qū)動電機(jī)時,保證H橋兩個同側(cè)的MOS管不會同時導(dǎo)通非常重要,如果MOS管Q1和Q2同時導(dǎo)通,那么電流就會從電源正極穿過兩個MOS管直接回到負(fù)極,此時電路中除了MOS管外沒有其它任何負(fù)載,因此電路上的電流就達(dá)到最大值,燒壞MS管和電源。Q3和Q4同時導(dǎo)通是同樣的道理。

簡單的開關(guān)只能控制電機(jī)正反轉(zhuǎn),引入PWM控制可以實現(xiàn)方向和速度調(diào)節(jié)。調(diào)節(jié)占空比實現(xiàn)控速,占空比越大平均電壓(電流)越大,速度越快PWM頻率一般在10KHz~20KHz之間。頻率太低會導(dǎo)致電機(jī)轉(zhuǎn)速過低,噪聲較大。頻率太高,會因為MOS管的開關(guān)損耗而降低系統(tǒng)的效率。

根據(jù)不同橋臂的PWM控制方式不同,大致上可以分為三種控制模式:受限單極模式、單極模式、雙極模式。

1.受限單極模式

受限單極模式:電機(jī)電樞驅(qū)動電壓極性是單一的

優(yōu)點:控制電路簡單。

缺點:不能剎車,不能能耗制動,在負(fù)載超過設(shè)定速度時不能提供向力矩。調(diào)速靜差大,調(diào)速性能很差,穩(wěn)定性也不好。

2.單極模式

單極模式:電機(jī)電樞驅(qū)動電壓極性是單一的。

優(yōu)點:啟動快,能加速,剎車,能耗制動,能量反饋,調(diào)速性能不如雙極模式好,但是相差不多,電機(jī)特性也比較好。在負(fù)載超速時也能提供反向力矩。

缺點:剎車時,不能減速到0,速度接近0速度時沒有制動力。不能突然倒轉(zhuǎn)。動態(tài)性能不好,調(diào)速靜差稍大。


PWM和PWMN是互補的PWM信號,一般用高級控制定時器的通道和互補通道控制。在PWM為高電平時:MOS管1和4都導(dǎo)通,MOS管2和3都截止,電流從電源正極,經(jīng)過MOS管1,從左到右流過電機(jī)、然后經(jīng)過MOS管4流入電源負(fù)極。在PWM為低電平時:MOS管2和4都導(dǎo)通,MOS管1和3都截止,根據(jù)楞次定律,存在自感電動勢,電流還是從左到右流過電機(jī),經(jīng)過MOS管4和MOS管2形成電流回路。

3.雙極模式

雙極模式:電樞電壓極性是正負(fù)交替的。

優(yōu)點:能正反轉(zhuǎn)運行,啟動快,調(diào)速精度高,動態(tài)性能好,調(diào)速靜差小,調(diào)速范圍大,能加速,減速,剎車,倒轉(zhuǎn),能在負(fù)載超過設(shè)定速度時,提供反向力矩,能克服電機(jī)軸承的靜態(tài)摩擦力,產(chǎn)生非常低的轉(zhuǎn)速。

缺點:控制電路復(fù)雜。在工作期間,4個MOS管都處于工作狀態(tài),功率損耗大,電機(jī)容易發(fā)燙。

PWM1和PWM1N、PWM2和PWM2N是PWM互補通道。使用高級控制定時器通道和互補通道控制雙極模式中,PWM1和PWM2周期相同,占空比相同,極性相反,使得對角線上的兩個MOS管同時導(dǎo)通,同時關(guān)斷。

4.H橋硬件電路設(shè)計

H橋中一般使用4個N型MOS管來搭建。不用2個N型MOS管+2個P型MOS管的原因是:P型MOS管難做到高耐壓大電流的型號,導(dǎo)通電阻大。同樣性能的MOS,N型比P型便宜。

對于NMOS,當(dāng)外部給的柵源極Vgs電壓大于芯片的Vgs閾值(大部分在2V-10V之間)時,漏極D和源極S之間直接導(dǎo)通。如果外部給的Vgs電壓小于閾值,漏極D和源極S之間截止。

簡單認(rèn)為,就是一個由柵極G電壓控制的一個開關(guān)。


假設(shè)圖中N-MOS管的Vgs閾值為3V,VCC=24V。

對于下橋臂Q2MOS管可以使用STM32芯片引腳直接控制,因為STM32的PWM高電平是3.3V足夠使N-MOS管導(dǎo)通。

上橋臂Q1 MOS管無法直接使用STM32芯片引腳使其導(dǎo)通,因為假設(shè)Q1導(dǎo)通,漏極D和源極S電壓幾乎相等(Rds非常小),即VA=VCC=24V,這樣要求Vg>=VA+Vgs=27V。簡單來說就是,Vg大于27V,Q1導(dǎo)通,小于27V,Q1截止。所以就需要一個這樣的電路:把STM32的3.3VPWM信號升壓到27V電壓上,這個電路可以用自舉電路來實現(xiàn)。

