DDR3內(nèi)存價(jià)格將漲價(jià)40-50%
最快在2021年9月份，隨著Intel的十二代酷睿Alder Lake的到來(lái)，DDR5內(nèi)存也要商用了，今年會(huì)是DDR5元年。
DDR5內(nèi)存來(lái)了，DDR4內(nèi)存當(dāng)然不會(huì)馬上被淘汰，但前景肯定不會(huì)多好了，未來(lái)幾年被取代是水到渠成的，不過(guò)DDR3內(nèi)存反而可能熱了。
目前DDR3內(nèi)存主要用于一些低端、嵌入式領(lǐng)域，比如Wi-Fi路由等，它們不需要多高端、多大容量的內(nèi)存，相比DDR4便宜不少，可以降低成本。
目前三星、美光、SK海力士等公司已經(jīng)停產(chǎn)或者減少DDR3內(nèi)存產(chǎn)能，現(xiàn)在主要廠商是臺(tái)灣的幾家小廠商在生產(chǎn)，包括華邦電子、晶豪科技、鈺創(chuàng)等。
由于需求增加以及供應(yīng)減少的因素，DDR3內(nèi)存價(jià)格最近已經(jīng)開(kāi)始上漲了，而且供應(yīng)鏈傳來(lái)的消息越來(lái)越不樂(lè)觀，2021年原本預(yù)計(jì)是漲價(jià)30%左右，但是最新說(shuō)法是將漲價(jià)40-50%，遠(yuǎn)高于預(yù)期。
責(zé)編AJX
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
DDR3
+關(guān)注
關(guān)注
2文章
290瀏覽量
44285 -
intel
+關(guān)注
關(guān)注
19文章
3511瀏覽量
191680 -
內(nèi)存
+關(guān)注
關(guān)注
9文章
3238瀏覽量
76529
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
解析SN74SSQEA32882：DDR3/DDR3L注冊(cè)時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器的卓越之選
解析SN74SSQEA32882：DDR3/DDR3L注冊(cè)時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器的卓越之選 在DDR3和DDR3L內(nèi)存模塊設(shè)計(jì)領(lǐng)域，SN74SSQEA3
面對(duì) DDR3 缺貨漲價(jià)，RK3308 智能音箱如何穩(wěn)量保供？PSRAM 替代方案全解析
RK3308 智能音箱采用 PSRAM 替代 DDR3，解決缺貨問(wèn)題，降低成本穩(wěn)定量產(chǎn)
IDT 4MX0121V：DDR3/DDR4 NVDIMM的理想開(kāi)關(guān)/多路復(fù)用器
IDT 4MX0121V：DDR3/DDR4 NVDIMM的理想開(kāi)關(guān)/多路復(fù)用器 在電子工程領(lǐng)域，DDR3和DDR4 NVDIMM（非易失性雙列直插式
高性價(jià)比智能音箱方案 RK3308 搭配 PSRAM 替代 DDR3
受全球芯片供應(yīng)鏈影響，DDR3內(nèi)存持續(xù)缺貨、價(jià)格一路上漲，已經(jīng)嚴(yán)重影響智能音箱的正常量產(chǎn)。瑞芯微RK3308憑借四核A35、內(nèi)置硬件VAD、支持8麥陣列等特性，是目前智能音箱和語(yǔ)音中控最常用的主控
MAX17000：DDR2和DDR3內(nèi)存電源管理解決方案的卓越之選
MAX17000：DDR2和DDR3內(nèi)存電源管理解決方案的卓越之選 一、引言 在當(dāng)今的電子設(shè)備中，內(nèi)存電源管理至關(guān)重要。對(duì)于筆記本電腦等設(shè)備中的DD
MAX17000A：DDR2和DDR3內(nèi)存電源管理的理想之選
MAX17000A：DDR2和DDR3內(nèi)存電源管理的理想之選 產(chǎn)品概述 在筆記本電腦DDR、DDR2和D
探索SN74SSQEB32882：DDR3內(nèi)存的高效時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)解決方案
