日B视频 亚洲,啪啪啪网站一区二区,91色情精品久久,日日噜狠狠色综合久,超碰人妻少妇97在线,999青青视频,亚洲一区二卡,让本一区二区视频,日韩网站推荐

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫(xiě)文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

Intel主力10nm產(chǎn)能將超過(guò)14nm工藝

lhl545545 ? 來(lái)源:快科技 ? 作者:憲瑞 ? 2020-12-21 09:07 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

最快明年1月份,Intel就要發(fā)布代號(hào)Rocket Lake-S的11代酷睿桌面版了,這次真的是最后一代14nm工藝了,明年Intel主力就會(huì)轉(zhuǎn)向10nm,產(chǎn)能也會(huì)歷史性超過(guò)14nm工藝,成為第一大主力。

如果從2014年的Broadwell算起,Intel的14nm工藝問(wèn)世已經(jīng)6年了,這幾乎是Intel工藝中最長(zhǎng)壽的一代了,這么多年來(lái)都是偏愛(ài)有加,這不是沒(méi)有原因的。

根據(jù)Intel技術(shù)開(kāi)發(fā)高級(jí)副總、總經(jīng)理Ann B. Kelleher的說(shuō)法,14nm工藝具備最好的性能和產(chǎn)能,比她在Intel公司工作了24年見(jiàn)過(guò)的所有工藝都要好。

目前14nm產(chǎn)能依然滿載,Intel四座晶圓廠——分別位于愛(ài)爾蘭、以色列、亞利桑那及俄勒岡州的工廠都已經(jīng)滿載生產(chǎn)。

接下來(lái)是10nm工藝,她表示2021年10nm工藝產(chǎn)能將超過(guò)14nm,Intel還在不斷提升10nm產(chǎn)能,不過(guò)Ice Lake用的10nm工藝壽命周期只有14nm的四分之一左右。

Intel現(xiàn)在的重點(diǎn)轉(zhuǎn)向了10nm SF工藝,也就是現(xiàn)在的二代10nm工藝,SuperFin晶體管對(duì)工藝性能提升很大。

至于未來(lái)的7nm及5nm工藝,Intel明年初會(huì)公布7nm進(jìn)度,目前還在俄勒岡州、愛(ài)爾蘭的晶圓廠準(zhǔn)備廠房空間,以便為7/5nm工藝的量產(chǎn)做準(zhǔn)備。

當(dāng)然,現(xiàn)在是沒(méi)有、也不會(huì)公布具體的進(jìn)度表的,一切要等明年的信息再說(shuō)。
責(zé)任編輯:pj

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • intel
    +關(guān)注

    關(guān)注

    19

    文章

    3511

    瀏覽量

    191680
  • 晶體管
    +關(guān)注

    關(guān)注

    78

    文章

    10443

    瀏覽量

    148707
  • 酷睿
    +關(guān)注

    關(guān)注

    2

    文章

    445

    瀏覽量

    37247
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    大突破!三星產(chǎn)出10nm以下DRAM

    電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/李彎彎)近日消息,三星電子已經(jīng)成功產(chǎn)出全球首個(gè)10納米以下制程的DRAM工程裸晶(Working Die)。這一里程碑式的成果,標(biāo)志著DRAM制造工藝首次正式邁入個(gè)位數(shù)納米時(shí)代
    的頭像 發(fā)表于 04-28 09:10 ?1976次閱讀
    大突破!三星產(chǎn)出<b class='flag-5'>10nm</b>以下DRAM

    芯片制造中的硅片表面細(xì)拋光與最終拋光加工工藝介紹

    硅片表面細(xì)拋光作為實(shí)現(xiàn)超精密加工的關(guān)鍵工序,其核心在于通過(guò)精準(zhǔn)調(diào)控拋光布材質(zhì)、拋光液成分及工藝參數(shù),在5-8μm的加工量范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)局部平整度≤10nm、表面粗糙度≤0.2nm的極致控制,同時(shí)進(jìn)一步降低金屬離子污染。
    的頭像 發(fā)表于 04-01 16:17 ?258次閱讀
    芯片制造中的硅片表面細(xì)拋光與最終拋光加工<b class='flag-5'>工藝</b>介紹

