爆料稱Windows 10 21H1功能更新 大幅改善Bug、提高性能
雖然不少工程師提前休假，但是微軟并沒(méi)有放松Windows 10 21H1更新的推進(jìn)工作。
據(jù)外媒Windows Central編輯Zac Bowden爆料，Windows 10 21H1功能更新的RTM版本已經(jīng)編譯完畢，在接下來(lái)的幾個(gè)月里微軟將會(huì)進(jìn)一步打磨，以修復(fù)Bug和提升性能。
爆料稱Windows 10 21H1功能更新的 RTM 版本號(hào)為 Build 19403，作為小幅更新版本和大家見(jiàn)面。
目前Windows 10 20H1的版本號(hào)為 Build 19401，Windows 10 20H2的版本號(hào)為Build 19402，從版本號(hào)躍進(jìn)上可以看出更新幅度并不大，其更新主要是修復(fù)Bug和提升性能。
需要注意的是，微軟正在改變Windows 10的更新節(jié)奏，這樣做是為了給Windows 10X系統(tǒng)讓路，其將Windows 10重磅功能轉(zhuǎn)移到明年下半年推出的21H2功能更新中。
目前Windows 10X也處于 RTM 狀態(tài)，不過(guò)發(fā)布的新版目前僅針對(duì)單屏幕設(shè)備，而針對(duì)雙屏的版本會(huì)推遲到2022年。
責(zé)任編輯：PSY
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
WINDOWS
+關(guān)注
關(guān)注
4文章
3707瀏覽量
94341 -
更新
+關(guān)注
關(guān)注
1文章
78瀏覽量
10732 -
BUG
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
156瀏覽量
16311
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
探索LM3S1R21微控制器：高性能與多功能的完美結(jié)合
探索LM3S1R21微控制器：高性能與多功能的完美結(jié)合 在電子工程師的世界里，選擇一款合適的微控制器對(duì)于項(xiàng)目的成功至關(guān)重要。今天，我們就來(lái)深入了解一下德州儀器（TI）推出的LM3S1R21
ST10F269微控制器：高性能與多功能的完美結(jié)合
ST10F269微控制器：高性能與多功能的完美結(jié)合 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，微控制器的性能和功能直接影響著產(chǎn)品的質(zhì)量和競(jìng)爭(zhēng)力。ST
解析NTBLS1D1N08H：高性能N溝道MOSFET的卓越表現(xiàn)
解析NTBLS1D1N08H：高性能N溝道MOSFET的卓越表現(xiàn) 在電子工程領(lǐng)域，功率MOSFET是至關(guān)重要的元件，廣泛應(yīng)用于各類電子設(shè)備中。今天，我們將深入探討安森美（onsemi）推出
MC10H334：一款高性能的四總線驅(qū)動(dòng)/接收器
MC10H334：一款高性能的四總線驅(qū)動(dòng)/接收器 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，選擇合適的總線驅(qū)動(dòng)/接收器對(duì)于系統(tǒng)的性能和穩(wěn)定性至關(guān)重要。今天，我們就來(lái)深入了解一下 ON Semiconductor 推出
深入解析MC10H330：高性能四總線驅(qū)動(dòng)/接收器
深入解析MC10H330：高性能四總線驅(qū)動(dòng)/接收器 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，選擇合適的芯片對(duì)于實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)的高性能和穩(wěn)定性至關(guān)重要。今天，我們將深入探討 ON Semiconductor 推出
探索 onsemi NVMTS1D5N08H：高性能 N 溝道 MOSFET 的卓越之選
探索 onsemi NVMTS1D5N08H：高性能 N 溝道 MOSFET 的卓越之選 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，MOSFET 作為關(guān)鍵的功率器件，其性能直接影響著整個(gè)電路的效率和穩(wěn)定性。今天，我們就來(lái)深入
Onsemi NVMFS6D1N08H：高性能N溝道MOSFET的技術(shù)解析
Onsemi NVMFS6D1N08H：高性能N溝道MOSFET的技術(shù)解析 引言 在電子工程師的日常設(shè)計(jì)中，MOSFET是不可或缺的關(guān)鍵元件。Onsemi的NVMFS6D1N08H作為一款80V
英特爾Arria 10器件：高性能與低功耗的完美結(jié)合
便是其中的佼佼者，它為高性能、對(duì)功耗敏感的中高端應(yīng)用提供了理想的解決方案。今天，我們就來(lái)深入了解一下英特爾Arria 10器件的特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)。 文件下載： 10AS057H1F34E1SG.pdf 一
如何確保CAT.1模組的高性能與低功耗？
確保CAT.1模組實(shí)現(xiàn)高性能與低功耗的完美平衡，是物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備長(zhǎng)期穩(wěn)定運(yùn)行和降低運(yùn)維成本的關(guān)鍵?；谖覀儾捎玫娜A為海思最新Hi2131芯片方案，我們通過(guò)以下四大核心技術(shù)維度實(shí)現(xiàn)了這一目標(biāo)：
1. 先進(jìn)
發(fā)表于 03-05 11:41
L6563H：高性能過(guò)渡模式PFC控制器的全面解析
L6563H：高性能過(guò)渡模式PFC控制器的全面解析 引言 在當(dāng)今的電子設(shè)備中，功率因數(shù)校正（PFC）技術(shù)變得越來(lái)越重要，它不僅有助于提高電源的效率，還能減少對(duì)電網(wǎng)的諧波污染。L6563H
德州儀器TB5D1M與TB5D2H：高性能四通道差分PECL驅(qū)動(dòng)器解析
德州儀器TB5D1M與TB5D2H：高性能四通道差分PECL驅(qū)動(dòng)器解析 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，高性能的差分驅(qū)動(dòng)器對(duì)于數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)和時(shí)鐘信號(hào)的傳輸至關(guān)重要。德州儀器（TI）的TB5D
深入解析L6564H：高性能PFC控制器的技術(shù)奧秘
深入解析L6564H：高性能PFC控制器的技術(shù)奧秘 在電子工程領(lǐng)域，功率因數(shù)校正（PFC）技術(shù)對(duì)于提高電源效率、降低諧波失真至關(guān)重要。L6564H作為一款
行業(yè)觀察 | Windows 10于本月終止服務(wù)支持，微軟發(fā)布10月高危漏洞更新
微軟于2025年10月的“補(bǔ)丁星期二”發(fā)布了175個(gè)漏洞的修復(fù)更新，覆蓋Windows、Office、Azure、ExchangeServer、VisualStudio等核心產(chǎn)品。本次更新
DK5V60R10VT1東科高性能同步整流芯片
DK5V60R10VT1是一款簡(jiǎn)單高效率的同步整流芯片，只有A，K兩個(gè)功能引腳，分別對(duì)應(yīng)肖特基二極管的PN管腳。芯片內(nèi)部集成了60V功率NMOS管，可以大幅降低二極管導(dǎo)通損耗，提高整機(jī)
發(fā)表于 09-25 09:17
?0次下載
芯知識(shí)｜廣州唯創(chuàng)電子WT2003H語(yǔ)音芯片音頻更新方式功能解析
的獨(dú)立替換，滿足多樣化的應(yīng)用需求。以下從技術(shù)特性、更新模式及典型應(yīng)用場(chǎng)景三方面展開(kāi)介紹：一、技術(shù)特性與遠(yuǎn)程更新架構(gòu)WT2003H系列采用高性能32位處理器（主頻最
評(píng)論