日前，臺積電計劃通過在日本建立一家研究機構(gòu)來開發(fā)3D SoIC封裝材料，從而與多家公司建立協(xié)同效應(yīng)。臺積電強調(diào)3D SoIC將成為2022年起的主要增長引擎之一。

臺積電日本研究中心（投資額為186億日元成立）將專注于3D SoIC材料的開發(fā)。詳細(xì)地說，該合資企業(yè)旨在通過建立日本先進(jìn)材料技術(shù)研究所來與眾多日本材料公司建立協(xié)同效應(yīng)。臺積電將3D SoIC作為2022年起的主要增長引擎之一，將為3D SoIC技術(shù)建造兩個后端工藝晶圓廠，其中一個將于2H21竣工。

臺積電的3D SoIC基于“混合鍵合”后端工藝。通過混合鍵合，可以實現(xiàn)10μm或更小的鍵合間距（約為上一代技術(shù)的四分之一）。這樣的間距尺寸可使半導(dǎo)體之間的能源效率提高20倍，而半導(dǎo)體之間的通信速度則要快10倍（與較早的技術(shù)相比）。

混合鍵合通過在晶片上蝕刻通孔圖案并沉積銅來形成電極。兩個管芯通過測量的晶圓上裸露的銅電極粘結(jié)在一起以形成3D封裝。

除了臺積電，英特爾和三星電子也在開發(fā)相關(guān)技術(shù)。預(yù)計3D后端流程投資將在未來加速。韓國國內(nèi)與此相關(guān)的設(shè)備制造商包括Hanmi Semiconductor，Park Systems和EO Technics。

同時，ASM Pacific Technology與EV Group（EVG）簽署了一項共同開發(fā)裸片晶圓混合鍵合技術(shù)的合同。具體來看，ASM正在開發(fā)用于芯片鍵合的技術(shù)，而EVG正在開發(fā)用于芯片到晶圓鍵合的技術(shù)。由于混合鍵合技術(shù)的性質(zhì)，在諸如前端流程，后端流程，設(shè)備制造和包裝之類的不同領(lǐng)域中運營的公司之間的協(xié)作變得越來越重要。
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