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中國(guó)在半導(dǎo)體設(shè)備和材料上的核心技術(shù),還處于受制于人的狀態(tài)?

NSFb_gh_eb0fee5 ? 來(lái)源:半導(dǎo)體投資聯(lián)盟 ? 作者:半導(dǎo)體投資聯(lián)盟 ? 2020-12-30 16:11 ? 次閱讀
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12月17日,在2020年中國(guó)(上海)集成電路創(chuàng)新峰會(huì)上,清華大學(xué)教授、中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)集成電路設(shè)計(jì)分會(huì)理事長(zhǎng)魏少軍指出,中國(guó)在半導(dǎo)體設(shè)備和材料上的核心技術(shù),還處于受制于人的狀態(tài),產(chǎn)品處于中低端的情況還沒(méi)有改變。

他還對(duì)日本針對(duì)三種半導(dǎo)體材料對(duì)韓國(guó)實(shí)施制裁事件,表示中國(guó)目前在半導(dǎo)體裝備和材料上還發(fā)展緩慢,要引起警示。

集微知識(shí)產(chǎn)權(quán)對(duì)“半導(dǎo)體工藝和材料”領(lǐng)域的全球?qū)@治鼋Y(jié)果顯示,在全球1.3億條專利數(shù)據(jù)中,半導(dǎo)體工藝和材料的專利記錄至少有390萬(wàn)條(注1),近20年的專利數(shù)量占到歷史總量的84%,近10年的專利數(shù)量占到歷史總量的50%,而到了最近五年,每年都有至少有16萬(wàn)以上的新專利申請(qǐng)?zhí)岢觥?/p>

注1:從1960年代到1980年代期間的專利數(shù)據(jù)部分未在統(tǒng)計(jì)范圍內(nèi),總量因此可能會(huì)大于390萬(wàn)。

顯示出,這一領(lǐng)域的創(chuàng)新活動(dòng)和專利競(jìng)爭(zhēng)越來(lái)越激烈。

未來(lái),中國(guó)在解決半導(dǎo)體工藝和材料卡脖子問(wèn)題時(shí),要正視專利歷史上的“欠賬”問(wèn)題。

目前,中芯國(guó)際是中國(guó)在這一領(lǐng)域里專利儲(chǔ)備領(lǐng)先的企業(yè)代表,按照今年6月中芯國(guó)際招股書(shū)披露數(shù)據(jù),中芯國(guó)際全球授權(quán)有效專利近9000件。如果加上其他中國(guó)大陸企業(yè)在“半導(dǎo)體工藝和材料”上的專利,中國(guó)在這一領(lǐng)域的專利數(shù)量大概在10萬(wàn)這個(gè)量級(jí),這與該技術(shù)歷史長(zhǎng)河中的390萬(wàn)相比,差距是顯而易見(jiàn)的。深層次反映的是我國(guó)創(chuàng)新主體在這方面的創(chuàng)新活躍度還遠(yuǎn)遠(yuǎn)不夠。

而且從國(guó)外咨詢機(jī)構(gòu)給出的全球半導(dǎo)體硅IP市場(chǎng)趨勢(shì)來(lái)看,亞洲、歐洲和北美依然是未來(lái)的主要IP來(lái)源,但在報(bào)告分析的主流企業(yè)中,尚無(wú)一家中國(guó)大陸企業(yè)。

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此外,我們也不能以這個(gè)領(lǐng)域的特點(diǎn)之一還包括不公開(kāi)的“技術(shù)秘密”為借口,去解釋專利少的問(wèn)題。因?yàn)槎际峭瑯拥臉?biāo)準(zhǔn),為何日本、韓國(guó)、美國(guó)和中國(guó)臺(tái)灣的企業(yè)在專利布局上要遠(yuǎn)遠(yuǎn)多于大陸企業(yè)?而且這些區(qū)域企業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)策略意識(shí)普遍要好于大陸企業(yè)。所以,我們要追趕的不僅僅是技術(shù),還有知識(shí)產(chǎn)權(quán)戰(zhàn)略。

日本之所以能在半導(dǎo)體材料上卡住“韓國(guó)”的脖子,與日本企業(yè)重視創(chuàng)新和大力推進(jìn)知識(shí)產(chǎn)權(quán)戰(zhàn)略有很大關(guān)系。

