封裝技術已從單芯片封裝開始，發(fā)展到多芯片封裝/模塊、三維封裝等階段，目前正在經(jīng)歷系統(tǒng)級封裝與三維集成的發(fā)展階段。

隨著摩爾定律放緩，系統(tǒng)級封裝和三維集成通過功能集成的手段擺脫尺寸依賴的傳統(tǒng)發(fā)展路線，成為拓展摩爾定律的關鍵，是集成電路技術發(fā)展的重要創(chuàng)新方向。

對于三維集成，首先其系統(tǒng)需求要滿足高性能、高可靠性、可升級應用的產(chǎn)品，在未來3-5年出現(xiàn)小批量、多品種的需求以及可控的產(chǎn)業(yè)鏈，從而實現(xiàn)系統(tǒng)性能目標，它會涉及到性能指標，包括數(shù)據(jù)傳輸速率，時延、插入損耗、功率、標準接口、電性能、可靠性、可用性等。

目前，先進封裝與系統(tǒng)集成的核心技術還面臨著三大挑戰(zhàn)。其一是功能集成提出面向復雜系統(tǒng)級封裝的設計與制造；其二是互連密度提升對三維集成和高密度封裝基板提出新的要求；其三是前沿基礎問題的研究，包括新型層間互連和新型熱管理方法等。

在整個產(chǎn)業(yè)中，臺積電（TSMC）非常重視三維集成技術，將CoWoS、InFO、SolC整合為3D Fabric的工藝平臺。蔡堅表示，“從功能提升、成本降低以及工藝兼容來看，臺積電之所以有這么多三維集成的工藝出現(xiàn)，在于其對三維集成進行了特別深刻的研究?！?/p>

早在10年之前，行業(yè)就出現(xiàn)基于硅通孔（TSV）的三維集成。2011年Xilinx采用2.5D Interposer實現(xiàn)FPGA。隨后Samsung 、AMD、 Intel、AMD等公司也加速布局。不過，TSV并非三維集成/異質集成的唯一選擇。

蔡堅認為，“高深寬比硅通孔（TSV）技術和層間互連方法是三維集成中的關鍵技術。采用化學鍍及ALD等方法，實現(xiàn)高深寬比TSV中的薄膜均勻沉積。并通過脈沖電鍍、優(yōu)化添加劑體系等方法，實現(xiàn)TSV孔沉積速率翻轉，保證電鍍中的深孔填充。”

在層間互連方法方面，由于高密度集成導致層間互連節(jié)距減少。蔡堅教授團隊采取窄節(jié)距Cu-Sn-Cu擴散鍵合，對打散機理與微觀組織演化的研究，提出了形成穩(wěn)定界面設計規(guī)則，可實現(xiàn)多層/多次鍵合。

關于技術成果轉化，蔡堅表示，我的愿景是成為國內(nèi)頂尖、國際一流的封裝設計與系統(tǒng)級封裝一站式服務技術平臺，具有完善的封裝設計與制作基本能力、集成產(chǎn)品的分析能力，支撐產(chǎn)業(yè)鏈中不同類型企業(yè)的需求。

為了更好的轉化技術成果，蔡堅教授團隊于2020年9月設立公司“清芯集成”，并于10月開始實際運營，其布局領域包括高復雜度處理器、光電封裝、量子封裝、探測器封裝等；2021年計劃建成基本架構、完成超凈間裝修、實現(xiàn)基本封裝工藝能力、開展小批量業(yè)務。
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