攻城獅們在反激變壓器設計時，需綜合考慮電源電氣指標、EMC&安規(guī)、可靠性等因素，控制技術的快速發(fā)展使得傳統(tǒng)變壓器設計方法已窮于應對，Chipown技術團隊在前面三期為大家分享了變壓器基礎知識、PWM和PFM控制模式下的變壓器設計，受到fans們一致好評。 本期，Chipown技術團隊為大家?guī)碓撓盗形恼碌氖展僦?，在QR控制模式下，如何通過平衡變壓器匝比n和感量Lp優(yōu)化變壓器設計。 基于峰值電流控制的QR工作原理 QR控制屬于PFM控制，其控制原理為：FB電壓產(chǎn)生Clock信號和Ipref，DMG電壓產(chǎn)生Valley信號。當Clock信號和Valley信號同時為高后產(chǎn)生SetSignal，Q1導通，ip電流線性增長；當Vcs等于Ipref時Gate置低，Q1關閉。

QR控制的fS如何產(chǎn)生？

由上面公式可知，Po決定了工作點Ipk和fs，Ipk、Vg等參數(shù)又決定fs。Td是為了實現(xiàn)谷底開通降低開關損耗；fs會隨輸入電壓的升高而升高，因此控制芯片需限制最高開關頻率fsmax。

四步法設計QR變壓器 以經(jīng)典QR芯片PN8161為例，為了滿足CoC V5 Tier 2能效標準，控制芯片采用QR+PFM+PWM+BM混合工作模式。

對于此類芯片，應在最低輸入電壓Vgmin及額定功率下設計變壓器，具體步驟如下：第一步

在Vgmin條件下設定n和Lp，滿足Pomax傳輸及Vdsmax、Vrrmax電壓應力要求：

備注：對于PN8161，Idlimit=1.1A；Td為寄生參數(shù)振蕩周期的一半，通常在0.5-1us之間；12V輸出時，n推薦值為11。

第二步 在額定功率&最低輸入電壓下計算Ipk、fs、原副邊電流有效值：

第三步 設定初次級圈數(shù)和線徑，電流密度合理、不飽和、可繞制，否則從第一步重新迭代：

第四步 設定供電繞組Na及屏蔽繞組，調(diào)整繞制方式，使得Vcc電壓在芯片規(guī)格之內(nèi)且EMC滿足要求。

變壓器設計實例

備注：S2計算時，Ponom應考慮反激變換器轉(zhuǎn)換效率eff，計算出的開關頻率fs更為精準。

責任編輯：xj

原文標題：【芯朋寶典】反激變壓器優(yōu)化設計之四

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