隨著5G、新能源和快充等應(yīng)用的興起,第三代半導(dǎo)體材料也開始嶄露頭角。
電子發(fā)燒友網(wǎng)《2021半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)展望》專題, 收到近50位國內(nèi)外半導(dǎo)體創(chuàng)新領(lǐng)袖企業(yè)高管的前瞻觀點(diǎn)。歲末之際,電子發(fā)燒友特別采訪了英諾賽科產(chǎn)品應(yīng)用經(jīng)理鄒艷波,他對2021年半導(dǎo)體市場提供了自己的前瞻觀點(diǎn)和技術(shù)趨勢分析。
第三代半導(dǎo)體崛起
功率半導(dǎo)體朝著第三代半導(dǎo)體發(fā)展,10KW的大功率市場會逐步被SIC替代,10KW的中小功率市場會逐步被GaN取代。英諾賽科的氮化鎵功率器件,隨著制程工藝的不斷優(yōu)化,氮化鎵功率器件的性能和成本優(yōu)勢將更加明顯。
氮化鎵帶來快充變革
今年一個(gè)比較大的亮點(diǎn)就是小米發(fā)布了氮化鎵快充,雷軍為氮化鎵快充代言,這個(gè)事件標(biāo)志著第三代半導(dǎo)體氮化鎵開始在快充領(lǐng)域的大規(guī)模應(yīng)用。氮化鎵作為第三代半導(dǎo)體材料,具備高頻高效的特性,其大規(guī)模的應(yīng)用將推動整個(gè)功率半導(dǎo)體市場帶來變革。
半導(dǎo)體新賽道
明年半導(dǎo)體行業(yè)會進(jìn)一步國產(chǎn)轉(zhuǎn)移,國產(chǎn)半導(dǎo)體行業(yè)會進(jìn)一步發(fā)展,第三代半導(dǎo)體氮化鎵為國產(chǎn)半導(dǎo)體發(fā)展提供了絕好的契機(jī),提供了半導(dǎo)體的新賽道,中國半導(dǎo)體有望在這個(gè)新的賽道實(shí)現(xiàn)國際領(lǐng)先。第三代半導(dǎo)體氮化鎵功率器件在明年的市場應(yīng)用也將迎來高速發(fā)展,在手機(jī),數(shù)據(jù)中心,5G基站,自動駕駛的應(yīng)用將實(shí)現(xiàn)突破。
電子發(fā)燒友網(wǎng)《2021半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)展望》專題, 收到近50位國內(nèi)外半導(dǎo)體創(chuàng)新領(lǐng)袖企業(yè)高管的前瞻觀點(diǎn)。歲末之際,電子發(fā)燒友特別采訪了英諾賽科產(chǎn)品應(yīng)用經(jīng)理鄒艷波,他對2021年半導(dǎo)體市場提供了自己的前瞻觀點(diǎn)和技術(shù)趨勢分析。
功率半導(dǎo)體朝著第三代半導(dǎo)體發(fā)展,10KW的大功率市場會逐步被SIC替代,10KW的中小功率市場會逐步被GaN取代。英諾賽科的氮化鎵功率器件,隨著制程工藝的不斷優(yōu)化,氮化鎵功率器件的性能和成本優(yōu)勢將更加明顯。
氮化鎵帶來快充變革
今年一個(gè)比較大的亮點(diǎn)就是小米發(fā)布了氮化鎵快充,雷軍為氮化鎵快充代言,這個(gè)事件標(biāo)志著第三代半導(dǎo)體氮化鎵開始在快充領(lǐng)域的大規(guī)模應(yīng)用。氮化鎵作為第三代半導(dǎo)體材料,具備高頻高效的特性,其大規(guī)模的應(yīng)用將推動整個(gè)功率半導(dǎo)體市場帶來變革。
半導(dǎo)體新賽道
明年半導(dǎo)體行業(yè)會進(jìn)一步國產(chǎn)轉(zhuǎn)移,國產(chǎn)半導(dǎo)體行業(yè)會進(jìn)一步發(fā)展,第三代半導(dǎo)體氮化鎵為國產(chǎn)半導(dǎo)體發(fā)展提供了絕好的契機(jī),提供了半導(dǎo)體的新賽道,中國半導(dǎo)體有望在這個(gè)新的賽道實(shí)現(xiàn)國際領(lǐng)先。第三代半導(dǎo)體氮化鎵功率器件在明年的市場應(yīng)用也將迎來高速發(fā)展,在手機(jī),數(shù)據(jù)中心,5G基站,自動駕駛的應(yīng)用將實(shí)現(xiàn)突破。
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
氮化鎵
+關(guān)注
關(guān)注
67文章
1916瀏覽量
120169 -
快充技術(shù)
+關(guān)注
關(guān)注
39文章
441瀏覽量
140123 -
英諾賽科
+關(guān)注
關(guān)注
3文章
60瀏覽量
11068
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
碳化硅 VS 氮化鎵:第三代半導(dǎo)體的“雙雄對決”
以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的第三代半導(dǎo)體,正憑借更高的耐壓、更低的損耗和更高的工作頻率,逐步取代傳統(tǒng)硅器件,成為電源系統(tǒng)的“新引擎”。然而,兩者雖同屬寬禁帶半導(dǎo)體,卻在材料特性
高頻交直流電流探頭在第三代半導(dǎo)體功率模塊動態(tài)測試中的精準(zhǔn)測量
高頻交直流電流探頭克服磁飽和問題,實(shí)現(xiàn)超寬頻帶響應(yīng),適用于第三代半導(dǎo)體動態(tài)測試,提升電流測量精度與效率。
