電磁兼容性（EMC）是電子設(shè)備存在于電磁環(huán)境中而不會(huì)對(duì)該環(huán)境中的其他電子設(shè)備造成干擾或干擾的能力。

EMC 通常分為兩類(lèi)：

1. 輻射 - 電子設(shè)備發(fā)出的電磁干擾可能會(huì)對(duì)同一環(huán)境中的其他電子設(shè)備造成干擾 / 故障。也稱(chēng)為電磁干擾（EMI）。

2. 免疫 / 易感性 - 免疫是指電子設(shè)備在電磁環(huán)境中正常運(yùn)行而不會(huì)因其他電子設(shè)備發(fā)出的輻射而發(fā)生干擾 / 故障的能力，易感性基本上與免疫力相反，因?yàn)樵O(shè)備對(duì)電磁干擾的免疫力越小，它就越容易受到影響，通常抗擾度測(cè)試是不是必需的用于在澳大利亞，新西蘭，北美和加拿大銷(xiāo)售 / 分銷(xiāo)消費(fèi) / 商用型產(chǎn)品。

電磁兼容性排放

EMC 排放進(jìn)一步細(xì)分為兩類(lèi)：

1. 輻射排放

2. 進(jìn)行排放

電磁場(chǎng)由以下部分組成：

1. 電場(chǎng)（電場(chǎng)） - 通常以伏 / 米（V / M）為單位測(cè)量

2. 磁場(chǎng)（H 場(chǎng)） - 通常以每米安培（A / m）為單位測(cè)量

電磁場(chǎng)的這兩個(gè)分量本身是兩個(gè)獨(dú)立的場(chǎng)，但不是完全獨(dú)立的現(xiàn)象。電場(chǎng)和 H 場(chǎng)彼此成直角移動(dòng)。

輻射發(fā)射（E-Field）：
輻射發(fā)射是源自電子或電氣設(shè)備內(nèi)部產(chǎn)生的頻率的電磁干擾（EMI）或干擾。輻射發(fā)射可能會(huì)帶來(lái)嚴(yán)苛的合規(guī)性問(wèn)題。輻射發(fā)射直接從設(shè)備的機(jī)箱或通過(guò)互連電纜（如信號(hào)端口，有線端口，如電信端口或電源導(dǎo)線）通過(guò)空氣傳播。

一個(gè)很好的例子是 HDMI 端口和可以從這些電纜輻射的相關(guān) EMI， 符合 EMC 輻射發(fā)射測(cè)試（EMI）。在 EMC 測(cè)試期間，使用頻譜分析儀和 / 或 EMI 接收器以及合適的測(cè)量天線進(jìn)行輻射發(fā)射測(cè)量。

EMC 輻射發(fā)射測(cè)試方法

輻射發(fā)射（H 場(chǎng)）：電磁波的磁性成分使用頻譜分析儀和 / 或 EMI 接收器以及合適的測(cè)量天線。典型的磁場(chǎng)天線包括環(huán)形天線，并且還包括根據(jù) CISPR 15 的特定天線，例如 Van Veen Loop。Van Veen 環(huán)形天線基本上是三個(gè)環(huán)形天線，它們一起構(gòu)成三個(gè)軸（X，Y 和 Z）的產(chǎn)品磁場(chǎng)發(fā)射。

傳導(dǎo)發(fā)射（連續(xù)和不連續(xù)）：
傳導(dǎo)發(fā)射是電磁干擾（EMI）或源自電子或電氣設(shè)備內(nèi)部產(chǎn)生的頻率的干擾。然后，這些發(fā)射沿著互連的電纜傳播，例如有線端口，例如電信端口或電力導(dǎo)線。這些發(fā)射可以是連續(xù)的（在給定頻率下連續(xù)發(fā)射），也可以是不連續(xù)的（非常數(shù)，偶爾發(fā)生）。

在 EMC 測(cè)試期間，通過(guò)位于測(cè)試室內(nèi)的 ISN（阻抗穩(wěn)定網(wǎng)絡(luò)）在 EMI 接收器上進(jìn)行傳導(dǎo)發(fā)射測(cè)量。

電磁兼容性抗擾度
EMC 抗擾度測(cè)試可以被認(rèn)為是連續(xù)的或瞬態(tài)的。對(duì)產(chǎn)品應(yīng)用連續(xù)測(cè)試以模擬現(xiàn)實(shí)世界中可能發(fā)生的 RF 接近度。瞬態(tài)現(xiàn)象通常是涉及能量爆發(fā)的短事件。

EMC 抗擾度測(cè)試要求通常根據(jù)電磁干擾如何耦合到設(shè)備上而分開(kāi)：

1. 免疫，機(jī)箱端口

2. 免疫，信號(hào)端口和電信端口

3. 抗擾度，輸入直流電源端口

4. 抗擾度，輸入交流電源端口

測(cè)試級(jí)別，干擾信號(hào)類(lèi)型等取決于被測(cè)設(shè)備的類(lèi)型和所應(yīng)用的標(biāo)準(zhǔn)。

持續(xù)免疫測(cè)試

輻射抗擾度：RF 信號(hào)發(fā)生器，放大器和天線用于產(chǎn)生不同頻率的電磁場(chǎng)。被測(cè)設(shè)備（EUT）的外殼端口和相關(guān)電纜通過(guò)輻射天線暴露在電磁場(chǎng)中。輻射測(cè)試信號(hào)處于特定幅度并且調(diào)制應(yīng)用特定時(shí)間段。大多數(shù)需要抗擾度測(cè)試的標(biāo)準(zhǔn)都要求進(jìn)行此測(cè)試。

