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我國(guó)功率器件巨頭的新野心

電子工程師 ? 來(lái)源:半導(dǎo)體芯精英 ? 作者:半導(dǎo)體芯精英 ? 2020-12-28 11:01 ? 次閱讀
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21日,本土功率器件供應(yīng)商士蘭微電子宣布了最新的投產(chǎn)計(jì)劃。

根據(jù)公司發(fā)布的公告顯示,士蘭微12吋芯片生產(chǎn)線正式投產(chǎn)。該項(xiàng)目由廈門(mén)士蘭集科微電子有限公司負(fù)責(zé)實(shí)施運(yùn)營(yíng),總投資170億元,建設(shè)兩條以MEMS、功率器件為主要產(chǎn)品的12英寸集成電路制造生產(chǎn)線。據(jù)悉,廈門(mén)12吋芯片生產(chǎn)線的投產(chǎn),進(jìn)一步夯實(shí)了士蘭微電子IDM策略。

而在12吋特色工藝半導(dǎo)體芯片制造生產(chǎn)線項(xiàng)目建設(shè)的同時(shí),士蘭微還投資了另一個(gè)重磅工程——士蘭化合物半導(dǎo)體芯片制造生產(chǎn)線項(xiàng)目,目前,該項(xiàng)目已在去年底實(shí)現(xiàn)初步投產(chǎn),爭(zhēng)取在今年四季度實(shí)現(xiàn)產(chǎn)能的釋放。

動(dòng)作頻頻的國(guó)內(nèi)公司

事實(shí)上,不僅是士蘭微,國(guó)內(nèi)的功率半導(dǎo)體廠商也進(jìn)行了一些布局,我們研究了其中一部分上市(or即將上市)的公司。

斯達(dá)半導(dǎo)

如國(guó)產(chǎn)龍頭斯達(dá)半導(dǎo),借助制造業(yè)核心零部件國(guó)產(chǎn)替代加速推進(jìn)的風(fēng)口,擬布局車(chē)規(guī)級(jí)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。

日前,根據(jù)其發(fā)布公告顯示,斯達(dá)半導(dǎo)擬投資2.29億元在嘉興現(xiàn)有廠區(qū)內(nèi)投建全碳化硅模組產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目。據(jù)了解,碳化硅是第三代半導(dǎo)體材料之一,近年來(lái)一直被業(yè)內(nèi)視為新能源汽車(chē)電機(jī)控制器核心器件IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)的替代品,在新能源汽車(chē)電能與動(dòng)能轉(zhuǎn)化過(guò)程中的能量損耗更低。

斯達(dá)半導(dǎo)表示,本項(xiàng)目實(shí)施后,將進(jìn)一步提升公司在汽車(chē)及全碳化硅功率模組的技術(shù)水平,提高公司供貨能力,為公司進(jìn)一步拓展新能源市場(chǎng)打下基礎(chǔ)。

對(duì)此,華西證券研報(bào)指出,斯達(dá)半導(dǎo)在新能源汽車(chē)領(lǐng)域投入了大量的研發(fā)經(jīng)費(fèi),未來(lái)仍將募集資金繼續(xù)加大該領(lǐng)域投資,預(yù)判隨著新能源汽車(chē)的加速滲透及國(guó)產(chǎn)化配套的迫切需求,公司經(jīng)營(yíng)業(yè)績(jī)有望繼續(xù)增長(zhǎng)。

斯達(dá)半導(dǎo)成立于2005年,一直以來(lái)致力于IGBT芯片和快恢復(fù)二極管芯片的設(shè)計(jì)、工藝及IGBT模塊的設(shè)計(jì)、制造和測(cè)試。公司客戶(hù)主要分布在新能源、新能源汽車(chē)、工業(yè)控制電源、變頻白色家電等行業(yè)。

華潤(rùn)微電子

華潤(rùn)微是國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體IDM龍頭企業(yè),目前擁有2條8吋晶圓生產(chǎn)線,3條6吋產(chǎn)線和一條正在建設(shè)的12吋產(chǎn)線。華潤(rùn)微的8吋產(chǎn)能主要用于生產(chǎn)功率器件(包括MOSFET、IGBT、二極管等)和功率IC。