深圳市薩科微slkor半導(dǎo)體有限公司是宋仕強(qiáng)于2015年在深圳市華強(qiáng)北成立,當(dāng)時(shí)掌握了行業(yè)領(lǐng)先的第三代半導(dǎo)體
深圳市薩科微slkor半導(dǎo)體有限公司是宋仕強(qiáng)于2015年在深圳市華強(qiáng)北成立,當(dāng)時(shí)掌握了行業(yè)領(lǐng)先的第三代半導(dǎo)體碳化硅材料的肖特基二極管和碳化硅mos管的生產(chǎn)技術(shù),開啟了在
發(fā)表于 01-31 08:46
龍騰半導(dǎo)體推出全新第三代超結(jié)MOSFET技術(shù)平臺
今天,龍騰半導(dǎo)體正式交出答卷 -- 基于自主工藝路線開發(fā)的全新第三代(G3) 超結(jié) MOSFET技術(shù)平臺。
行業(yè)快訊:第三代半導(dǎo)體駛?cè)肟燔嚨?,碳化硅器件成本有?b class='flag-5'>三年內(nèi)接近硅基
行業(yè)快訊:第三代半導(dǎo)體駛?cè)肟燔嚨溃蓟杵骷杀居型?b class='flag-5'>三年內(nèi)接近硅基
高頻交直流探頭在第三代半導(dǎo)體測試中的應(yīng)用
高頻交直流探頭基于法拉第電磁感應(yīng)原理,具備高帶寬、高精度和高分辨率,適用于第三代半導(dǎo)體器件的動態(tài)特性、柵極電流測量及開關(guān)損耗計(jì)算。
芯干線斬獲2025行家極光獎年度第三代半導(dǎo)體市場開拓領(lǐng)航獎
2025年12月4日,深圳高光時(shí)刻!由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)標(biāo)桿機(jī)構(gòu)「行家說三代半」主辦的「2025行家極光獎」頒獎晚宴盛大啟幕,數(shù)百家SiC&GaN領(lǐng)域精英企業(yè)齊聚一堂,共襄產(chǎn)業(yè)盛事。
CINNO出席第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)合作大會
10月25日,第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)合作大會在鹽城高新區(qū)召開。省工業(yè)和信息化廳二級巡視員余雷、副市長祁從峰出席會議并致辭。鹽都區(qū)委書記馬正華出席,鹽都區(qū)委副書記、區(qū)長臧沖主持會議。
開啟連接新紀(jì)元——芯科科技第三代無線SoC現(xiàn)已全面供貨
搭載第三代無線SoC中的Secure Vault安全技術(shù)率先通過PSA 4級認(rèn)證
基本半導(dǎo)體B3M平臺深度解析:第三代SiC碳化硅MOSFET技術(shù)與應(yīng)用
基本半導(dǎo)體B3M平臺深度解析:第三代SiC碳化硅MOSFET技術(shù)與應(yīng)用 第一章:B3M技術(shù)平臺架構(gòu)前沿 本章旨在奠定對基本半導(dǎo)體(BASIC Semiconductor)B3M系列的技術(shù)認(rèn)知
電鏡技術(shù)在第三代半導(dǎo)體中的關(guān)鍵應(yīng)用
第三代半導(dǎo)體材料,以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表,因其在高頻、高效率、耐高溫和耐高壓等性能上的卓越表現(xiàn),正在成為半導(dǎo)體領(lǐng)域的重要發(fā)展方向。在這些材料的制程中,電鏡技術(shù)發(fā)揮著不可或缺的作用
SiC碳化硅第三代半導(dǎo)體材料 | 耐高溫絕緣材料應(yīng)用方案
發(fā)展最成熟的第三代半導(dǎo)體材料,可謂是近年來最火熱的半導(dǎo)體材料。尤其是在“雙碳”戰(zhàn)略背景下,碳化硅被深度綁定新能源汽車、光伏、儲能等節(jié)能減碳行業(yè),萬眾矚目。陶瓷方面,
第三代半導(dǎo)體的優(yōu)勢和應(yīng)用領(lǐng)域
隨著電子技術(shù)的快速發(fā)展,半導(dǎo)體材料的研究與應(yīng)用不斷演進(jìn)。傳統(tǒng)的硅(Si)半導(dǎo)體已無法滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對高效能和高頻性能的需求,因此,第三代半導(dǎo)體材料應(yīng)運(yùn)而生。
瑞能半導(dǎo)體第三代超結(jié)MOSFET技術(shù)解析(1)
隨著AI技術(shù)井噴式快速發(fā)展,進(jìn)一步推動算力需求,服務(wù)器電源效率需達(dá)97.5%-98%,通過降低能量損耗,來支撐高功率的GPU。為了抓住市場機(jī)遇,瑞能半導(dǎo)體先發(fā)制人,推出的第三代超結(jié)MOSFET,能全面滿足高效能需求。
麥科信獲評CIAS2025金翎獎【半導(dǎo)體制造與封測領(lǐng)域優(yōu)質(zhì)供應(yīng)商】
制造與封測領(lǐng)域優(yōu)質(zhì)供應(yīng)商榜單。本屆大會以\"新能源芯時(shí)代\"為主題,匯集了來自功率半導(dǎo)體、第三代材料應(yīng)用等領(lǐng)域的行業(yè)專家與企業(yè)代表。
作為專注電子測試測量領(lǐng)域的高新技術(shù)企業(yè),麥科
發(fā)表于 05-09 16:10
英諾賽科鄒艷波:第三代半導(dǎo)體開創(chuàng)新賽道
評論