IGBT、FRED作為功率半導(dǎo)體器件的主要代表，被廣泛應(yīng)用于工業(yè)控制、新能源發(fā)電與電能質(zhì)量管理、新能源汽車（充電樁）、軌道交通與航海航空、5G與數(shù)據(jù)中心電源、半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備與醫(yī)療器械等領(lǐng)域，是目前用途最廣、用量最大的高頻大功率半導(dǎo)體器件，是電氣與自動化、電力傳輸與信息通信系統(tǒng)中的核心器件。

在當(dāng)前復(fù)雜而嚴(yán)峻的國際形勢下，積極推動我國功率半導(dǎo)體材料、芯片、封測的國產(chǎn)化進(jìn)程具有極其重大的意義，而研發(fā)和生產(chǎn)自主可控的IGBT、FRED芯片及模塊已成為國家戰(zhàn)略新興產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重點。

事實上，我國IGBT市場規(guī)模增速快于全球，2012年-2019年我國IGBT年復(fù)合增長率為14.52%。根據(jù)集邦咨詢預(yù)測，受益于新能源汽車和工業(yè)領(lǐng)域的需求大幅增加，中國IGBT市場規(guī)模將持續(xù)增長，到2025年，中國IGBT市場規(guī)模將達(dá)到522億人民幣，2018-2025年復(fù)合增長率達(dá)19.96%。

在快速增長的國內(nèi)市場上，宏微科技等公司發(fā)展迅猛。近年來，該公司主營業(yè)務(wù)整體保持穩(wěn)定增長趨勢，但透過招股書，發(fā)現(xiàn)，該公司的芯片業(yè)務(wù)“日漸式微”，究其背后，是其自研產(chǎn)品成本下不來，主要芯片來源于外購。

芯片業(yè)務(wù)“日漸式微”

在招股書中，宏微科技稱，目前已成為國內(nèi)少數(shù)集芯片設(shè)計、封裝測試和技術(shù)服務(wù)于一體的全產(chǎn)品鏈企業(yè)，是國內(nèi)少數(shù)實現(xiàn)IGBT、FRED大規(guī)模生產(chǎn)的國內(nèi)企業(yè)之一，同時也是國內(nèi)多家知名工業(yè)控制企業(yè)的主要IGBT模塊供應(yīng)商。

從其公開的產(chǎn)品分類及對應(yīng)的業(yè)務(wù)收入可知，宏微科技近三年及一期的業(yè)務(wù)整體保持平穩(wěn)增長。公司產(chǎn)品已涵蓋IGBT、FRED、MOSFET芯片及單管產(chǎn)品100余種，IGBT、FRED、MOSFET、整流橋及晶閘管等模塊產(chǎn)品400余種。

具體來看，宏微科技不同業(yè)務(wù)發(fā)展發(fā)生了不小的變化。模塊業(yè)務(wù)近年來保持持續(xù)增長，從2017年的12340.29萬元增長至19442.34萬元。在多個業(yè)務(wù)中占比逐漸提高，由2017年的59.72%增長到2019年的75.40%，足以證明模塊已然成為其主要業(yè)務(wù)構(gòu)成。

模塊業(yè)務(wù)發(fā)展情況與國內(nèi)市場實際情況基本相符。近年來，受益于國際電子制造產(chǎn)業(yè)的轉(zhuǎn)移，以及下游計算機(jī)、通信、消費類電子等需求的拉動，我國電力電子產(chǎn)品，尤其是新型電力電子器件如IGBT、FRED、

MOSFET等功率半導(dǎo)體器件保持了較快的發(fā)展態(tài)勢。

目前，我國已成為全球最大的功率半導(dǎo)體器件消費國，2018年市場需求規(guī)模達(dá)到138億美元，增速為9.5%，占全球需求比例超過35%。預(yù)計中國功率半導(dǎo)體將繼續(xù)保持較高速度增長，2021年市場規(guī)模有望達(dá)到159億美元，2018年-2021年年化增速達(dá)4.83%。

與模塊業(yè)務(wù)發(fā)展趨勢截然相反，宏微科技的芯片業(yè)務(wù)卻是“日漸式微”。2017年，其芯片業(yè)務(wù)發(fā)展得不錯，當(dāng)年收入為1501.55萬元；經(jīng)過三年后，其芯片業(yè)務(wù)收入只有一千萬左右，在業(yè)務(wù)構(gòu)成比例中也從7.27%下滑至4.18%。

對于芯片業(yè)務(wù)收入大幅減少的原因，宏微科技在招股書中并沒有直接說明，但從招股書內(nèi)容來看，其外購芯片比例增加明顯，背后或與客戶更愿意采用外購芯片而減少采購宏微科技自研芯片有關(guān)。