今年7月,華潤(rùn)微6吋SiC生產(chǎn)線宣布量產(chǎn),這是國(guó)內(nèi)首條實(shí)現(xiàn)商用量產(chǎn)的6吋碳化硅晶圓生產(chǎn)線,現(xiàn)階段規(guī)劃產(chǎn)能為1000片/月。據(jù)悉,公司基于SiC 6吋專(zhuān)用生產(chǎn)線生產(chǎn)的新產(chǎn)品SiC MOSFET預(yù)計(jì)今年出樣品,明年推向市場(chǎng),未來(lái)的重點(diǎn)發(fā)展方向是工控及汽車(chē)電子領(lǐng)域。

今年10月,華潤(rùn)微募集資金總額不超過(guò)50億元人民幣(含本數(shù)),扣除發(fā)行費(fèi)用后擬用于華潤(rùn)微功率半導(dǎo)體封測(cè)基地項(xiàng)目和補(bǔ)充流動(dòng)資金。主要用于封裝測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)功率半導(dǎo)體產(chǎn)品、先進(jìn)面板級(jí)功率產(chǎn)品、特色功率半導(dǎo)體產(chǎn)品。

同時(shí),華潤(rùn)微將拓展芯片外延加工和整合半導(dǎo)體功率器件封裝測(cè)試環(huán)節(jié),進(jìn)行先進(jìn)半導(dǎo)體功率器件封裝產(chǎn)線布局。

揚(yáng)杰科技

揚(yáng)杰科技也是本土功率器件市場(chǎng)的一個(gè)重要角色,今年6月份,揚(yáng)杰科技募資15億元,投資半導(dǎo)體芯片封測(cè)項(xiàng)目。

同時(shí),揚(yáng)杰科技積極推進(jìn)重點(diǎn)研發(fā)項(xiàng)目的管理實(shí)施?;?英寸工藝的溝槽場(chǎng)終止1200V IGBT芯片系列及對(duì)應(yīng)的模塊產(chǎn)品開(kāi)始風(fēng)險(xiǎn)量產(chǎn),標(biāo)志著揚(yáng)杰科技在該產(chǎn)品領(lǐng)域取得了重要進(jìn)展。

揚(yáng)杰科技成功開(kāi)發(fā)并向市場(chǎng)推出了SGTN MOS和SGTP MOS N/P30V~150V等系列產(chǎn)品;持續(xù)優(yōu)化Trench MOS和SGT MOS系列產(chǎn)品性能并擴(kuò)充規(guī)格、品種;快速部署低功耗MOS產(chǎn)品開(kāi)發(fā)戰(zhàn)略。

另外,揚(yáng)杰科技在碳化硅功率器件等產(chǎn)品研發(fā)方面加大力度,以進(jìn)一步滿(mǎn)足揚(yáng)杰科技后續(xù)戰(zhàn)略發(fā)展需求,為實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體功率器件全系列產(chǎn)品的一站式供應(yīng)奠定堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。

資料顯示,揚(yáng)杰科技成立于2006年,致力于功率半導(dǎo)體芯片及器件制造、集成電路封裝測(cè)試等高端領(lǐng)域的產(chǎn)業(yè)發(fā)展,產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于消費(fèi)類(lèi)電子、安防、工業(yè)控制、汽車(chē)電子、新能源等諸多領(lǐng)域。

泰科

2019年,聞泰科技斥巨資拿下了安世半導(dǎo)體,后者曾經(jīng)是NXP的標(biāo)準(zhǔn)件部門(mén),在功率器件領(lǐng)域也擁有不錯(cuò)的表現(xiàn)。

根據(jù)西南證券的報(bào)告顯示,2018年安世半導(dǎo)體全球市占率14%,其中二極管全球第一,邏輯器件全球第二,汽車(chē)MOS管全球第二,小信號(hào)MOS管全球第三。其2018年全年生產(chǎn)總量超過(guò)1000億顆穩(wěn)居全球第一。尤其是汽車(chē)級(jí)MOS管方面,更是安世的核心競(jìng)爭(zhēng)力所在。

今年8月,聞泰科技先后拋出兩項(xiàng)投資計(jì)劃,包括:總投資100億的無(wú)錫ODM智慧超級(jí)工廠及研發(fā)中心和總投資120億的上海臨港12英寸車(chē)規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體自動(dòng)化晶圓制造中心。

8月19日下午,中國(guó)第一座12英寸車(chē)規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體自動(dòng)化晶圓制造中心項(xiàng)目正式簽約落戶(hù)上海臨港。該項(xiàng)目是聞泰科技半導(dǎo)體業(yè)務(wù)實(shí)現(xiàn)100億美元戰(zhàn)略目標(biāo)的第一步。

