日B视频 亚洲,啪啪啪网站一区二区,91色情精品久久,日日噜狠狠色综合久,超碰人妻少妇97在线,999青青视频,亚洲一区二卡,让本一区二区视频,日韩网站推荐

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

南大光電自主研發(fā)的 ArF(193nm)光刻膠成功通過認(rèn)證

工程師鄧生 ? 來源:IT之家 ? 作者:信鴿 ? 2020-12-18 09:29 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

今日南大光電發(fā)布公告稱,其控股子公司 “寧波南大光電”自主研發(fā)的 ArF(193nm)光刻膠產(chǎn)品近日成功通過客戶的使用認(rèn)證。報(bào)告顯示,“本次認(rèn)證選擇客戶 50nm 閃存產(chǎn)品中的控制柵進(jìn)行驗(yàn)證,寧波南大光電的ArF光刻膠產(chǎn)品測試各項(xiàng)性能滿足工藝規(guī)格要求,良率結(jié)果達(dá)標(biāo)。”

“ArF 光刻膠產(chǎn)品開發(fā)和產(chǎn)業(yè)化”是寧波南大光電承接國家 “02 專項(xiàng)”的一個(gè)重點(diǎn)攻關(guān)項(xiàng)目。本次產(chǎn)品的認(rèn)證通過,標(biāo)志著 “ArF 光刻膠產(chǎn)品開發(fā)和產(chǎn)業(yè)化”項(xiàng)目取得了關(guān)鍵性的突破,成為國內(nèi)通過產(chǎn)品驗(yàn)證的第一只國產(chǎn) ArF 光刻膠。

據(jù)IT之家了解,光刻膠是半導(dǎo)體芯片制造過程中的核心材料之一 ,經(jīng)過紫外光、電子束等照射,光刻膠得到曝光,化學(xué)性質(zhì)發(fā)生改變,經(jīng)過顯影液的洗滌,圖案會(huì)留在襯底上。光刻膠分為 KrF(248nm)、ArF(193nm)和 EUV(13.5nm)幾種,括號(hào)中的數(shù)值為曝光光源的波長。

責(zé)任編輯:PSY

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 半導(dǎo)體
    +關(guān)注

    關(guān)注

    339

    文章

    31284

    瀏覽量

    266826
  • 光刻膠
    +關(guān)注

    關(guān)注

    10

    文章

    357

    瀏覽量

    31874
  • 南大光電
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    20

    瀏覽量

    5138
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    中國打造自己的EUV光刻膠標(biāo)準(zhǔn)!

    其他工藝器件的參與才能保障芯片的高良率。 ? 以光刻膠為例,這是決定芯片 圖案能否被精準(zhǔn) 刻下來的“感光神經(jīng)膜”。并且隨著芯片步入 7nm及以下先進(jìn)制程芯片 時(shí)代,不僅需要EUV光刻機(jī),更需要EUV
    的頭像 發(fā)表于 10-28 08:53 ?7138次閱讀

    臺(tái)階儀在集成電路制造中的應(yīng)用:高端光刻膠材料純化研究進(jìn)展

    隨著集成電路制程節(jié)點(diǎn)不斷向納米尺度邁進(jìn),光刻技術(shù)已從紫外全譜(g線、i線)發(fā)展到深紫外(KrF、ArF)乃至極紫外(EUV)光源。光刻膠作為光刻工藝的核心材料,其純度直接影響
    的頭像 發(fā)表于 03-20 18:05 ?177次閱讀
    臺(tái)階儀在集成電路制造中的應(yīng)用:高端<b class='flag-5'>光刻膠</b>材料純化研究進(jìn)展

    光刻膠涂層如何實(shí)現(xiàn)納米級(jí)均勻性?橢偏儀的工藝控制與缺陷分析

    光刻膠(亦稱光致抗蝕劑)是集成電路制造中的關(guān)鍵材料,其純度直接決定光刻圖形的質(zhì)量與芯片良率。隨著光刻技術(shù)向極紫外(EUV,13.5?nm)工藝節(jié)點(diǎn)演進(jìn),
    的頭像 發(fā)表于 02-09 18:01 ?555次閱讀
    <b class='flag-5'>光刻膠</b>涂層如何實(shí)現(xiàn)納米級(jí)均勻性?橢偏儀的工藝控制與缺陷分析

