臺積電表示已經部署了全球約50%的極紫外光刻設備
今年早些時候，臺積電(TSMC)表示已經部署了全球約50%的極紫外光刻設備(EUV)，這意味著臺積電使用的EUV光刻機數量比業(yè)內其他任何公司都多。根據DigiTimes的報道，臺積電計劃保持領先地位，并已經訂購了至少13臺ASML的Twinscan NXE EUV光刻機，據悉花費超120億元人民幣。
盡管尚不清楚確切的交付和安裝時間表，但這些設備將在2021年全年交付。同時，臺積電明年的實際需求可能高達16 – 17臺EUV光刻機，因為該公司正在使用具有EUV層的制造技術來提高產量。臺積電尚未確認該報告。
目前，臺積電使用ASML的Twinscan NXE EUV光刻機在其N7 +和N5節(jié)點上生產商用芯片，但該公司將在接下來的幾個季度中增加N6（實際上定于2020年第四季度或2021年第一季度進入HVM）以及還具有EUV層的N5P流程。
臺積電對EUV光刻機的需求隨著其技術變得越來越復雜并采用了需要使用極紫外光刻工具進行處理的更多層而不斷增加。
責任編輯：lq
聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規(guī)問題，請聯系本站處理。
舉報投訴
-
臺積電
+關注
關注
44文章
5812瀏覽量
177105 -
光刻機
+關注
關注
31文章
1201瀏覽量
49042 -
光刻設備
+關注
關注
0文章
24瀏覽量
6919
原文標題：120億！臺積電再購13臺EUV光刻機！
文章出處：【微信號：CSF211ic，微信公眾號：中國半導體論壇】歡迎添加關注！文章轉載請注明出處。
發(fā)布評論請先 登錄
相關推薦
熱點推薦
俄羅斯亮劍：公布EUV光刻機路線圖，挑戰(zhàn)ASML霸主地位？
? 電子發(fā)燒友網報道（文/吳子鵬）?在全球半導體產業(yè)格局中，光刻機被譽為 “半導體工業(yè)皇冠上的明珠”，而極紫外（EUV）光刻技術更是先進制程
看點：臺積電展示新一代芯片技術 特斯拉:努力在中國市場推出輔助駕駛
?（低成本方案，適配手機/筆記本），并宣布至2029年均無需采用ASML高價High-NA EUV光刻設備。??這意味著臺積電?即便不用阿斯麥昂貴的高數值孔徑
中科院物理所在高亮度高次諧波極紫外光源研究中獲得進展
、光刻和半導體晶元檢測等領域有重要的應用。由于氣體高次諧波轉換效率比較低，較弱亮度高次諧波光源限制了其應用，如何提高轉化效率獲得高亮度極紫外光源一直是超快激光研究的重要方向。 為了要提
EUV光源重大突破！ASML：芯片產量將提升50%
紫外光刻（EUV）設備的公司。EUV設備堪稱芯片制造商生產先進計算芯片的“神器”，像臺積電、英特爾等行業(yè)巨頭都高度依賴它。EUV
雙色調顯影-------光學光刻和極紫外光刻
雙色調顯影（DTD）最早是由Asano提出的。DTD通過兩次單獨的顯影去除最高和最低曝光劑量區(qū)域的光刻膠，實現了兩倍小的間距。DTD的基本原理如圖5-11所示，光刻膠以線空圖形曝光，所得酸濃度在低
12V升壓36V1A紫外燈恒流驅動器H6901B
誤差放大器、固定關斷時間控制電路及恒流驅動電路，適配多顆紫外LED 燈串的串聯驅動方案。通過 RFB 采樣電阻可靈活設定驅動電流，確保紫外殺菌燈輸出穩(wěn)定的紫外光功率，避免因電流波動影響殺菌效果；EN 端
發(fā)表于 11-28 16:07
白光干涉儀在EUV光刻后的3D輪廓測量
EUV（極紫外）光刻技術憑借 13.5nm 的短波長，成為 7nm 及以下節(jié)點集成電路制造的核心工藝，其光刻后形成的三維圖形（如鰭片、柵極、接觸孔等）尺寸通常在 5-
突發(fā)！臺積電南京廠的芯片設備出口管制豁免被美國正式撤銷
美國已撤銷臺積電（TSMC）向其位于中國大陸的主要芯片制造基地自由運送關鍵設備的授權，這可能會削弱其老一代晶圓代工廠的生產能力。 美國官員最近通知臺
中科院微電子所突破 EUV 光刻技術瓶頸
極紫外光刻（EUVL）技術作為實現先進工藝制程的關鍵路徑，在半導體制造領域占據著舉足輕重的地位。當前，LPP-EUV 光源是極紫外光刻機所采用的主流光源，其工作原理是利用波長為 10.
臺積電引領全球半導體制程創(chuàng)新，2納米制程備受關注
在全球半導體行業(yè)中，先進制程技術的競爭愈演愈烈。目前，只有臺積電、三星和英特爾三家公司能夠進入3納米以下的先進制程領域。然而，臺積電憑借其卓
改善光刻圖形線寬變化的方法及白光干涉儀在光刻圖形的測量
的應用。 改善光刻圖形線寬變化的方法 優(yōu)化曝光工藝參數 曝光是決定光刻圖形線寬的關鍵步驟。精確控制曝光劑量，可避免因曝光過度導致光刻膠過度反應，使線寬變寬；或曝光不足造成線寬變窄。采用先進的曝光
ASML官宣：更先進的Hyper NA光刻機開發(fā)已經啟動
是 ASML 在極紫外光刻（EUV）技術基礎上的革命性升級。通過將光學系統的數值孔徑（NA）從 0.33 提升至 0.55，其分辨率從 13.5nm（半節(jié)距）躍升至 8nm（半節(jié)
發(fā)表于 06-29 06:39
?2167次閱讀
光刻膠產業(yè)國內發(fā)展現狀
，是指通過紫外光、深紫外光、電子束、離子束、X射線等光照或輻射，溶解度會發(fā)生變化的耐蝕刻薄膜材料，是光刻工藝中的關鍵材料。 從芯片生產的工藝流程上來說，光刻膠的應用處于芯片設計、制造、
詳談X射線光刻技術
隨著極紫外光刻（EUV）技術面臨光源功率和掩模缺陷挑戰(zhàn)，X射線光刻技術憑借其固有優(yōu)勢，在特定領域正形成差異化競爭格局。
評論