聞泰科技成立于2006年,是成為全球排名前列的通訊和半導(dǎo)體企業(yè),也是手機(jī)ODM(原始設(shè)計(jì)制造)行業(yè)龍頭企業(yè)。自成功收購(gòu)安世半導(dǎo)體之后,聞泰科技又由手機(jī)ODM龍頭一躍成為了中國(guó)最大的功率半導(dǎo)公司。

新潔能

無(wú)錫新潔能是功率半導(dǎo)體家族又一新上市公司,同樣是細(xì)分領(lǐng)域國(guó)內(nèi)龍頭。2020年9月28日,新潔能正式登陸上交所主板掛牌交易。

新潔能是國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體芯片及器件設(shè)計(jì)龍頭。主營(yíng)為功率半導(dǎo)體芯片和器件的研發(fā)、設(shè)計(jì)及銷(xiāo)售。公司深耕半導(dǎo)體功率器件行業(yè),是國(guó)內(nèi)最早專(zhuān)門(mén)從事MOSFET、IGBT研發(fā)設(shè)計(jì)的企業(yè)之一,具備獨(dú)立的芯片設(shè)計(jì)能力和自主工藝流程設(shè)計(jì)平臺(tái)。

據(jù)了解,新潔能將進(jìn)一步拓展 MOSFET產(chǎn)品、重點(diǎn)深化IGBT產(chǎn)品。同時(shí),新潔能將進(jìn)一步拓展芯片加工產(chǎn)業(yè),持續(xù)整合半導(dǎo)體功率器件封裝測(cè)試環(huán)節(jié)垂直產(chǎn)業(yè)鏈,掌控先進(jìn)半導(dǎo)體功率器件封裝產(chǎn)線并布局SiC/GaN寬禁帶半導(dǎo)體功率器件,進(jìn)一步強(qiáng)化企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力。

當(dāng)然,除了這些中國(guó)功率器件巨頭在今年有新動(dòng)作以外,蘇州固锝、捷捷微和燕東微電子乃至華虹宏力(代工廠)等大大小小的本土供應(yīng)商也都聚焦在這個(gè)市場(chǎng)擴(kuò)張??梢钥隙ǖ氖牵瑖?guó)內(nèi)功率器件市場(chǎng)在未來(lái)幾年將會(huì)非?!盁狒[”。

瑞能

瑞能也是國(guó)內(nèi)資本收購(gòu)NXP的半導(dǎo)體功率器件部門(mén)建立的。公司在可控硅PFC二極管市場(chǎng)擁有不錯(cuò)的市場(chǎng)地位。其雙極性特色功率線也大大提升了他們的市場(chǎng)表現(xiàn)。他們?cè)赟iC產(chǎn)品線的布局,更是國(guó)內(nèi)很多功率器件供應(yīng)商難以比擬的。

8月18日,上交所正式受理了瑞能半導(dǎo)體科技股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“瑞能”)的科創(chuàng)板上市申請(qǐng)。

瑞能在研發(fā)層面,不斷在第三代功率半導(dǎo)體加大投入,是國(guó)內(nèi)少有的在碳化硅領(lǐng)域形成量產(chǎn)并已大批量銷(xiāo)售的企業(yè),在新的賽道上鎖定了先發(fā)優(yōu)勢(shì)。

瑞能,也是國(guó)內(nèi)資本收購(gòu)NXP的半導(dǎo)體功率器件部門(mén)建立的。公司在可控硅和PFC二極管市場(chǎng)擁有不錯(cuò)的市場(chǎng)地位。其雙極性特色功率線也大大提升了他們的市場(chǎng)表現(xiàn)。他們?cè)赟iC產(chǎn)品線的布局,更是國(guó)內(nèi)很多功率器件供應(yīng)商難以比擬的。他們也基于此和索尼、松下、戴森、格力和華為等國(guó)內(nèi)外知名廠商建立了聯(lián)系。

功率器件市場(chǎng)下的暗流

事實(shí)上,這幾年來(lái),無(wú)論是國(guó)內(nèi)還是國(guó)外,功率器件的廠商都暗流涌動(dòng),這主要與現(xiàn)在市場(chǎng)對(duì)綠色能源需求,特別是他們對(duì)汽車(chē)(尤其是新能汽車(chē))的市場(chǎng)看好有莫大的關(guān)系。

