iOS 14.2正式版才發(fā)布沒多久,有大神已經(jīng)對它進(jìn)行了越獄。
Checkra1n越獄已經(jīng)更新,支持iOS 14.2. 該版本包括A10/A10X設(shè)備的官方支持和A11設(shè)備的有限支持(iPhone 8, iPhone 8 Plus, iPhone X),其中目前僅支持iOS 14.x上的A10/A10X設(shè)備。
在iOS 14.x上對A11設(shè)備的有限支持(選項》跳過A11 BPR檢查)。
新的更新中,修復(fù)了一個普遍存在的問題,該問題可能會導(dǎo)致所有設(shè)備和iOS版本在啟動的不同階段出現(xiàn)崩潰或掛起的情況。
在運行iOS 14的蘋果A10設(shè)備上,啟動時有時可能會在pongoOS中掛起。在這種情況下,請重新啟動設(shè)備并重試。目前,checkra1n只支持安裝Cydia。對其他軟件包管理器的支持,包括Zebra和Installer即將到來,時間預(yù)計在未來幾周內(nèi)。
責(zé)任編輯:PSY
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
蘋果
+關(guān)注
關(guān)注
61文章
24613瀏覽量
208784 -
iOS
+關(guān)注
關(guān)注
8文章
3401瀏覽量
155704 -
破解
+關(guān)注
關(guān)注
2文章
23瀏覽量
14649
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
熱點推薦
Onsemi N溝道SOT - 23 MOSFET:MGSF1N02L和MVGSF1N02L的深度解析
Onsemi N溝道SOT - 23 MOSFET:MGSF1N02L和MVGSF1N02L的深度解析 在電子工程師的日常工作中,MOSFET是電路設(shè)計里極為常見且關(guān)鍵的電子元件。今天我們要深入探討
Onsemi N溝道MOSFET:MGSF1N03L和MVGSF1N03L的技術(shù)解析
Onsemi N溝道MOSFET:MGSF1N03L和MVGSF1N03L的技術(shù)解析 在電子工程師的日常設(shè)計工作中,MOSFET是不可或缺的重要元件。今天,我們就來深入了解Onsemi公司推出的兩款
NTBLS1D1N08X MOSFET:高性能單通道N溝道功率器件的深度解析
NTBLS1D1N08X MOSFET:高性能單通道N溝道功率器件的深度解析 在電子工程領(lǐng)域,功率MOSFET作為關(guān)鍵的電子元件,廣泛應(yīng)用于各類電源管理和功率轉(zhuǎn)換電路中。今天我們將深入探討安森美
解析NTBLS1D1N08H:高性能N溝道MOSFET的卓越表現(xiàn)
解析NTBLS1D1N08H:高性能N溝道MOSFET的卓越表現(xiàn) 在電子工程領(lǐng)域,功率MOSFET是至關(guān)重要的元件,廣泛應(yīng)用于各類電子設(shè)備中。今天,我們將深入探討安森美(onsemi)推出
解析 onsemi NTMFD1D1N02X 雙 N 溝道 MOSFET:特性、參數(shù)與實際應(yīng)用
解析 onsemi NTMFD1D1N02X 雙 N 溝道 MOSFET:特性、參數(shù)與實際應(yīng)用 在電子設(shè)計領(lǐng)域,MOSFET(金屬 - 氧化物 - 半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)是至關(guān)重要的元件,廣泛應(yīng)用
NTTFD1D8N02P1E:高性能N溝道功率MOSFET的卓越之選
NTTFD1D8N02P1E:高性能N溝道功率MOSFET的卓越之選 在電子設(shè)計領(lǐng)域,功率MOSFET作為關(guān)鍵元件,其性能對整個系統(tǒng)的效率和穩(wěn)定性起著至關(guān)重要的作用。今天,我們就來深入了解一款來自
Onsemi NTTFS1D8N02P1E MOSFET:高性能單通道N溝道MOSFET解析
Onsemi NTTFS1D8N02P1E MOSFET:高性能單通道N溝道MOSFET解析 在電子設(shè)計領(lǐng)域,MOSFET(金屬 - 氧化物 - 半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)是一種至關(guān)重要的元件,廣泛應(yīng)用
onsemi NVMTS1D1N04C單通道N溝道MOSFET的特性與應(yīng)用解析
onsemi NVMTS1D1N04C單通道N溝道MOSFET的特性與應(yīng)用解析 在電子設(shè)計領(lǐng)域,MOSFET作為關(guān)鍵的功率器件,其性能直接影響著整個電路的效率和穩(wěn)定性。今天我們就來深入探討一下
深入解析NTTFSS1D1N02P1E:高性能N溝道MOSFET的卓越表現(xiàn)
深入解析NTTFSS1D1N02P1E:高性能N溝道MOSFET的卓越表現(xiàn) 在電子設(shè)計領(lǐng)域,MOSFET作為關(guān)鍵的功率器件,其性能直接影響著整個系統(tǒng)的效率和穩(wěn)定性。今天,我們將深入探討一款高性能的單
深入解析 onsemi NVBLS1D1N08H N 溝道 MOSFET
深入解析 onsemi NVBLS1D1N08H N 溝道 MOSFET 在電子設(shè)計領(lǐng)域,MOSFET 作為關(guān)鍵的功率開關(guān)器件,其性能直接影響著整個電路的效率和穩(wěn)定性。今天,我們就來深入剖析
onsemi NVMTS1D1N04C單通道N溝道MOSFET:設(shè)計利器解析
onsemi NVMTS1D1N04C單通道N溝道MOSFET:設(shè)計利器解析 在電子設(shè)計領(lǐng)域,MOSFET(金屬 - 氧化物 - 半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)是不可或缺的關(guān)鍵元件。今天,我們就來深入剖析
FQD1N80/FQU1N80 N-Channel QFET? MOSFET:技術(shù)特性與應(yīng)用解析
FQD1N80/FQU1N80 N-Channel QFET? MOSFET:技術(shù)特性與應(yīng)用解析 引言 在電子工程領(lǐng)域,功率MOSFET是至關(guān)重要的元件,廣泛應(yīng)用于各種電源電路和功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)中。今天
使用fail2ban防御暴力破解的落地實踐
統(tǒng)計,一臺新上線的 Linux 服務(wù)器暴露 SSH 端口后,平均 5 分鐘內(nèi)就會收到第一次暴力破解嘗試,每天被掃描數(shù)千次是常態(tài)。
1N5283 - 1至1N5314 - 1電流調(diào)節(jié)二極管:設(shè)計與應(yīng)用指南
1N5283 - 1至1N5314 - 1電流調(diào)節(jié)二極管:設(shè)計與應(yīng)用指南 在電子設(shè)計領(lǐng)域,電流調(diào)節(jié)二極管是一種重要的元件,它能在不同的電壓和溫度條件下穩(wěn)定電流,為電路的穩(wěn)定運行提供保障
重磅更新 | HPM_SDK v1.10.0 發(fā)布
版本更新概況[New]增加HPM5E00系列MCU以及HPM5E00EVK支持增加flash_xip_hybrid構(gòu)建,在該模式下AXI_SRAM被用作FLASH前256KB的緩存,位于FLASH前256KB的代碼擁有RAM級別的訪問性能。
iOS 14.2被破解!Checkra1n越獄更新!
評論