上橋臂驅(qū)動:自舉電路

下橋臂驅(qū)動:電平控制

實際電路設(shè)計中,一般把Vgs設(shè)置為10~20V,因為這樣保證MOS管完全導(dǎo)通。

還有一個問題當(dāng)MOS管完全導(dǎo)通時,MOS管的內(nèi)阻Rds一般來說就比較小在幾毫歐,就相當(dāng)于一根導(dǎo)線。但是當(dāng)MOS管不完全導(dǎo)通時,也就是說Vgs小于開啟電壓時,MOS就處于不完全導(dǎo)通狀態(tài),那么MOS管的內(nèi)阻就比較大,而電機(jī)驅(qū)動板的電流也比較大。那么MOS的發(fā)熱就會非常嚴(yán)重,很可能會燒壞芯片。

5.半橋驅(qū)動芯片IR2104S

所謂半橋驅(qū)動芯片,便是一塊驅(qū)動芯片只能用于控制H橋一側(cè)的2個MOS管。因此采用半橋驅(qū)動芯片時,需要兩塊該芯片才能控制一個完整的H橋。

相應(yīng)的,全橋驅(qū)動芯片便是可以直接控制4個MOS管的導(dǎo)通與截止,一塊該芯片便能完成一個完整H橋的控制。

這里使用的IR2104便是一款半橋驅(qū)動芯片,因此在原理圖中可以看到每個H橋需要使用兩塊此芯片。

1.典型電路設(shè)計(來源于數(shù)據(jù)手冊)

2.引腳功能(來源于數(shù)據(jù)手冊)

VCC為芯片的電源輸入,手冊中給出的工作電壓為10~20V。

IN和SD作為輸入控制,可共同控制電機(jī)的轉(zhuǎn)動狀態(tài)(轉(zhuǎn)向、轉(zhuǎn)速和是否轉(zhuǎn)動)。

VB和VS主要用于形成自舉電路。

HO和LO接到MOS管柵極,分別用于控制上橋臂和下橋臂MOS的導(dǎo)通與截止。

COM腳直接接地即可。

3.自舉電路

此部分是理解該芯片的難點,需要進(jìn)行重點講解。從上面的典型電路圖和最初的設(shè)計原理圖中均可發(fā)現(xiàn):該芯片在Vcc和VB腳之間接了一個二極管,在VB和VS之間接了一個電容。這便構(gòu)成了一個自舉電路。

作用:由于負(fù)載(電機(jī))相對于上橋臂和下橋臂MOS位置不同,而MOS的開啟條件為Vgs>Vth,這便會導(dǎo)致想要上橋臂MOS導(dǎo)通,則其柵極對地所需的電壓較大。

因為下橋臂MOS源極接地,想要導(dǎo)通只需要令其柵極電壓大于開啟電壓Vth。而上橋臂MOS源極接到負(fù)載,如果上橋臂MOS導(dǎo)通,那么其源極電壓將上升到H橋驅(qū)動電壓也就是MOS的供電電壓,此時如果柵極對地電壓不變,那么Vgs可能小于Vth,又關(guān)斷。因此想要使上橋臂MOS導(dǎo)通,必須想辦法使其Vgs始終大于或一段時間內(nèi)大于Vth(即柵極電壓保持大于MOS管的電源電壓+Vth)。

下圖是IR2104S的內(nèi)部原理框圖。此類芯片的內(nèi)部原理基本類似,右側(cè)兩個柵極控制腳(HO和LO)均是通過一對PMOS和NMOS進(jìn)行互補控制。


自舉電路工作流程:

以下電路圖均只畫出半橋,另外一半工作原理相同因此省略。假定Vcc=12V,VM=7.4V,MOS管的開啟電壓Vth=6V(不用LR7843的2.3V)。

(1)第一階段:首先給IN輸入PWM信號,使HO和LO通過左側(cè)的內(nèi)部控制電路(使上下兩對互補的PMOS和NMOS對應(yīng)導(dǎo)通),分別輸出低電平和高電平。此時外部H橋的上橋臂MOS截止,小橋臂MOS導(dǎo)通,電機(jī)電流順著②線流通。同時VCC通過自舉二極管(①線)對自舉電容充電,使電容兩端的壓差為Vcc=12V。

