2020年12月初，美國國會(huì)通過了2021財(cái)年《國防授權(quán)法案》，其中包括微電子學(xué)研發(fā)和生產(chǎn)以及人工智能等方面的跨部門行動(dòng)條款。在微電子學(xué)方面包含有：建立一個(gè)美國國家半導(dǎo)體技術(shù)中心，以支持公私研發(fā)項(xiàng)目；財(cái)政資助跨國項(xiàng)目，以發(fā)展“安全可衡量”的微電子學(xué)并建立聯(lián)合供應(yīng)鏈；創(chuàng)建商務(wù)部項(xiàng)目，為“美國用于半導(dǎo)體制造、組裝、測試、先進(jìn)封裝或研發(fā)的設(shè)施和設(shè)備”提供聯(lián)邦財(cái)政補(bǔ)貼。對(duì)于國會(huì)應(yīng)為整個(gè)微電子學(xué)相關(guān)計(jì)劃或其組成單元提供多少資金，此次立法并沒有提出具體建議。

美國2021財(cái)年《國防授權(quán)法案》中有關(guān)半導(dǎo)體發(fā)展激勵(lì)措施的主要部分如下：

制定有益于半導(dǎo)體發(fā)展的激勵(lì)措施

1.半導(dǎo)體領(lǐng)域的激勵(lì)措施

商務(wù)部應(yīng)該創(chuàng)建財(cái)政補(bǔ)貼項(xiàng)目，為半導(dǎo)體領(lǐng)域的實(shí)體提供聯(lián)邦資助，以鼓勵(lì)它們?cè)诿绹顿Y用于半導(dǎo)體制造、組裝、測試、先進(jìn)封裝或研發(fā)的設(shè)備和設(shè)施，每個(gè)補(bǔ)貼項(xiàng)目不應(yīng)超過30億美元，在特殊情況下可申請(qǐng)更高補(bǔ)貼。實(shí)現(xiàn)該項(xiàng)目計(jì)劃，需要聯(lián)邦相關(guān)政府部門間的協(xié)調(diào)以及的美國政府問責(zé)局的審查。

2.國防部關(guān)于微電子學(xué)的舉措

（1）建立公私合作聯(lián)盟等組織模式

美國國防部應(yīng)聯(lián)合商務(wù)部、能源部、國土安全部和國家情報(bào)局建立公私合作伙伴關(guān)系，鼓勵(lì)建立一個(gè)或多個(gè)公司聯(lián)盟或者其他類似的公私合作關(guān)系，以確保安全可測量的微電子學(xué)產(chǎn)品的開發(fā)和生產(chǎn)，包括集成電路、邏輯器件、存儲(chǔ)器，以及涉及國家安全應(yīng)用的此類微電子組件的封測。該部分激勵(lì)措施可能包涵商務(wù)部補(bǔ)貼的使用，針對(duì)美國具備商業(yè)競爭和可持續(xù)的微電子制造和先進(jìn)研發(fā)設(shè)施的建立、擴(kuò)張以及現(xiàn)代化，也會(huì)提供相關(guān)激勵(lì)措施。

（2）建立微電子學(xué)國家研發(fā)網(wǎng)絡(luò)

美國國防部可以建立一個(gè)微電子學(xué)國家研發(fā)網(wǎng)絡(luò)，一方面實(shí)現(xiàn)美國微電子學(xué)創(chuàng)新環(huán)節(jié)中實(shí)驗(yàn)室到制造的過渡；另一方面增強(qiáng)美國在微電子學(xué)領(lǐng)域的全球領(lǐng)導(dǎo)地位。

3.審查微電子學(xué)技術(shù)在美國工業(yè)基地中的地位

本法案頒布后，商務(wù)部長應(yīng)在180天內(nèi)與國防部長、國土安全部長、能源部長等協(xié)商進(jìn)行審查，評(píng)估美國工業(yè)基地對(duì)國防的支持能力，尤其要考慮供應(yīng)鏈的全球性、以及美國工業(yè)基地與外國工業(yè)基地之間在微電子學(xué)制造、設(shè)計(jì)和終端使用方面的重要依賴關(guān)系。

4.資助安全可衡量的半導(dǎo)體及其供應(yīng)鏈的開發(fā)和采用

財(cái)政部被授權(quán)設(shè)立“多邊半導(dǎo)體安全基金”，包含為達(dá)此目的任何撥款資金，以發(fā)展安全可衡量的半導(dǎo)體及其供應(yīng)鏈。財(cái)政部聯(lián)合相關(guān)政府部門有權(quán)與合作政府建立共同資助機(jī)制來合理使用該基金，包括跨國研發(fā)合作。美國通過跨國基金項(xiàng)目，來確?？尚磐鈬献骰锇榈呢暙I(xiàn)和承若，包括成本共享和其它發(fā)展安全可衡量的半導(dǎo)體及其供應(yīng)鏈的合作措施。

