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Qorvo推出增強型mmWave Spatium放大器

Qorvo半導體 ? 來源:Qorvo半導體 ? 作者:Qorvo半導體 ? 2021-01-08 13:54 ? 次閱讀
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Qorvo公司新推出的增強型mmWave Spatium放大器可在緊湊型包絡中提供出色的組合效率和帶寬,適用于衛(wèi)星地面基站、5G基礎設施、雷達和電子戰(zhàn)等高性能應用。

憑借其最新的GaN MMIC技術,射頻Qorvo開發(fā)出了兩款mmWave Spatium產(chǎn)品,且兩款產(chǎn)品都實現(xiàn)了批量生產(chǎn):

QPB2731:可在27-31 GHz的頻率范圍下提供100 W輸出功率。

QPB3238:可在32-38 GHz的頻率范圍下提供100 W輸出功率。

這兩款固態(tài)功率放大器(SSPA)可處理連續(xù)波(CW)、脈沖和調(diào)制射頻波形,且具有兩個偏置選項,以滿足應用需求。

與先前的Spatium技術一樣,mmWave Spatium采用了層壓天線結(jié)構,這樣就可以在準橫向電磁(TEM)同軸環(huán)境中整合16個元件。理論上,這使得SSPA的功率比每個MMIC的功率高出12 dB。

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在構建放大器之前,Qorvo設計了一個無源結(jié)構,用于評估組合網(wǎng)絡的性能,以在不使用MMIC的情況下,復制放大器射頻路徑。在輸入端,射頻信號通過2.92 mm母連接器進入,然后在一個超大的同軸區(qū)域內(nèi)以物理方式擴展為層壓、端射天線陣列,該陣列將射頻信號分成16等分信號,每個信號都有一條連接到MMIC輸入端的微帶傳輸線(參見圖1)。

然而,在無源結(jié)構中,微帶傳輸線連接至另一個在輸入端實現(xiàn)逆轉(zhuǎn)的層壓天線陣列。在大多數(shù)情況下,大功率放大器(HPA)的輸出需要具有適當功率處理能力的輸出連接,如WR28波導。這種無源測試結(jié)構的輸出端使用了一個2.92 mm母連接器,用于與標準網(wǎng)絡分析儀實現(xiàn)寬帶連接。

每個層壓件都被焊接到鍍銀銅制葉片上,當沿著主軸觀察時,形成一個1/16楔形。

核心層壓材料選擇使用AGC TaconicTLY-5Z,因為該材料具有較低的介電常數(shù)(εr=2.2)和相對較低的介電損耗角正切(10 GHz頻率下為tanδ=0.0015),有助于實現(xiàn)天線結(jié)構的寬帶、低損耗性能。

盡管無源層壓件上的金屬噴鍍覆蓋了一層符合IPC要求的浸鍍銀,以防止銅氧化,但放大器設計通常使用黃金噴鍍,以兼容MMIC上的金線焊件。

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圖2 無源組件插入損耗(a)和回波損耗(b)的模擬值與測量值比較。

該無源結(jié)構采用ANSYS HFSS進行設計和分析。無源結(jié)構插入損耗和回波損耗的模擬值與測量值比較如圖2所示。

雖然測量值(紅線)與模擬值(藍線)之間存在很小的偏差,但總的說來兩者之間的相關性比較高,且所觀察到的性能可用于放大器開發(fā)。插入損耗測量值反應了整個射頻路徑的損耗,即輸入和輸出損耗。在SSPA中,MMIC朝輸出方向布置,這樣50%以上的微帶傳輸線在MMIC之前。因此,輸出插入損耗的合理估計值為0.67 dB,可實現(xiàn)86%的組合效率。

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圖3 QPA2211(a)和TGA2222(b)的典型輸出功率和PAE。

在QPB2731設計中,Qorvo公司的QPA2211 GaN MMIC被選作HPA。QPA2211專為提供14 W飽和輸出功率和5 W線性CW輸出功率,在CW運行條件下可實現(xiàn)34%功率附加效率(PAE)(參見圖3)。在QPB3238N設計中,TGA2222 GaN MMIC被選作RF HPA;其指定的CW飽和輸出功率為40.2 dBm,32-38 GHz頻率范圍內(nèi)的PAE為22.3%,裸片背面溫度為25°C(參見圖3)。這兩個器件均采用了Qorvo公司的0.15μm SiC襯底GaN生產(chǎn)工藝(QGaN15)。

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圖4 在25°C鉗位溫度條件下,QPB2731(a)和QPB3238(b)的輸出功率和漏極效率測量值。

圖4顯示的是25°C鉗位溫度條件下,QPB2731和QPB3238 SSPA的輸出功率和漏極效率測量值。請注意,裸片和SSPA數(shù)據(jù)之間的熱參考點差異。采用CW信號在飽和功率條件下運行時,自熱可能會提高裸片背面溫度,使其高于SSPA鉗位溫度50°C以上。因此,圖3和圖4顯示的并不是“一對一”比較;盡管如此,從圖中可以看出,在組合各個MMIC的功率后,mmWave Spatium平臺表現(xiàn)良好。

為便于系統(tǒng)集成,Qorvo為mmWave Spatium產(chǎn)品提供了兩個偏置選項。第一種選項采用單獨的偏置卡,可通過SSPA進行遠程操作,包含可根據(jù)操作環(huán)境完全定制放大器的微控制器(參見圖5a)。第二種選項集成度更高,從而可實現(xiàn)更緊湊的外形設計(參見圖5b)。

這兩種解決方案都可提供GaN MMIC所需的時序控制和柵極電壓控制,所以用戶只需在電源連接器處施加基本電壓即可為SSPA供電。

原文標題:Qorvo GaN PA可在27–31和32–38GHz頻率范圍中提供100W輸出功率

文章出處:【微信公眾號:Qorvo半導體】歡迎添加關注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

責任編輯:haq

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原文標題:Qorvo GaN PA可在27–31和32–38GHz頻率范圍中提供100W輸出功率

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