盛美半導(dǎo)體設(shè)備（NASDAQ:ACMR），作為半導(dǎo)體制造與先進(jìn)晶圓級(jí)封裝領(lǐng)域中領(lǐng)先的設(shè)備供應(yīng)商，近日發(fā)布了應(yīng)用于填充3D硅通孔（TSV）的硅通孔電鍍?cè)O(shè)備Ultra ECP 3d。借助盛美半導(dǎo)體電鍍?cè)O(shè)備的平臺(tái)，該設(shè)備可為高深寬比（H.A.R）銅應(yīng)用提供高性能、無(wú)孔洞的鍍銅功能。

據(jù)行業(yè)研究公司Mordor Intelligence稱：“3D TSV 設(shè)備市場(chǎng)在2019年已達(dá)到28億美金，并且在2020 - 2025年的復(fù)合年增長(zhǎng)率為6.2%的條件下，到2025年，該市場(chǎng)將達(dá)到40億美金?！?使用TSV設(shè)備的關(guān)鍵市場(chǎng)主要包括成像、存儲(chǔ)、微機(jī)電系統(tǒng)以及光電子學(xué)等。

盛美半導(dǎo)體設(shè)備董事長(zhǎng)王暉表示：“眾多因素推動(dòng)了3D TSV市場(chǎng)的增長(zhǎng)，從器件小型化到人工智能和邊緣計(jì)算，這些應(yīng)用要求在更高密度的封裝中有更強(qiáng)的處理能力，這就加速了硅通孔技術(shù)的工業(yè)采用?！?/p>

王暉博士還提到：“在跟客戶的合作中，我們已經(jīng)成功地展示了該硅通孔電鍍?cè)O(shè)備填充高深寬比通孔的能力。除了為提高產(chǎn)能而做的堆疊式腔體設(shè)計(jì)，該設(shè)備還能減少消耗的使用，降低成本，節(jié)省工廠里寶貴的使用面積?！?/p>

在高深寬比硅通孔由下而上的填充過程中，銅電解液浸入電鍍液的時(shí)候，必須完全填充通孔，不能滯留任何氣泡。為了加速這一過程，我們采用了一體化預(yù)濕步驟。

這種先進(jìn)的技術(shù)解決方案可以在制造工藝中保證更高的效益、電鍍效率和產(chǎn)能。該應(yīng)用于3D TSV的Ultra ECP 3d設(shè)備配有10個(gè)腔體，應(yīng)用于300mm，集成預(yù)濕、鍍銅和后清洗模塊于一體，尺寸僅寬2.2米、深3.6米、高2.9米。

盛美半導(dǎo)體設(shè)備最近已交付第一臺(tái)Ultra ECP 3d設(shè)備給中國(guó)的關(guān)鍵客戶，并開始正式進(jìn)行3D TSV和2.5D 轉(zhuǎn)接板鍍銅應(yīng)用的驗(yàn)證。
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