(2)第二階段:此階段由芯片內(nèi)部自動產(chǎn)生,即死區(qū)控制階段(在H橋中介紹過,不能使上下兩個MOS同時導(dǎo)通,否則VM直接通到GND,短路燒毀)。HO和LO輸出均為低電平,上橋臂MOS截止,之前加在下橋臂MOS柵極上的電壓通過①線放電。

(3)第三階段:通過IN引腳輸出PWM使左側(cè)的內(nèi)部MOS管如圖所示導(dǎo)通。由于電容上的電壓不能突變,此時自舉電容上的電壓(12V)便可以加到上橋臂MOS的柵極和源極上,使得上橋臂MOS也可以在一定時間內(nèi)保持導(dǎo)通。此時上橋臂MOS的源極對地電壓≈VM=7.4V,柵極對地電壓≈VM+Vcc=19.4V,電容兩端電壓=12V,因此上橋臂MOS可以正常導(dǎo)通。

注意:因為此時電容在持續(xù)放電,壓差會逐漸減小。最后,電容正極對地電壓(即上橋臂MOS柵極對地電壓)會降到Vcc,那么上橋臂MOS的柵源電壓便≈Vcc-VM=12V-7.6V=4.4V< Vth=6V,高端MOS仍然會關(guān)斷。

★ 因此想要使高端MOS連續(xù)導(dǎo)通,必須令自舉電容不斷充放電,即循環(huán)工作在上述的三個階段(上下橋臂的MOS處于輪流導(dǎo)通的狀態(tài),控制信號輸入PWM即可),才能保證上橋臂MOS導(dǎo)通。自舉二極管主要是用來當(dāng)電容放電時,防止回流到VCC,損壞電路。

★ 但是,在對上面的驅(qū)動板進(jìn)行實際測試時會發(fā)現(xiàn),不需要令其上下橋臂MOS輪流導(dǎo)通也可以正常工作,這是因為即使自舉電容放電結(jié)束,即上橋臂MOS的柵源電壓下降到4.4V仍然大于LR7843的Vth=2.3V。

那么在上述驅(qū)動板中,自舉電路就沒有作用了嗎?當(dāng)然不是,由于MOS管的特性,自舉電路在增加?xùn)旁碐電壓的同時,還可令MOS管的導(dǎo)通電阻Rds減小,從而減少發(fā)熱損耗,因此仍然建議采用輪流導(dǎo)通的方式,用自舉電容產(chǎn)生的大壓差使MOS管導(dǎo)通工作。

8.原理圖和PCB

責(zé)任編輯:xj

原文標(biāo)題:H橋電機(jī)驅(qū)動電路詳解

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    DRV8848雙H電機(jī)驅(qū)動器:設(shè)計與應(yīng)用詳解

    DRV8848雙H電機(jī)驅(qū)動器:設(shè)計與應(yīng)用詳解電機(jī)驅(qū)動
    的頭像 發(fā)表于 01-09 13:55 ?922次閱讀

    DRV8411雙H電機(jī)驅(qū)動器:特性、應(yīng)用與設(shè)計要點詳解

    DRV8411雙H電機(jī)驅(qū)動器:特性、應(yīng)用與設(shè)計要點詳解 引言 在電機(jī)
    的頭像 發(fā)表于 01-07 15:20 ?466次閱讀

    H驅(qū)動電路的工作原理與核心元件作用解析

    電機(jī)控制、機(jī)器人伺服系統(tǒng)、汽車電子等領(lǐng)域,H驅(qū)動電路是實現(xiàn)直流電機(jī)正反轉(zhuǎn)與無級調(diào)速的核心單元
    的頭像 發(fā)表于 12-13 14:41 ?2730次閱讀

    SS6952A - 高耐壓50V/7A 單H電流控制電機(jī)驅(qū)動芯片

    SS6952A-單通道H電流控制電機(jī)驅(qū)動SS6952A為電機(jī)一體化應(yīng)用提供一種大電流單通道集成電機(jī)
    的頭像 發(fā)表于 11-06 09:41 ?890次閱讀
    SS6952A - 高耐壓50V/7A 單<b class='flag-5'>H</b><b class='flag-5'>橋</b>電流控制<b class='flag-5'>電機(jī)</b><b class='flag-5'>驅(qū)動</b>芯片

    ?DRV8833雙H電機(jī)驅(qū)動芯片技術(shù)文檔總結(jié)?

    。 每個H的輸出驅(qū)動模塊由配置的N溝道功率MOSFET組成 作為驅(qū)動電機(jī)繞組的 H
    的頭像 發(fā)表于 10-20 14:03 ?1460次閱讀
    ?DRV8833雙<b class='flag-5'>H</b><b class='flag-5'>橋</b><b class='flag-5'>電機(jī)</b><b class='flag-5'>驅(qū)動</b>芯片技術(shù)文檔總結(jié)?