根據(jù)資料顯示,功率器件超 400 億美元市場(chǎng),新能源車(chē)是主要增量。據(jù) Yole 數(shù)據(jù),2019 年全球 IGBT、MOSFET 市場(chǎng)合計(jì)近 175 億美元,其中汽車(chē)電子相關(guān)需求為 15 億美元, 工業(yè)市場(chǎng)為 11 億美元,計(jì)算及存儲(chǔ)市場(chǎng)達(dá)到 12 億美元,消費(fèi)電子市場(chǎng)則達(dá)到 13 億美元。

2019 年全球功率半導(dǎo)體下游市場(chǎng)情況 資料來(lái)源:Yole

我們知道,國(guó)際廠商是功率半導(dǎo)體的頭部玩家,他們積累的深厚經(jīng)驗(yàn)和可靠性,讓他們?cè)谶@個(gè)市場(chǎng)建立了國(guó)內(nèi)廠商難以跨越的壁壘。這主要與功率器件需要設(shè)計(jì)和工藝配合有莫大的關(guān)系。而回看國(guó)內(nèi),目前生產(chǎn)工藝仍然有很大的提升空間。

當(dāng)然,國(guó)內(nèi)外正在追逐的GaN和SiC功率器件市場(chǎng)將會(huì)給本土功率器件廠商提供一個(gè)同臺(tái)競(jìng)技的新機(jī)會(huì)。目前,國(guó)際上主要的功率器件公司已經(jīng)對(duì)第三代帶半導(dǎo)體進(jìn)行布局。

例如SiC功率器件產(chǎn)業(yè)化公司主要有美國(guó)的Cree、德國(guó)英飛凌、日本Rohm、歐洲的意法半導(dǎo)體以及日本三菱等。國(guó)內(nèi)主要生產(chǎn)商為華潤(rùn)微、揚(yáng)杰科技、 士蘭微等傳統(tǒng)功率器件生產(chǎn)商以及泰克天潤(rùn)、中車(chē)時(shí)代、國(guó)家電網(wǎng)全球能源研究院等 SiC專(zhuān)業(yè)生產(chǎn)商。

資本也關(guān)注到了這一點(diǎn),半導(dǎo)體行業(yè)觀察結(jié)合公開(kāi)資料得知,在今年,包括氮矽科技、優(yōu)鎵科技、致瞻科技、超芯星半導(dǎo)體、同光晶體以及瞻芯電子等企業(yè)都獲得了融資。方正證券研報(bào)認(rèn)為,第三代半導(dǎo)體國(guó)內(nèi)外差距沒(méi)有一、二代半導(dǎo)體明顯。國(guó)產(chǎn)廠商有希望追上國(guó)外廠商,完成國(guó)產(chǎn)替代。

最后值得注意的是,一些廠商開(kāi)始拓展芯片加工行業(yè),或者正在鞏固自己的IDM模式。這也不難理解,畢竟目前功率半導(dǎo)體市場(chǎng)仍以歐美日為主,他們占據(jù)全球功率半導(dǎo)體70%的市場(chǎng)份額,其中英飛凌、安森美是典型代表。而他們幾乎全部都是IDM模式。

在國(guó)內(nèi),士蘭微、揚(yáng)杰科技為代表性的IDM企業(yè),中車(chē)時(shí)代電氣及比亞迪也選擇IDM模式生產(chǎn)IGBT,這意味著制造能力建設(shè)是功率半導(dǎo)體企業(yè)走向中高端核心要素。

在巨頭大部分都為IDM的情況下,國(guó)內(nèi)廠商想繼續(xù)往前走,做IDM確實(shí)是很好的選擇。但成為IDM需要投入巨大成本建造工廠,這是一個(gè)對(duì)大多數(shù)企業(yè)來(lái)說(shuō)是難以逾越的鴻溝。

說(shuō)在最后

在今年的功率半導(dǎo)體市場(chǎng)中,國(guó)內(nèi)市場(chǎng)多了一些變數(shù),也取得了不少成就。尤其是第三代半導(dǎo)體方面,國(guó)家和各地方政府陸續(xù)推出政策和產(chǎn)業(yè)扶持基金發(fā)展第三代半導(dǎo)體相關(guān)產(chǎn)業(yè),我國(guó)多家半導(dǎo)體廠商也在積極布局SiC和GaN器件,并逐漸縮小與國(guó)際廠商的距離。

在全球功率器件市場(chǎng)中,機(jī)遇與挑戰(zhàn)并存。目前,有些國(guó)產(chǎn)廠商已經(jīng)在功率半導(dǎo)體的某些細(xì)分領(lǐng)域中占有一席地位,并能夠與國(guó)際廠商相互較量。追趕的路縱使困難重重,國(guó)內(nèi)廠商也決不氣餒。