5.先進(jìn)微電子學(xué)研發(fā)方面

1）設(shè)立微電子學(xué)小組委員會(huì)

美國總統(tǒng)應(yīng)就美國在微電子技術(shù)和創(chuàng)新方面的領(lǐng)導(dǎo)力和競爭力問題，設(shè)立國家科學(xué)技術(shù)委員會(huì)下屬小組委員會(huì)。該小組委員會(huì)成員包括國防部長、能源部長、國家科學(xué)基金會(huì)主任、商務(wù)部長、國務(wù)秘書、國土安全部長、美國貿(mào)易代表、國家情報(bào)局局長、以及總統(tǒng)認(rèn)為合適的其他聯(lián)邦部門或機(jī)構(gòu)的負(fù)責(zé)人。該小組委員會(huì)的職責(zé)包括制定微電子學(xué)國家戰(zhàn)略、促進(jìn)研發(fā)協(xié)調(diào)。法案發(fā)布后，總統(tǒng)需一年內(nèi)向國會(huì)提交微電子學(xué)國家戰(zhàn)略制定進(jìn)展；委員會(huì)五年后需更新該戰(zhàn)略；十年后將終止該小組委員會(huì)。

2）設(shè)立微電子學(xué)咨詢委員會(huì)

商務(wù)部長應(yīng)與國防部長、能源部長和國土安全部長協(xié)商，設(shè)立一個(gè)咨詢委員會(huì)。該咨詢委員會(huì)應(yīng)由來自工業(yè)界、聯(lián)邦實(shí)驗(yàn)室、學(xué)術(shù)機(jī)構(gòu)的代表組成。咨詢委員成員數(shù)量不少于12名，他們有權(quán)就美國政府關(guān)于微電子學(xué)研發(fā)、制造和政策事宜向美國政府提供建議。

3）建立國家半導(dǎo)體技術(shù)中心

商務(wù)部與國防部合作建立國家半導(dǎo)體技術(shù)中心，以進(jìn)行先進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)的研究和原型設(shè)計(jì)，進(jìn)而確保美國本土供應(yīng)鏈的安全和增強(qiáng)美國的經(jīng)濟(jì)競爭力。該中心將以公私合作聯(lián)盟的形式運(yùn)行，合作伙伴將來自私營部門、能源部和國家科學(xué)基金會(huì)。

4）啟動(dòng)國家先進(jìn)封裝制造項(xiàng)目

商務(wù)部長應(yīng)啟動(dòng)國家先進(jìn)封裝制造項(xiàng)目，該項(xiàng)目由美國NIST領(lǐng)導(dǎo)。通過該項(xiàng)目，NIST將聯(lián)合國家半導(dǎo)體技術(shù)中心加強(qiáng)美國國內(nèi)生態(tài)的半導(dǎo)體先進(jìn)測試、組裝、封裝能力，同時(shí)聯(lián)合可能成立的美國國家制造業(yè)研究所促進(jìn)美國先進(jìn)封裝。

5）NIST開展微電子學(xué)研究

美國NIST應(yīng)開展微電子學(xué)研究項(xiàng)目，在測量科學(xué)、標(biāo)準(zhǔn)、材料性能、儀器、測試和制造能力方面取得突破進(jìn)展，以加快下一代微電子學(xué)計(jì)量的基礎(chǔ)研發(fā)，同時(shí)確保美國在該領(lǐng)域的國際競爭力和領(lǐng)導(dǎo)力。

6）建立半導(dǎo)體國家制造業(yè)研究所

美國NIST可以建立致力于半導(dǎo)體制造的美國國家制造業(yè)研究所，以支持半導(dǎo)體設(shè)施維修虛擬化和自動(dòng)化的研究；開發(fā)新的先進(jìn)測試、組裝和封裝能力；培養(yǎng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)勞動(dòng)力。

7）制定半導(dǎo)體本土生產(chǎn)政策

半導(dǎo)體激勵(lì)措施的執(zhí)行機(jī)構(gòu)需制定相關(guān)政策，要求半導(dǎo)體生產(chǎn)的本土化，同時(shí)確保微電子研發(fā)成果的知識(shí)產(chǎn)權(quán)不受競爭對(duì)手的損害。

原文標(biāo)題：【政策規(guī)劃】美國國會(huì)準(zhǔn)備建立微電子學(xué)計(jì)劃

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