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日本也不甘沉寂半導(dǎo)體市場(chǎng),打造2nm工藝再次回歸半導(dǎo)體市場(chǎng)

電子工程師 ? 來(lái)源:moneyDJ ? 作者:moneyDJ ? 2021-03-29 11:07 ? 次閱讀
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日本政府傳將提供資金協(xié)助日本企業(yè)研發(fā)2納米(nm)以后的次世代半導(dǎo)體的制造技術(shù),且將和中國(guó)臺(tái)灣臺(tái)積電(2330)等半導(dǎo)體廠商從事廣范圍意見(jiàn)交換來(lái)進(jìn)行研發(fā)。

日經(jīng)新聞報(bào)導(dǎo),Canon等3家日本企業(yè)將和產(chǎn)業(yè)技術(shù)總合研究所(以下簡(jiǎn)稱(chēng)產(chǎn)總研)合作、攜手研發(fā)次世代半導(dǎo)體,而日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省將提供約420億日?qǐng)A的資金援助,且將和臺(tái)積電等海外廠商建構(gòu)合作體制,期望借此重振日本處于落后的最先進(jìn)半導(dǎo)體的研發(fā)。

據(jù)報(bào)導(dǎo),除Canon外,將和產(chǎn)總研合作的企業(yè)還有東京威力科創(chuàng)( Tokyo Electron )和SCREEN Semiconductor Solutions,該獲得經(jīng)產(chǎn)省資金援助的研發(fā)團(tuán)隊(duì)目標(biāo)在2020年代中期確立2nm以后的次世代半導(dǎo)體的制造技術(shù),將設(shè)立測(cè)試產(chǎn)線,研發(fā)細(xì)微電路的加工、洗凈等制造技術(shù),且將和臺(tái)積電、英特爾Intel)等海外半導(dǎo)體廠商從事廣范圍的意見(jiàn)交換來(lái)進(jìn)行研發(fā)。

臺(tái)積電于2月9日宣布,將投資約186億日?qǐng)A在日本茨城縣筑波市設(shè)立材料研發(fā)中心、擴(kuò)展3 DIC材料的研究。

臺(tái)積電赴日研發(fā)3D封裝芯片

臺(tái)積電將赴日設(shè)立材料研發(fā)中心,專(zhuān)家分析,三維芯片重要性與日俱增,尤其與散熱密切相關(guān)的材料至為關(guān)鍵,而材料是日本產(chǎn)學(xué)界強(qiáng)項(xiàng),臺(tái)積電先進(jìn)制程結(jié)合日本材料實(shí)力,將有助臺(tái)積電拉大與對(duì)手三星的技術(shù)差距。

臺(tái)積電赴日本投資正式拍板定案,董事會(huì)早前通過(guò)以約1.86億美元金額在日本茨城縣筑波市設(shè)立材料研發(fā)中心,加強(qiáng)和日本生態(tài)系伙伴在三維芯片(3DIC)材料方面開(kāi)發(fā)。

美中摩擦與疫情蔓延,更加確立半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在地緣政治上的戰(zhàn)略性地位,市場(chǎng)已多次傳出日本頻頻揮手,希望臺(tái)積電赴日投資合作發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。

事實(shí)上,臺(tái)積電赴日投資材料研發(fā)中心,也有不得不然的必要。工研院產(chǎn)科國(guó)際所研究總監(jiān)楊瑞臨分析,隨著半導(dǎo)體制程微縮技術(shù)難度越來(lái)越高,即將遭遇瓶頸,加上效能與成本的考量,三維芯片(3DIC)重要性與日俱增,其中與散熱密切相關(guān)的材料非常關(guān)鍵。

3DIC是指將多顆芯片進(jìn)行三維空間垂直整合,以因應(yīng)半導(dǎo)體制程受到電子及材料的物理極限。

臺(tái)積電在先進(jìn)封裝領(lǐng)域已布局多年,自2016年推出InFO封裝技術(shù)后,至2019年已發(fā)展至第5代整合型扇出層疊封裝技術(shù)(InFO-PoP)及第2代整合型扇出暨基板封裝技術(shù)(InFO_oS),并開(kāi)發(fā)第5代CoWoS。

臺(tái)積電去年還進(jìn)一步整合InFO與CoWoS等3DIC平臺(tái)為3D Fabric,并看好相關(guān)的先進(jìn)封裝未來(lái)業(yè)績(jī)成長(zhǎng)性將高于公司的平均水準(zhǔn),與高效能運(yùn)算平臺(tái)同為臺(tái)積電營(yíng)運(yùn)成長(zhǎng)主要?jiǎng)幽堋?/p>

材料向來(lái)是日本產(chǎn)學(xué)界強(qiáng)項(xiàng),楊瑞臨分析,臺(tái)積電前往日本設(shè)立材料研發(fā)中心,以自身領(lǐng)先的先進(jìn)制程技術(shù)結(jié)合日本材料的堅(jiān)強(qiáng)實(shí)力,將有助進(jìn)一步強(qiáng)化先進(jìn)封裝實(shí)力,拉大與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手三星(Samsung )的差距,在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域扮演領(lǐng)頭羊角色。

編輯:jq

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原文標(biāo)題:日本也不甘寂寞,牽頭打造2nm工藝再次殺回半導(dǎo)體市場(chǎng)

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