除了僅由ASML提供的EUV（極紫外光）光刻系統(tǒng)之外，三星電子和臺(tái)積電之間在爭(zhēng)奪超微加工工藝所需設(shè)備的安全方面的競(jìng)爭(zhēng)也越來越激烈。APMI（光化圖案掩膜檢查）系統(tǒng)和制造掩膜的寫入器就是最好的例子。這些是芯片制造的關(guān)鍵工具，當(dāng)芯片制程小于5納米時(shí)，它們將決定生產(chǎn)率和質(zhì)量。像EUV光刻系統(tǒng)一樣，這兩種儀器也僅由單個(gè)制造商提供。

業(yè)內(nèi)人士稱，三星電子和臺(tái)積電等全球主要芯片制造商正展開激烈的競(jìng)爭(zhēng)，以確保超微制造工藝所需的先進(jìn)設(shè)備比其他競(jìng)爭(zhēng)者更好。

隨著EUV光刻工藝成為全球半導(dǎo)體行業(yè)制造下一代微芯片的關(guān)鍵工具，確保盡快拿到ASML的EUV光刻系統(tǒng)的競(jìng)爭(zhēng)已成為一個(gè)巨大的話題。ASML是世界上唯一提供每臺(tái)價(jià)格超過1.37億美元（1500億韓元）的EUV光刻系統(tǒng)的公司。

但是，除了EUV光刻系統(tǒng)以外，還有其他先進(jìn)的系統(tǒng)，由于缺乏供應(yīng)商而難以購(gòu)買。主要包括基于電子束的寫入器，該寫入器將電路布局打印到EUV掩模上，并且檢查系統(tǒng)可檢查EUV掩模是否可用。

電子束寫入器扮演“畫筆”角色，將集成電路布圖印刷到掩模上，這對(duì)于在光刻過程中將集成電路布圖印刷到晶圓上是絕對(duì)必要的。由日本的NuFlare制造的電子束寫入器目前用于基于ArF的光刻工藝。

但是，NuFlare的電子束編寫器很難在EUV環(huán)境下充分發(fā)揮其潛力。EUV光刻工藝要求在單個(gè)掩模中快速印刷各種精細(xì)的集成電路，而NuFlare的具有單個(gè)E束以印刷掩模圖形的單束方法會(huì)大大降低生產(chǎn)率。

目前，出現(xiàn)了一種基于多光束的新解決方案，該方法在240，000個(gè)密集排列的電子束同時(shí)移動(dòng)時(shí)繪制圖案。據(jù)報(bào)道，該方法的生產(chǎn)率比單束方法快得多，該方法被認(rèn)為非常先進(jìn)。

EUV掩模的高科技檢查系統(tǒng)也吸引了人們的注意力，因?yàn)樗軌驒z查基于復(fù)雜結(jié)構(gòu)的EUV掩模，比目前使用ArF光源的檢查系統(tǒng)更精確，更緊密。這個(gè)新的檢查系統(tǒng)在將掩模引入生產(chǎn)線之前和之后進(jìn)行檢查。業(yè)界將此系統(tǒng)稱為APMI系統(tǒng)。

問題在于，像EUV光刻系統(tǒng)一樣，多光束寫入器和APMI系統(tǒng)也都是由單個(gè)公司制造的。奧地利的IMS和日本的Lasertec是世界上唯一分別提供多光束記錄器和EUV掩模檢測(cè)系統(tǒng)的公司。

據(jù)報(bào)道，他們的年生產(chǎn)能力甚至沒有達(dá)到10個(gè)單位。這種能力遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于ASML的能力，后者每年生產(chǎn)35至40臺(tái)EUV***。

結(jié)果，對(duì)于半導(dǎo)體制造商而言，要為基于EUV的工藝（低于5納米）建立大規(guī)模生產(chǎn)系統(tǒng)，以確保生產(chǎn)率和質(zhì)量，但又很可能無法及時(shí)確保這些系統(tǒng)正常運(yùn)行，成為了一個(gè)困擾它們的難題。

三星電子和臺(tái)積電正在尋求實(shí)施超微制造工藝，因此它們有望成為首家購(gòu)買此類系統(tǒng)的公司，并展開激烈的競(jìng)爭(zhēng)。據(jù)報(bào)道，臺(tái)積電近來一直在積極提高其與基于EUV的5納米工藝相關(guān)的生產(chǎn)能力，在嘗試提前購(gòu)買此類系統(tǒng)方面非常積極。

“最近，ASML的EUV光刻系統(tǒng)的生產(chǎn)能力已經(jīng)優(yōu)于寫入器和APMI系統(tǒng)。” 一位業(yè)內(nèi)專家說。“就像日本政府早就開始投資Lasertec，并在幫助Lasertec開發(fā)下一代半導(dǎo)體設(shè)備中發(fā)揮了重要作用一樣，韓國(guó)政府也必須積極推動(dòng)下一代半導(dǎo)體設(shè)備技術(shù)的發(fā)展?！?/p>

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