    ?DRV8848 雙H電機(jī)驅(qū)動器技術(shù)文檔總結(jié)

    該DRV8848為家用電器和其他機(jī)電一體化應(yīng)用提供雙 H 電機(jī)驅(qū)動器。該器件可用于驅(qū)動一個或兩個直流
    的頭像 發(fā)表于 10-17 11:23 ?1350次閱讀
    ?DRV8848 雙<b class='flag-5'>H</b><b class='flag-5'>橋</b><b class='flag-5'>電機(jī)</b><b class='flag-5'>驅(qū)動</b>器技術(shù)文檔總結(jié)

    ?DRV8256E/P H電機(jī)驅(qū)動器技術(shù)文檔總結(jié)

    DRV8256E/P 器件是單 H 電機(jī)驅(qū)動器,適用于各種工業(yè)應(yīng)用。這些器件集成了N溝道H、
    的頭像 發(fā)表于 10-14 15:40 ?1220次閱讀
    ?DRV8256E/P <b class='flag-5'>H</b><b class='flag-5'>橋</b><b class='flag-5'>電機(jī)</b><b class='flag-5'>驅(qū)動</b>器技術(shù)文檔總結(jié)

    DRV8251A H電機(jī)驅(qū)動器技術(shù)解析與應(yīng)用指南

    Texas Instruments DRV8251A H驅(qū)動器是一款高度集成的電機(jī)驅(qū)動器,具有N溝道H
    的頭像 發(fā)表于 09-25 10:42 ?1299次閱讀
    DRV8251A <b class='flag-5'>H</b><b class='flag-5'>橋</b><b class='flag-5'>電機(jī)</b><b class='flag-5'>驅(qū)動</b>器技術(shù)解析與應(yīng)用指南

    德州儀器DRV8231A H電機(jī)驅(qū)動器技術(shù)解析與應(yīng)用指南

    Texas Instruments DRV8231A 33V H驅(qū)動器是一款集成電機(jī)驅(qū)動器,具有N溝道
    的頭像 發(fā)表于 09-24 11:30 ?1408次閱讀
    德州儀器DRV8231A <b class='flag-5'>H</b><b class='flag-5'>橋</b><b class='flag-5'>電機(jī)</b><b class='flag-5'>驅(qū)動</b>器技術(shù)解析與應(yīng)用指南

    DRV8231 H電機(jī)驅(qū)動器技術(shù)解析與應(yīng)用指南

    Texas Instruments DRV8231 33V H驅(qū)動器是一款集成電機(jī)驅(qū)動器,具有N溝道H
    的頭像 發(fā)表于 09-24 11:20 ?1180次閱讀
    DRV8231 <b class='flag-5'>H</b><b class='flag-5'>橋</b><b class='flag-5'>電機(jī)</b><b class='flag-5'>驅(qū)動</b>器技術(shù)解析與應(yīng)用指南

    雙通道H驅(qū)動并且每個H可提供4.0A電流的電流控制電機(jī)驅(qū)動

    雙通道H驅(qū)動通過兩個獨立的H電路分別控制兩個電機(jī)
    的頭像 發(fā)表于 09-03 09:46 ?1184次閱讀
    雙通道<b class='flag-5'>H</b><b class='flag-5'>橋</b><b class='flag-5'>驅(qū)動</b>并且每個<b class='flag-5'>H</b><b class='flag-5'>橋</b>可提供4.0A電流的電流控制<b class='flag-5'>電機(jī)</b><b class='flag-5'>驅(qū)動</b>器

    Texas Instruments DRV8848 雙H電機(jī)驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

    Texas Instruments DRV8848雙H電機(jī)驅(qū)動器集成了兩個采用NMOS驅(qū)動器和電流檢測調(diào)節(jié)
    的頭像 發(fā)表于 07-10 11:41 ?1321次閱讀
    Texas Instruments DRV8848 雙<b class='flag-5'>H</b><b class='flag-5'>橋</b><b class='flag-5'>電機(jī)</b><b class='flag-5'>驅(qū)動</b>器數(shù)據(jù)手冊

    H電機(jī)驅(qū)動電路原理】-學(xué)習(xí)筆記

    工作原理電路分析這是一個由晶體管構(gòu)成的H電機(jī)驅(qū)動電路,以下是對其各部分的介紹:核心器件晶體管:
    的頭像 發(fā)表于 05-15 19:34 ?1860次閱讀
    【<b class='flag-5'>H</b><b class='flag-5'>橋</b><b class='flag-5'>電機(jī)</b><b class='flag-5'>驅(qū)動</b><b class='flag-5'>電路</b>原理】-學(xué)習(xí)筆記
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