1980-2000年的二十年間,日本企業(yè)幾乎統(tǒng)治了“半導(dǎo)體工藝和材料”專利TOP 10,雖然早期日本主要還是以引進(jìn)美國(guó)和歐洲的先進(jìn)技術(shù)為主,進(jìn)行改良創(chuàng)新,但這并沒(méi)有影響到日本企業(yè)申請(qǐng)專利的熱情。2002年,日本政府發(fā)表《知識(shí)產(chǎn)權(quán)戰(zhàn)略大綱》,正式確立“知識(shí)產(chǎn)權(quán)立國(guó)”的國(guó)家戰(zhàn)略。

例如在1990-2000年的十年間,全球TOP 10中,日本企業(yè)占據(jù)8席,另外兩家分別是三星和SK海力士,韓國(guó)在專利上開(kāi)始了追趕。

2000-2010年的10年間,日本企業(yè)專利TOP10強(qiáng)中還占有六席。這一時(shí)期,三星躍居第一位,臺(tái)積電也擠到第六名,應(yīng)用材料公司加強(qiáng)了創(chuàng)新產(chǎn)出,又重回TOP10。全球第三大半導(dǎo)體設(shè)備提供商,同時(shí)也是日本最大的半導(dǎo)體電子設(shè)備提供商——東京電子,這一時(shí)期專利數(shù)量攀升很快,僅次于三星位列第二位。而主要以OLED創(chuàng)新為主的半導(dǎo)體能源實(shí)驗(yàn)室也憑借Shunpei Yamazaki這個(gè)發(fā)明家總裁,擠進(jìn)了前五。

最近五年,隨著OLED等半導(dǎo)體顯示技術(shù)的專利量猛增,半導(dǎo)體能源實(shí)驗(yàn)室、三星SDI和京東方這件三家以半導(dǎo)體顯示為優(yōu)勢(shì)的企業(yè)都擠入了前十,中芯國(guó)際位列第九。除此之外,日本企業(yè)只剩下了東京電子,取而代之的是應(yīng)用材料、英特爾和IBM三家傳統(tǒng)美國(guó)企業(yè)的回歸。臺(tái)積電超過(guò)三星,位居第一。美、日、韓、中專利混戰(zhàn)的局面更加明顯。

“半導(dǎo)體工藝和材料”的“日本專利統(tǒng)治時(shí)代”已經(jīng)逐漸褪去。

隨之而來(lái)的,是中國(guó)企業(yè)的快速崛起。在中芯國(guó)際之后,中國(guó)科學(xué)院和華虹半導(dǎo)體也都是中國(guó)在半導(dǎo)體工藝和材料專利上能夠挑起創(chuàng)新大梁的單位。

在這些企業(yè)的帶領(lǐng)下,中國(guó)大陸能否在專利上實(shí)現(xiàn)四十年前日本企業(yè)的“千帆競(jìng)發(fā)”之勢(shì)?重現(xiàn)昔日“日本崛起之路”?恐怕還需要下更大的決心,找到更準(zhǔn)的突破口實(shí)施攻關(guān)。

從全球半導(dǎo)體工藝和材料巨頭專利創(chuàng)新點(diǎn)來(lái)看,幾乎是圍繞在半導(dǎo)體設(shè)備和工藝的關(guān)鍵底層技術(shù)在進(jìn)行開(kāi)發(fā),而這些技術(shù)點(diǎn),或許也正是中國(guó)大陸要逐步實(shí)現(xiàn)突破的必經(jīng)之路。

集微知識(shí)產(chǎn)權(quán)致力于為中國(guó)企業(yè)在“卡脖子”領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)自主創(chuàng)新突破,提供高效、高質(zhì)的知識(shí)產(chǎn)權(quán)咨詢/代理等“一站式”服務(wù)。為企業(yè)在FTO、競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手分析、高質(zhì)量專利鍛造、專利規(guī)避、專利挖掘布局、海外風(fēng)險(xiǎn)分析、SEP和專利池、專利交易許可等多維度提供專家意見(jiàn)和分析報(bào)告。

責(zé)任編輯:lq

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原文標(biāo)題:從全球“半導(dǎo)體工藝和材料”四十年專利史,看日本曾經(jīng)的崛起,與中國(guó)的未來(lái)

文章出處:【微信號(hào):gh_eb0fee55925b,微信公眾號(hào):半導(dǎo)體投資聯(lián)盟】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

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