Kioxia（鎧俠）和西部數(shù)據(jù)宣布，雙方合作開發(fā)了第六代162層3D閃存技術(shù)。這是兩家企業(yè)建立20年合作關(guān)系的又一里程碑，也是兩家公司迄今密度最高、最先進(jìn)的3D NAND技術(shù)。

Kioxia首席技術(shù)官Masaki Momodomi表示：

“通過我們長達(dá)20年可靠的合作關(guān)系，Kioxia和西部數(shù)據(jù)成功地在制造和研發(fā)方面創(chuàng)造了無與倫比的能力?？偟膩碚f，我們生產(chǎn)世界上30％以上的閃存，并提供了令人信服的價格以及出色的容量，性能和可靠性。我們每個人都在個人電子產(chǎn)品到數(shù)據(jù)中心的一些列以數(shù)據(jù)為中心應(yīng)用中，以及由5G網(wǎng)絡(luò)、人工智能和自主系統(tǒng)促成的新興應(yīng)用中提供這一價值主張?！?/p>

這款第六代3D閃存采用了超越傳統(tǒng)的先進(jìn)架構(gòu)，與第五代技術(shù)相比，橫向單元陣列密度提高了10%。這種橫向擴(kuò)展的進(jìn)步，結(jié)合162層堆疊式垂直存儲器，與112層堆疊技術(shù)相比，可將芯片尺寸縮小40%，從而優(yōu)化了成本。Kioxia和西部數(shù)據(jù)的團(tuán)隊還采用了陣列CMOS電路布局和四路同時操作，與上一代產(chǎn)品相比，這兩種技術(shù)的應(yīng)用使性能提高了近2.4倍，讀取延遲上提高了10％。I/O性能也提高了66％，從而使下一代接口能夠支持更快的傳輸速率，滿足不斷增長的性能需求。

總體而言，與上一代產(chǎn)品相比，新的3D NAND降低了每單位的成本，并使每個晶圓的存儲數(shù)量增加了70％。Kioxia和西部數(shù)據(jù)繼續(xù)推動創(chuàng)新，以確保不斷擴(kuò)大規(guī)模，滿足客戶及其多樣化應(yīng)用的需求。
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