麻省理工新聞報道稱：科學(xué)家們已經(jīng)找到了用于制造更小、更節(jié)能的非硅基晶體管的新方法，它就是此前被用于高速通信系統(tǒng)的砷化銦鎵（InGaAs）材料。此前該材料給人留下的印象，就是其性能會在較小的尺度下出現(xiàn)滑坡。不過新研究已經(jīng)找到了問題關(guān)鍵，即所謂的氧化物陷阱，該現(xiàn)象會導(dǎo)致電子在流過晶體管時遭遇限制。

研究一作 Xiaowei Cai 解釋稱，晶體管應(yīng)該可以像開關(guān)那樣工作，并在接通電壓后產(chǎn)生預(yù)期中的大量電流。

但若遭遇電子束縛，就會發(fā)生即使接通了電壓，其中也只有相當(dāng)有限的電流經(jīng)過的情況。當(dāng)遇到這種氧化物陷阱時，晶體管的性能就會受到極大的影響。

好消息是，通過審視晶體管的頻率依賴性（即電子脈沖通過晶體管的傳輸速率），我們得以找到問題所在。

盡管在較低的頻率下，納米級 InGaAs 晶體管的性能似乎出現(xiàn)了滑坡，但它還是能夠在 1GHz 或更高頻率下正常工作。

Cai 補(bǔ)充道，當(dāng)以很高的頻率操作這些設(shè)備時，我們留意到其性能表現(xiàn)確實相當(dāng)出色，較硅晶體管展現(xiàn)出了相當(dāng)高的競爭潛力。

據(jù)悉，Cai 將在本月的 IEEE 國際電子設(shè)備會議上詳細(xì)介紹這項新發(fā)現(xiàn)。不過受 COVID-19 大流行的影響，會議形式已改成了在線上舉辦。
責(zé)編AJX