傳導(dǎo)抗擾度：
在傳導(dǎo)抗擾度測(cè)試期間，RF 信號(hào)發(fā)生器和放大器產(chǎn)生電磁場(chǎng)。該電磁場(chǎng)通過(guò)注入裝置（通常是 CDN，或“耦合 / 去耦網(wǎng)絡(luò)”用作注入裝置）耦合到產(chǎn)品信號(hào)，數(shù)據(jù)或電源端口。這種傳導(dǎo)抗擾度測(cè)試本質(zhì)上是連續(xù)的，在許多標(biāo)準(zhǔn)中稱(chēng)為“射頻連續(xù)傳導(dǎo)”。通常，傳導(dǎo)抗擾度測(cè)試適用于長(zhǎng)度超過(guò) 3 米的交流和直流端口和信號(hào)電纜。

工頻磁場(chǎng)抗擾度：
由電磁線圈產(chǎn)生的波動(dòng)磁場(chǎng)在主電源頻率（50 / 60Hz）下振蕩。EUT 放置在這個(gè)波動(dòng)的磁場(chǎng)內(nèi)并暴露足夠的時(shí)間以評(píng)估產(chǎn)品的性能。磁場(chǎng)抗擾度測(cè)試通常僅適用于磁敏感設(shè)備。

瞬態(tài)免疫測(cè)試：
瞬態(tài)現(xiàn)象是短暫的能量爆發(fā)，被測(cè)產(chǎn)品將在很短的時(shí)間內(nèi)暴露出來(lái)。與連續(xù)抗擾性一樣，瞬態(tài)抗擾度適用于產(chǎn)品機(jī)箱端口，信號(hào) / 數(shù)據(jù)端口和電源端口（如果適用）。

靜電放電（ESD）：
ESD 脈沖直接施加到器件的外殼上，間接施加到垂直 / 水平耦合平面，靠近被測(cè)產(chǎn)品，測(cè)試水平與所應(yīng)用的標(biāo)準(zhǔn)相關(guān)。有關(guān)靜電放電效果和可能的 ESD 兼容性解決方案的更多信息，請(qǐng)查看文章：靜電放電常見(jiàn) EMC 解決方案。

電快速瞬變（EFT）/ 突發(fā)：
快速瞬變是一系列短脈沖，其幅度和重復(fù)頻率都很高，上升時(shí)間很短?？焖偎矐B(tài)現(xiàn)象通常由高速開(kāi)關(guān)事件引起，例如感應(yīng)負(fù)載中斷和繼電器觸點(diǎn)反彈等。通常，快速瞬態(tài)測(cè)試適用于長(zhǎng)度超過(guò) 3 米的交流和直流端口和信號(hào)電纜。

浪涌：
浪涌是由高功率開(kāi)關(guān)事件，磁 / 電感耦合甚至閃電產(chǎn)生的一種瞬態(tài)現(xiàn)象。在主電源的幾個(gè)相角處應(yīng)用 EUT 的電源端口上的浪涌測(cè)試。通常，浪涌測(cè)試適用于交流端口，有時(shí)也適用于直流端口，某些 EMC 產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)中的信號(hào)電纜長(zhǎng)度超過(guò) 30 米，或者電纜可能在建筑物外部運(yùn)行。有關(guān)浪涌的更多信息，請(qǐng)參閱我們的文章 Surges EMC 測(cè)試典型問(wèn)題和解決方案。

電壓驟降，短暫中斷（VDI）和電壓變化：
電壓驟降和短暫中斷測(cè)試的目的是模擬電力網(wǎng)絡(luò)中的故障。這些故障可能是由斷電（停電 / 掉電事件）或負(fù)載突然大的變化引起的。電壓變化通常由連接到電力網(wǎng)絡(luò)的連續(xù)變化的負(fù)載引起。電壓驟降或中斷是二維現(xiàn)象，其特征在于殘余電壓（指定下降之后的電源電壓）和持續(xù)時(shí)間（標(biāo)稱(chēng)電壓下降到產(chǎn)品的下降多長(zhǎng)時(shí)間）。該測(cè)試僅適用于產(chǎn)品的 AC 輸入端口。

脈沖磁場(chǎng)：
與工頻磁場(chǎng)抗擾度測(cè)試一樣，被測(cè)產(chǎn)品放置在磁環(huán)內(nèi)。與工頻磁場(chǎng)測(cè)試不同，EUT 不是將 EUT 暴露在連續(xù)波動(dòng)的磁場(chǎng)中（以 50 / 60Hz 振蕩），而是暴露于由瞬態(tài)發(fā)生器提供的磁場(chǎng)脈沖。磁脈沖振幅高但上升時(shí)間短，然后評(píng)估產(chǎn)品的性能以確保正常操作。

審核編輯黃昊宇