外購芯片比例逐年增高

我國IGBT行業(yè)近年來規(guī)模不斷擴(kuò)大，國內(nèi)也有一批半導(dǎo)體企業(yè)正在進(jìn)入IGBT行業(yè)，但是國內(nèi)能夠自主研發(fā)設(shè)計芯片的企業(yè)較少，國內(nèi)企業(yè)仍主要依靠進(jìn)口芯片進(jìn)行生產(chǎn)，因此生產(chǎn)成本較高，進(jìn)口依賴較強(qiáng)，經(jīng)營穩(wěn)定性較差。

據(jù)了解，宏微科技芯片的采購主要通過自主研發(fā)設(shè)計并委托芯片代工企業(yè)制造加工，以及向英飛凌等國外生產(chǎn)廠商直接采購兩種方式。

報告期內(nèi)，宏微科技主要原材料芯片采購金額隨宏微科技產(chǎn)品產(chǎn)量的增加，宏微科技采購的芯片金額隨之增加。

從招股書可知，外購芯片采購金額從2017年的3，776.68萬元增長到2019年的6，200.62萬元，外購芯片占采購總額比例從25.38%增至34.17%。從外購芯片比例來看，宏微科技2019年對外購芯片的依賴程度較高。

對于外購芯片比例持續(xù)增長，宏微科技沒有直接說明，與之有關(guān)的解釋是“根據(jù)客戶的實際需求，采購指定廠商的芯片?！?/p>

不過，從招股書中，筆者發(fā)現(xiàn)，宏微科技聲稱其芯片性能已與英飛凌基本接近。據(jù)悉，其最新研發(fā)的宏微第四代IGBTM4i750V280A芯片與英飛凌科技國內(nèi)新能源車主流使用的車用HybridPackDrive模塊中所用EDT2芯片做橫向?qū)Ρ瓤芍?，宏微科技的芯片產(chǎn)品在擊穿耐壓、短路極限時間方面與英飛凌芯片基本相同，在損耗、電流密度方面與英飛凌芯片相接近。

“隨著公司第四代IGBT平臺的逐漸成熟，公司同時著力推進(jìn)產(chǎn)品的平臺化和產(chǎn)業(yè)化，完善并完成進(jìn)口芯片替代工作?！?/p>

然而，早在2017年推出宏微第三代IGBTM3i1200V系列產(chǎn)品時，其產(chǎn)品性能和英飛凌的產(chǎn)品性能接近。但從近三年的情況來看，其國產(chǎn)替代程度并沒有進(jìn)一步推進(jìn)，采購國外芯片反而越來越高。

自研芯片成本仍較高

對于國外芯片采購比例較高，宏微科技的解釋主要有以下兩方面，一方面是采購規(guī)模增加可以降低采購單價；另一方面是其自研芯片的成本問題。

在招股書中，宏微科技稱，報告期內(nèi)主要原材料采購價格總體相對穩(wěn)定，其中芯片（外購）采購價格逐年下降，2017年度至2019年度隨著采購規(guī)模的增加采購單價總體有所下降。

可知，2017-2019年，宏微科技自研IGBT芯片的采購成本分別為6.73元/粒、6.21元/粒和6.17元/粒；國內(nèi)IGBT企業(yè)斯達(dá)半導(dǎo)同期的自研芯片成本分別為5.16元/粒、4.77元/粒和5.25元/粒（2019年1-6月數(shù)據(jù)）。

數(shù)據(jù)對比明顯看出，宏微科技的自研芯片成本雖然在逐年下降，但仍遠(yuǎn)高于斯達(dá)半導(dǎo)的產(chǎn)品成本。

值得一提的是，報告期內(nèi)，斯達(dá)半導(dǎo)自主研發(fā)的IGBT及快恢復(fù)二極管芯片采購金額占當(dāng)期IGBT及快恢復(fù)二極管芯片采購總額比例為20.26%、32.08%、45.30%和52.71%。逐年增高的數(shù)據(jù)也反映了斯達(dá)半導(dǎo)自研芯片逐步替代進(jìn)口芯片，不斷提升產(chǎn)品競爭力，并通過原客戶渠道擴(kuò)張市場占有量。

行業(yè)人士指出，IGBT芯片是IGBT模塊中最核心的原材料，研發(fā)難度較大，市場上可選擇的供應(yīng)商資源較少，客戶驗證周期較長。因此，宏微科技自研芯片的成本無法有效與國內(nèi)龍頭持平，導(dǎo)致客戶采用外購芯片的比例增加或是其芯片業(yè)務(wù)逐年下降的主要原因。
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