    芯片制造中硅片的表面拋光加工工藝介紹

    硅片表面拋光作為半導(dǎo)體制造中實(shí)現(xiàn)超光滑、無(wú)損傷表面的核心工藝,其核心目標(biāo)在于通過(guò)系統(tǒng)性化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)去除前道工序殘留的微缺陷、應(yīng)力損傷層及金屬離子污染,最終獲得滿足先進(jìn)IC器件要求的局部平整度≤10nm、表面粗糙度≤0.2nm
    的頭像 發(fā)表于 03-30 10:28 ?1923次閱讀
    芯片制造中硅片的表面拋光加工<b class='flag-5'>工藝</b>介紹

    【微納談芯】芯片測(cè)試越來(lái)越難的背后

    芯片測(cè)試的本質(zhì)是“在原子級(jí)精度下,驗(yàn)證每一個(gè)晶體管的可靠性”。早年28nm及以上成熟制程,測(cè)試核心是“篩選壞片”,流程相對(duì)簡(jiǎn)單;但隨著制程進(jìn)入14nm及以下,尤其是3nm、2nm節(jié)點(diǎn),
    的頭像 發(fā)表于 03-20 10:05 ?323次閱讀
    【微納談芯】芯片測(cè)試越來(lái)越難的背后

    旋極星源基于22nm工藝完成關(guān)鍵IP發(fā)布與驗(yàn)證

    隨著物聯(lián)網(wǎng)、移動(dòng)通信、人工智能及汽車電子等應(yīng)用的快速發(fā)展,市場(chǎng)對(duì)芯片在算力、能效、集成度與成本等方面提出了更為嚴(yán)格的要求。22nm工藝節(jié)點(diǎn)憑借其在性能、功耗及成本之間的卓越平衡,已成為眾多中高端芯片
    的頭像 發(fā)表于 01-30 16:15 ?455次閱讀
    旋極星源基于22<b class='flag-5'>nm</b><b class='flag-5'>工藝</b>完成關(guān)鍵IP發(fā)布與驗(yàn)證

    脈銳光電980nm波段ASE寬帶光源產(chǎn)品介紹

    脈銳光電的980nm ASE寬帶光源基于稀土摻雜光纖的自發(fā)輻射放大機(jī)制,在980nm中心波長(zhǎng)處實(shí)現(xiàn)光譜寬度約10nm、輸出功率達(dá)10mW的穩(wěn)定輸出。該光源兼具較高功率、優(yōu)異的光譜平滑度
    的頭像 發(fā)表于 01-20 14:27 ?510次閱讀
    脈銳光電980<b class='flag-5'>nm</b>波段ASE寬帶光源產(chǎn)品介紹

    1.4nm制程工藝!臺(tái)積電公布量產(chǎn)時(shí)間表

    供應(yīng)一度面臨緊張局面。為應(yīng)對(duì)市場(chǎng)激增的訂單,臺(tái)積電已啟動(dòng)新建三座工廠的擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃,旨在進(jìn)一步提升產(chǎn)能,保障客戶供應(yīng)鏈的穩(wěn)定交付。 ? 與此同時(shí),臺(tái)積電在更尖端的1.4nm工藝研發(fā)上同樣進(jìn)展迅猛。公司正全力加速推進(jìn)1.4
    的頭像 發(fā)表于 01-06 08:45 ?7330次閱讀

    0.2nm工藝節(jié)點(diǎn)的背后需要“背面供電”支撐

    實(shí)現(xiàn)0.2nm工藝節(jié)點(diǎn)。 ? 而隨著芯片工藝節(jié)點(diǎn)的推進(jìn),芯片供電面臨越來(lái)越多問(wèn)題,所以近年英特爾、臺(tái)積電、三星等廠商相繼推出背面供電技術(shù),旨在解決工藝節(jié)點(diǎn)不斷推進(jìn)下,芯片面臨的供電困境
    的頭像 發(fā)表于 01-03 05:58 ?1.3w次閱讀

    國(guó)產(chǎn)芯片真的 “穩(wěn)” 了?這家企業(yè)的 14nm 制程,已經(jīng)悄悄滲透到這些行業(yè)…

    的控制芯片,甚至工業(yè)設(shè)備的傳感器,都能看到它的身影。 之前總擔(dān)心國(guó)產(chǎn)芯片 “產(chǎn)能跟不上、良率不夠高”,但查了下中芯國(guó)際的最新動(dòng)態(tài):2025 年 Q3 的 14nm 產(chǎn)能已經(jīng)提升了 20%,良率穩(wěn)定
    發(fā)表于 11-25 21:03