原文標(biāo)題:中國(guó)功率器件巨頭的新野心

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    發(fā)表于 07-11 14:49

    電源功率器件篇:線路寄生電感對(duì)開(kāi)關(guān)器件的影響

    、降低線路寄生電感影響的方案 1、優(yōu)化PCB布局設(shè)計(jì) ▍縮短功率回路路徑 ? 將功率開(kāi)關(guān)器件、直流母線電容、驅(qū)動(dòng)電路等盡可能靠近布局,減少功率回路的面積。 ? 采用雙面布線的方式,在
    發(fā)表于 07-02 11:22

    簡(jiǎn)述碳化硅功率器件的應(yīng)用領(lǐng)域

    碳化硅(SiliconCarbide,SiC)是一種新興的半導(dǎo)體材料,因其優(yōu)越的電氣特性和熱穩(wěn)定性,正在逐漸取代傳統(tǒng)的硅(Si)材料,成為功率器件領(lǐng)域的重要選擇。SiC功率器件以其高效
    的頭像 發(fā)表于 06-18 17:24 ?1848次閱讀

    普萊信Clip Bond封裝整線設(shè)備,獲功率半導(dǎo)體國(guó)際巨頭海外工廠訂單

    半導(dǎo)體國(guó)際巨頭海外工廠的訂單,該產(chǎn)品線此前已成功導(dǎo)入國(guó)內(nèi)多家頭部功率器件大廠的核心量產(chǎn)線。國(guó)產(chǎn)高端Clip Bond封裝整線設(shè)備首次實(shí)現(xiàn)規(guī)?;隹?,這一里程碑事件,驗(yàn)證了普萊信技術(shù)滿(mǎn)足大電流
    的頭像 發(fā)表于 06-16 09:00 ?1519次閱讀
    普萊信Clip Bond封裝整線設(shè)備,獲<b class='flag-5'>功率</b>半導(dǎo)體國(guó)際<b class='flag-5'>巨頭</b>海外工廠訂單

    利用普源示波器進(jìn)行功率器件動(dòng)態(tài)特性測(cè)試的研究

    功率器件作為電子系統(tǒng)中的核心元件,其動(dòng)態(tài)特性直接影響著系統(tǒng)的效率、穩(wěn)定性和可靠性。因此,對(duì)功率器件動(dòng)態(tài)特性的準(zhǔn)確測(cè)試顯得尤為重要。普源示波器作為一種高性能的電子測(cè)量?jī)x器,具有寬帶寬、高
    的頭像 發(fā)表于 06-12 17:03 ?799次閱讀
    利用普源示波器進(jìn)行<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>動(dòng)態(tài)特性測(cè)試的研究

    功率器件電鍍的原理和步驟

    功率半導(dǎo)體制程里,電鍍扮演著舉足輕重的角色,從芯片前端制程到后端封裝,均離不開(kāi)這一關(guān)鍵工序。目前,我國(guó)中高檔功率器件在晶圓背面金屬化方面存在技術(shù)短板,而攻克這些技術(shù)難題的關(guān)鍵在于電鍍
    的頭像 發(fā)表于 06-09 14:52 ?2816次閱讀
    <b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>電鍍的原理和步驟

    新型功率器件的老化測(cè)試方法

    隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步,新型功率器件如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)因其優(yōu)異的性能被廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。然而,這些器件在長(zhǎng)期連續(xù)使用后會(huì)出現(xiàn)老化現(xiàn)象,導(dǎo)致性能退化。如何在短時(shí)間內(nèi)準(zhǔn)確評(píng)估這些
    的頭像 發(fā)表于 06-03 16:03 ?2027次閱讀
    新型<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>的老化測(cè)試方法

    初級(jí)元器件知識(shí)之功率MOSFET

    什么是功率 MOSFET? 我們都懂得如何利用二極管來(lái)實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān),但是,我們只能對(duì)其進(jìn)行開(kāi)關(guān)操作,而不能逐漸控制信號(hào)流。此外,二極管作為開(kāi)關(guān)取決于信號(hào)流的方向;我們不能對(duì)其編程以通過(guò)或屏蔽一個(gè)信號(hào)
    發(fā)表于 06-03 15:39

    什么是功率器件?特性是什么?包含哪些?

    功率器件定義與核心特性 功率器件(Power Semiconductor Device)是電力電子領(lǐng)域的核心組件,特指直接處理電能的主電路器件
    的頭像 發(fā)表于 05-19 09:43 ?1918次閱讀
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