在2020年閃存峰會(huì)上，一家名為Neo Semiconductor的初創(chuàng)公司因其在閃存方面的創(chuàng)新而獲得了 最佳展示獎(jiǎng) 。該公司表示它可以描述被稱(chēng)為X-NAND的“ 3D NAND的未來(lái)架構(gòu)”。Neo Semi聲稱(chēng)其技術(shù)的應(yīng)用“導(dǎo)致QLC NAND具有與SLC NAND相當(dāng)?shù)淖x/寫(xiě)性能”。

對(duì)于個(gè)人電腦游戲玩家和發(fā)燒友來(lái)說(shuō)，擁有更快的存儲(chǔ)空間和更高的承受能力并不是一個(gè)吸引人的目標(biāo)。Neo Semi表示，其高速，低成本解決方案將為新興應(yīng)用程序帶來(lái)福音，例如AI / ML，5G，實(shí)時(shí)分析，VR / AR和網(wǎng)絡(luò)安全

Neo Semi指出，隨著閃存NAND存儲(chǔ)器從SLC到QLC的容量和可承受性的發(fā)展，速度已經(jīng)“明顯變慢”。該公司表示，目前的情況是對(duì)于某些需要高速存儲(chǔ)訪(fǎng)問(wèn)的應(yīng)用來(lái)說(shuō)，QLC太慢了。一些公司試圖通過(guò)使用DRAM和SLC緩存來(lái)解決該問(wèn)題。Neo Semi的技術(shù)被稱(chēng)為X-NAND，采用了不同的方法。

X-NAND在芯片級(jí)別提高了并行度，從而顯著加快了QLC NAND的速度。通常，這將意味著芯片尺寸的顯著增加，但是采用X-NAND時(shí)，該體系結(jié)構(gòu)已被設(shè)計(jì)為“頁(yè)面緩沖區(qū)可以同時(shí)讀取/寫(xiě)入幾條位線(xiàn)”。

這項(xiàng)技術(shù)聽(tīng)起來(lái)很吸引人，但不幸的是，Neo Semi目前沒(méi)有可工作的原型芯片向投資者展示。為了從合理的理論過(guò)渡到實(shí)用性，初創(chuàng)企業(yè)正在尋找開(kāi)發(fā)伙伴。Neo Semi表示，現(xiàn)有NAND制造商在現(xiàn)有工藝中實(shí)現(xiàn)其專(zhuān)利設(shè)計(jì)并不困難。希望它在閃存峰會(huì)上獲得的關(guān)注意味著它的設(shè)計(jì)和技術(shù)將會(huì)取得成果。
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