    AI智能眼鏡安卓主板定制_AI眼鏡/智能穿戴設(shè)備PCBA整機(jī)方案

    現(xiàn)代AI智能眼鏡的技術(shù)發(fā)展,得益于先進(jìn)芯片工藝的推動(dòng)。以聯(lián)發(fā)科12nm制程工藝為例,相較于傳統(tǒng)的14nm制程,其在功耗控制上表現(xiàn)卓越,最高可節(jié)省15%的電量。這一改進(jìn)對(duì)于AI智能眼鏡這
    的頭像 發(fā)表于 09-18 20:03 ?1047次閱讀
    AI智能眼鏡安卓主板定制_AI眼鏡/智能穿戴設(shè)備PCBA整機(jī)方案

    【「AI芯片:科技探索與AGI愿景」閱讀體驗(yàn)】+工藝創(chuàng)新將繼續(xù)維持著摩爾神話

    還放置一層不到10nm的絕緣膜,以防止缺陷的出現(xiàn)。比利時(shí)微電子研究中心曾預(yù)計(jì)叉形片將在2028年得到采用,當(dāng)然也可能會(huì)直接跳躍到CFET技術(shù)。 CFET是先在叉形片上將NFET和PFET的兩個(gè)晶體管按
    發(fā)表于 09-06 10:37

    10CX150YF672E5G現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列(FPGA)芯片

    10CX150YF672E5G 是Intel(原 Altera)推出的 Cyclone? 10 GX 系列高性能、低功耗 FPGA 芯片,選用 20nm
    發(fā)表于 08-21 09:15

    芯動(dòng)科技獨(dú)家推出28nm/22nm LPDDR5/4 IP

    面對(duì)近來(lái)全球大廠陸續(xù)停產(chǎn)LPDDR4/4X以及DDR4內(nèi)存顆粒所帶來(lái)的巨大供應(yīng)短缺,芯動(dòng)科技憑借行業(yè)首屈一指的內(nèi)存接口開(kāi)發(fā)能力,服務(wù)客戶痛點(diǎn),率先在全球多個(gè)主流28nm和22nm工藝節(jié)點(diǎn)上,系統(tǒng)布局
    的頭像 發(fā)表于 07-08 14:41 ?1625次閱讀

    三星代工大變革:2nm全力沖刺,1.4nm量產(chǎn)延遲至2029年

    在全球半導(dǎo)體代工領(lǐng)域的激烈競(jìng)爭(zhēng)中,三星電子的戰(zhàn)略動(dòng)向一直備受矚目。近期,有消息傳出,三星代工業(yè)務(wù)在制程技術(shù)推進(jìn)方面做出重大調(diào)整,原本計(jì)劃于2027年量產(chǎn)的1.4nm制程工藝,將推遲至2029年。而在
    的頭像 發(fā)表于 07-03 15:56 ?1039次閱讀

    臺(tái)積電2nm良率超 90%!蘋果等巨頭搶單

    當(dāng)行業(yè)還在熱議3nm工藝量產(chǎn)進(jìn)展時(shí),臺(tái)積電已經(jīng)悄悄把2nm技術(shù)推到了關(guān)鍵門檻!據(jù)《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》報(bào)道,臺(tái)積電2nm芯片良品率已突破 90%,實(shí)現(xiàn)重大技術(shù)飛躍!
    的頭像 發(fā)表于 06-04 15:20 ?1654次閱讀
    岑溪市| 博白县| 保德县| 吉林省| 温泉县| 招远市| 福贡县| 凤冈县| 乌拉特前旗| 建德市| 海门市| 中阳县| 托克逊县| 泊头市| 泾川县| 西林县| 新源县| 江永县| 平泉县| 中阳县| 天津市| 大邑县| 定安县| 鄂伦春自治旗| 普格县| 长白| 东光县| 离岛区| 永胜县| 泸溪县| 新巴尔虎右旗| 上犹县| 济南市| 临泽县| 兖州市| 西宁市| 湾仔区| 梓潼县| 防城港市| 河北区| 三亚市|