本文旨在解釋MLX90251的熱補償如何工作以及如何使用它來評估整個系統(tǒng)的TC。

在本文檔的第一部分中，將給出針對MLX90251的熱性能的理論方法。本節(jié)將概述線性霍爾傳感器傳遞函數(shù)與溫度的關(guān)系，并解釋“ TC –熱補償”項。第二部分將說明MLX90251內(nèi)部的熱補償工作原理，第三部分將說明如何使用MLX90251評估系統(tǒng)的TC。

理論

本節(jié)旨在給出溫度系數(shù)TC的理論說明。

為了獲得最佳的溫度補償，必須通過以下方式定義靈敏度溫度系數(shù)TC（σ）：

[tex] TC_ {sigma} = frac {-TC_ {B}} {1 + TC_ {B}次（T-25 ^ {circ} C））} [/ tex]

從方程式中可以看出，靈敏度溫度系數(shù)TC（σ）必須隨溫度而變化（可以假設(shè)TC（B）在整個溫度范圍內(nèi)是恒定的）。該行為或多或少在MLX90251中實現(xiàn)。這就是為什么可以這樣編寫“ TC vs TC Code”規(guī)范的原因，使得TC Code引用的是“待補償”溫度系數(shù)，而不是“純粹的IC靈敏度”溫度系數(shù)。

可以使用簡化的方程式來確定系統(tǒng)的溫度系數(shù)：

• 一階近似值：磁場跨度相對于溫度恒定

MLX90251 – TC表

本部分旨在描述MLX90251中實現(xiàn)的TC表。實際上，MLX90251是可編程的線性霍爾效應(yīng)傳感器，其溫度系數(shù)TC（σ）也可以編程。這使該IC用戶可以將TC編程到芯片中，從而可以（至少部分地）補償所施加磁通密度的熱漂移。以前的這種漂移可能僅是由于應(yīng)用中使用的磁體，甚至是由于磁體和模塊之間的相互作用。

TC（σ）（IC的TC）通過三個可編程參數(shù)定義：TCW（3位），TC（5位）和TC2ND（6位）。所有這些參數(shù)都可以在最終應(yīng)用中進行編程，并存儲在IC的EEprom中。為了確定必須將哪個三聯(lián)體[TCW，TC TC2ND]編程到IC中以補償預(yù)定義的TC（B），使用了一種查找表。該表稱為TC表。

TC測定

本節(jié)旨在描述如何通過使用像MLX90251這樣的芯片來確定系統(tǒng)的溫度系數(shù)。

首先，應(yīng)該確定確定“系統(tǒng)”的作用。在以下部分中，當(dāng)談到“系統(tǒng)”時，我們指的是在模塊中實現(xiàn)的簡單磁體或磁體（如果沒有其他說明，則不帶IC）。

表征MLX90251的TC

如前所述，應(yīng)將MLX90251的TC編程為0 ppm /?C，這將永遠無法實現(xiàn)。因此，必須確定IC的TC。這應(yīng)該通過執(zhí)行以下過程來完成：

通過PTC-03 / PTC-04將IC的TC編程為0 ppm /?C

評估IC的實際熱行為

為了評估IC的TC，應(yīng)在兩個不同的位置（即兩個不同的磁場）至少在三個不同的溫度（冷，環(huán)境，熱）和每個溫度下測量輸出電壓。

關(guān)于兩個不同的位置，最好的方法是測量正磁場和相應(yīng)負(fù)磁場的Vout，即Vout（+ B Gauss，T）和Vout（-B Gauss，T）。

確定系統(tǒng)的TC

一旦完全確定了IC的熱行為，就可以使用它來表征系統(tǒng)（磁體或磁體+模塊）。

為此，您只需要在系統(tǒng)中實現(xiàn)特性化的IC并按照上一節(jié)中的說明執(zhí)行相同的測量即可，即，至少在三個不同溫度（冷，環(huán)境，高溫）下測量輸出電壓，并在兩個溫度下分別測量不同的位置。

數(shù)字

熱Voq漂移誤差ΔVoq（T）可以用以下圖形表示：

由熱Voq漂移引起的誤差，即?Voq（T）

TC不匹配引起的誤差即?TC可以表示為：

TC不匹配引起的誤差，即?TC

最后，總熱誤差將具有以下形狀：

總熱誤差

本文旨在解釋MLX90251的熱補償如何工作以及如何使用它來評估整個系統(tǒng)的TC。

編輯：hfy