探索SN74SSQEB32882：DDR3內(nèi)存的高效時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)解決方案 在DDR3內(nèi)存設(shè)計(jì)領(lǐng)域，時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)芯片的性能對(duì)于系統(tǒng)的穩(wěn)定性和效率起著關(guān)鍵作用。今天，我們就來(lái)深入了解德州儀器（TI
大摩：DDR4內(nèi)存一季度漲幅或達(dá)50%
制程擠壓、AI服務(wù)器需求爆發(fā)等多重因素驅(qū)動(dòng)，2025年二季度至2026年將開(kāi)啟存儲(chǔ)芯片“超級(jí)周期”，其中DDR4內(nèi)存2026年一季度價(jià)格漲幅或達(dá)50
Texas Instruments TS3DDR3812：DDR3應(yīng)用的理想12通道開(kāi)關(guān)解決方案
Texas Instruments TS3DDR3812：DDR3應(yīng)用的理想12通道開(kāi)關(guān)解決方案 在DDR3應(yīng)用的領(lǐng)域中，一款性能出色的開(kāi)關(guān)能夠顯著提升系統(tǒng)的效率和穩(wěn)定性。Texas
DDR3 SDRAM參考設(shè)計(jì)手冊(cè)
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《DDR3 SDRAM參考設(shè)計(jì)手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
發(fā)表于 11-05 17:04
?10次下載
【工程師必看】DDR缺貨漲價(jià)？5步教你驗(yàn)證新內(nèi)存顆粒“抗不抗造”！
前言：2025年，存儲(chǔ)市場(chǎng)持續(xù)“高燒”——-國(guó)際大廠停產(chǎn)DDR3/4，減產(chǎn)LPDDR4/4X，漲價(jià)50%只是起步-國(guó)產(chǎn)料號(hào)月更、周更，同一料號(hào)不同Die，顆粒參數(shù)“開(kāi)盲盒”-更大的坑是：對(duì)于嵌入式
AD設(shè)計(jì)DDR3時(shí)等長(zhǎng)設(shè)計(jì)技巧
本文緊接著前一個(gè)文檔《AD設(shè)計(jì)DDR3時(shí)等長(zhǎng)設(shè)計(jì)技巧-數(shù)據(jù)線等長(zhǎng) 》。本文著重講解DDR地址線、控制信號(hào)線等長(zhǎng)設(shè)計(jì)，因?yàn)榈刂肪€、控制信號(hào)線有分支，SOC有可能帶有2片DDR或者更多，我們叫做T型分支
發(fā)表于 07-29 16:14
?3次下載
AD設(shè)計(jì)DDR3時(shí)等長(zhǎng)設(shè)計(jì)技巧
的講解數(shù)據(jù)線等長(zhǎng)設(shè)計(jì)。? ? ? 在另一個(gè)文件《AD設(shè)計(jì)DDR3時(shí)等長(zhǎng)設(shè)計(jì)技巧-地址線T型等長(zhǎng)》中著重講解使用AD設(shè)計(jì)DDR地址線走線T型走線等長(zhǎng)處理的方法和技巧。
發(fā)表于 07-28 16:33
?5次下載
DDR內(nèi)存市場(chǎng)現(xiàn)狀和未來(lái)發(fā)展
DDR內(nèi)存占據(jù)主導(dǎo)地位。全球DDR內(nèi)存市場(chǎng)正經(jīng)歷一場(chǎng)前所未有的價(jià)格風(fēng)暴。由于原廠加速退出DDR3
看點(diǎn)：三星DDR4內(nèi)存漲價(jià)20% 華為與優(yōu)必選全面合作具身智能
給大家?guī)?lái)一些業(yè)界資訊： 三星DDR4內(nèi)存漲價(jià)20%? 存儲(chǔ)器價(jià)格跌勢(shì)結(jié)束，在2025年一季度和第二季度，價(jià)格開(kāi)始企穩(wěn)反彈。 據(jù)TrendF
評(píng)論