    國產(chǎn)光刻膠重磅突破:攻克5nm芯片制造關(guān)鍵難題

    分布與纏結(jié)行為,成功研發(fā)出可顯著減少光刻缺陷的產(chǎn)業(yè)化方案。相關(guān)研究成果已刊發(fā)于國際頂級(jí)期刊《自然·通訊》,標(biāo)志著我國在光刻膠關(guān)鍵材料領(lǐng)域取得實(shí)質(zhì)性突破。 ? 此次成果對(duì)國產(chǎn)芯片制造而言
    的頭像 發(fā)表于 10-27 09:13 ?7334次閱讀
    國產(chǎn)<b class='flag-5'>光刻膠</b>重磅突破:攻克5<b class='flag-5'>nm</b>芯片制造關(guān)鍵難題

    光刻膠剝離工藝

    光刻膠剝離工藝是半導(dǎo)體制造和微納加工中的關(guān)鍵步驟,其核心目標(biāo)是高效、精準(zhǔn)地去除光刻膠而不損傷基底材料或已形成的結(jié)構(gòu)。以下是該工藝的主要類型及實(shí)施要點(diǎn):濕法剝離技術(shù)有機(jī)溶劑溶解法原理:使用丙酮、NMP
    的頭像 發(fā)表于 09-17 11:01 ?2515次閱讀
    <b class='flag-5'>光刻膠</b>剝離工藝

    光刻膠旋涂的重要性及厚度監(jiān)測方法

    在芯片制造領(lǐng)域的光刻工藝中,光刻膠旋涂是不可或缺的基石環(huán)節(jié),而保障光刻膠旋涂的厚度是電路圖案精度的前提。優(yōu)可測薄膜厚度測量儀AF系列憑借高精度、高速度的特點(diǎn),為光刻膠厚度監(jiān)測提供了可靠
    的頭像 發(fā)表于 08-22 17:52 ?2045次閱讀
    <b class='flag-5'>光刻膠</b>旋涂的重要性及厚度監(jiān)測方法

    國產(chǎn)百噸級(jí)KrF光刻膠樹脂產(chǎn)線正式投產(chǎn)

    ? 電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 近日,八億時(shí)空宣布其KrF光刻膠萬噸級(jí)半導(dǎo)體制程高自動(dòng)化研發(fā)/量產(chǎn)雙產(chǎn)線順利建成,標(biāo)志著我國在中高端光刻膠領(lǐng)域的自主化進(jìn)程邁出關(guān)鍵一步。 ? 此次建成的KrF
    的頭像 發(fā)表于 08-10 03:26 ?1w次閱讀

    國產(chǎn)光刻膠突圍,日企壟斷終松動(dòng)

    量產(chǎn)到ArF浸沒式驗(yàn)證,從樹脂國產(chǎn)化到EUV原料突破,一場靜默卻浩蕩的技術(shù)突圍戰(zhàn)已進(jìn)入深水區(qū)。 ? 例如在248nm波長的KrF光刻膠
    的頭像 發(fā)表于 07-13 07:22 ?7597次閱讀

    行業(yè)案例|膜厚儀應(yīng)用測量之光刻膠厚度測量

    光刻膠,又稱光致抗蝕劑,是一種關(guān)鍵的耐蝕劑刻薄膜材料。它在紫外光、電子束、離子束、X 射線等的照射或輻射下,溶解度會(huì)發(fā)生變化,主要應(yīng)用于顯示面板、集成電路和半導(dǎo)體分立器件等細(xì)微圖形加工作業(yè)。由于
    的頭像 發(fā)表于 07-11 15:53 ?733次閱讀
    行業(yè)案例|膜厚儀應(yīng)用測量之<b class='flag-5'>光刻膠</b>厚度測量

    針對(duì)晶圓上芯片工藝的光刻膠剝離方法及白光干涉儀在光刻圖形的測量

    干涉儀在光刻圖形測量中的應(yīng)用。 針對(duì)晶圓上芯片工藝的光刻膠剝離方法 濕法剝離 濕法剝離是晶圓芯片工藝中常用的光刻膠去除方式。通過將涂覆光刻膠
    的頭像 發(fā)表于 06-25 10:19 ?1325次閱讀
    針對(duì)晶圓上芯片工藝的<b class='flag-5'>光刻膠</b>剝離方法及白光干涉儀在<b class='flag-5'>光刻</b>圖形的測量

