1 ODN鏈路下行衰耗普遍異常

GPON網(wǎng)絡(luò)的下/上行分別采用1490nm/1310nm波長,ODN(光分配網(wǎng))中采用的主要是G．652D和G．657A2光纖,這兩種光纖在1490nm/1310nm波長的衰耗分別為0．23dB/km和0．36dB/km,如圖1所示。所以,通常情況下,ODN鏈路的下行衰耗應(yīng)比上行衰耗低約0．13dB/km。

圖1 接入光纜中的光纖衰耗指標(biāo)

但老丁頭在對某城域網(wǎng)ODN鏈路下/上行衰耗進(jìn)行分析時發(fā)現(xiàn),在用的ODN鏈路下行衰耗居然100%超過了上行衰耗,平均每條鏈路高出約0．53dB/km,即下行損耗超出正常值約:0．53 + 0．13 = 0．66(dB/km),部分鏈路的衰耗情況見下表。

2 ODN鏈路衰耗對長波長更敏感

用OTDR的1550nm/1310nm波長(因所使用的ODTR沒有1490nm波長,故使用1550nm波長代替)分別對光纖鏈路進(jìn)行測試發(fā)現(xiàn),在光纜接頭處1550nm波長的衰耗明顯較1310nm波長大,如圖2所示。

圖2 接入光纜的背向散射曲線示例1

在包含多個接頭的光纜段落,幾乎所有的接頭衰耗都表現(xiàn)出了同樣的現(xiàn)象,如圖3所示。

圖3 接入光纜的背向散射曲線示例2

既有ODN鏈路的衰耗表現(xiàn)出明顯的波長敏感性,即:長波長的衰耗較大。

3 衰耗異常點(diǎn)的光纖彎曲半徑明顯不足

光纜接頭處什么因素會導(dǎo)致光纜接頭的衰耗受長波長影響呢?我們知道,光纖的宏彎損耗是對長波長敏感的,會不會是光纖的彎曲半徑不足導(dǎo)致的呢。先看看光纜接頭內(nèi)光纖的盤繞情況吧,如圖4所示。

圖4 光纜接頭處纖芯的盤留情況

根據(jù)通信線路工程施工及驗(yàn)收規(guī)范要求,G．652光纖的盤留半徑應(yīng)不小于30mm,但該接頭處光纖的盤留半徑估計只有15mm左右(圖中箭頭處)。

再看看其它盤纖處光纖的彎曲半徑,光纜分纖箱成端處如圖5所示。

圖5 分纖箱成端處光纖的彎曲情況

光纜交接箱直熔盤及熔配一體化模塊內(nèi)光纖的彎曲情況,如圖6所示。

圖6光纜交接箱內(nèi)光纖的彎曲情況

在整個ODN鏈路中,凡涉及到盤纖的地方,都普遍存在明顯的光纖彎曲半徑不符合規(guī)范要求的情況。主要是因?yàn)槭┕み^程中較難對光纖的余長進(jìn)行控制,光纖的余長在盤纖盒盤繞幾個符合標(biāo)準(zhǔn)的圈后,必然剩下部分長度只能盤小圈。

4 G．652D光纖在小彎曲半徑時的附加損耗測試

光纖的彎曲半徑不足規(guī)范值時,在不同波長處的附加損耗有多大區(qū)別呢?我們將G．652D光纖盤繞到不同半徑的圓柱體上,具體測試下,測試現(xiàn)場如圖7。

圖7 G．652D光纖在不同彎曲半徑時的附加損耗測試

選取直徑為40mm、30mm和20mm的圓柱體,將光纖分別盤繞10、20、40圈的附加損耗測試結(jié)果如下表。

從上表可以看出,當(dāng)G．652D光纖的曲率半徑小于15mm時,長波長處的附加損耗更加明顯,彎曲半徑越小、盤繞圈數(shù)越多、附加損耗越大。

4 結(jié)論和建議

由于光纖宏彎損耗對長波長更敏感,所以,當(dāng)ODN下行鏈路衰耗明顯超過正常值時,一般是由于光纖的彎曲半徑不符合規(guī)范要求導(dǎo)致的。隨著xG-PON的應(yīng)用,ODN的下行將使用波長更長的1577nm波長,光纖的宏彎損耗將更大,光纖的彎曲半徑不足將可能制約xG-PON的應(yīng)用。

由于在光纖接續(xù)處要將光纖余長盤繞成符合規(guī)范要求并不容易,所以,在低價低質(zhì)的接入網(wǎng)工程中,很難杜絕光纖彎曲半徑不足的問題。因此,老丁頭建議如下:

(1)在接入網(wǎng)工程竣工時,一定要對ODN鏈路下/上行分別用相應(yīng)波長進(jìn)行衰耗測試,測試結(jié)果應(yīng)滿足設(shè)計要求;

(2)當(dāng)前,G．657A2光纖與G．652D光纖的價格已相差無幾,有線接入網(wǎng)光纜線路應(yīng)全部采用G．657A2光纖。

審核編輯：符乾江