    用于 ARRAY 制程工藝的低銅腐蝕光刻膠剝離液及白光干涉儀在光刻圖形的測量

    引言 在顯示面板制造的 ARRAY 制程工藝中,光刻膠剝離是關(guān)鍵環(huán)節(jié)。銅布線在制程中廣泛應(yīng)用,但傳統(tǒng)光刻膠剝離液易對(duì)銅產(chǎn)生腐蝕,影響器件性能。同時(shí),光刻圖形的精準(zhǔn)測量對(duì)確保 ARRAY 制程工藝精度
    的頭像 發(fā)表于 06-18 09:56 ?1096次閱讀
    用于 ARRAY 制程工藝的低銅腐蝕<b class='flag-5'>光刻膠</b>剝離液及白光干涉儀在<b class='flag-5'>光刻</b>圖形的測量

    低含量 NMF 光刻膠剝離液和制備方法及白光干涉儀在光刻圖形的測量

    引言 在半導(dǎo)體制造過程中,光刻膠剝離液是不可或缺的材料。N - 甲基 - 2 - 吡咯烷酮(NMF)雖在光刻膠剝離方面表現(xiàn)出色,但因其高含量使用帶來的成本、環(huán)保等問題備受關(guān)注。同時(shí),光刻圖形的精準(zhǔn)
    的頭像 發(fā)表于 06-17 10:01 ?974次閱讀
    低含量 NMF <b class='flag-5'>光刻膠</b>剝離液和制備方法及白光干涉儀在<b class='flag-5'>光刻</b>圖形的測量

    減少光刻膠剝離工藝對(duì)器件性能影響的方法及白光干涉儀在光刻圖形的測量

    ? ? 引言 ? 在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,光刻膠剝離工藝是關(guān)鍵環(huán)節(jié),但其可能對(duì)器件性能產(chǎn)生負(fù)面影響。同時(shí),光刻圖形的精確測量對(duì)于保證芯片制造質(zhì)量至關(guān)重要。本文將探討減少光刻膠剝離工藝影響的方法,并介紹白光
    的頭像 發(fā)表于 06-14 09:42 ?1087次閱讀
    減少<b class='flag-5'>光刻膠</b>剝離工藝對(duì)器件性能影響的方法及白光干涉儀在<b class='flag-5'>光刻</b>圖形的測量

    光刻膠產(chǎn)業(yè)國內(nèi)發(fā)展現(xiàn)狀

    ,是指通過紫外光、深紫外光、電子束、離子束、X射線等光照或輻射,溶解度會(huì)發(fā)生變化的耐蝕刻薄膜材料,是光刻工藝中的關(guān)鍵材料。 從芯片生產(chǎn)的工藝流程上來說,光刻膠的應(yīng)用處于芯片設(shè)計(jì)、制造、封測當(dāng)中的制造環(huán)節(jié),是芯片制造過程里
    的頭像 發(fā)表于 06-04 13:22 ?1863次閱讀

    光刻膠剝離液及其制備方法及白光干涉儀在光刻圖形的測量

    引言 在半導(dǎo)體制造與微納加工領(lǐng)域,光刻膠剝離液是光刻膠剝離環(huán)節(jié)的核心材料,其性能優(yōu)劣直接影響光刻膠去除效果與基片質(zhì)量。同時(shí),精準(zhǔn)測量光刻圖形對(duì)把控工藝質(zhì)量意義重大,白光干涉儀為此提供了
    的頭像 發(fā)表于 05-29 09:38 ?1565次閱讀
    <b class='flag-5'>光刻膠</b>剝離液及其制備方法及白光干涉儀在<b class='flag-5'>光刻</b>圖形的測量
    永寿县| 巩义市| 威宁| 陵川县| 精河县| 云浮市| 余姚市| 乐昌市| 宝山区| 柯坪县| 治县。| 宁国市| 鄂尔多斯市| 望城县| 谢通门县| 响水县| 浏阳市| 鄯善县| 治多县| 广汉市| 资溪县| 久治县| 高台县| 阳山县| 钟祥市| 彭泽县| 华宁县| 阳谷县| 曲沃县| 犍为县| 灵武市| 兴安盟| 湖口县| 济源市| 精河县| 会理县| 保康县| 勃利县| 衢州市| 思南县| 永吉县|