日B视频 亚洲,啪啪啪网站一区二区,91色情精品久久,日日噜狠狠色综合久,超碰人妻少妇97在线,999青青视频,亚洲一区二卡,让本一区二区视频,日韩网站推荐

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

揚杰科技王穎:看好第三代半導體發(fā)展,積極拓展電動汽車、太陽能逆變等應用領域

Carol Li ? 來源:電子發(fā)燒友網 ? 作者:李彎彎 ? 2021-04-15 21:16 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

4月14日,2021慕尼黑上海電子展隆重開幕,電子發(fā)燒友網作為展會官方指定的唯一視頻采訪直播平臺,在展館里建立8個主題直播間,以“智慧工廠、汽車電子物聯(lián)網、電力電子、AI、智慧醫(yī)療、5G、中國力量”為主線和核心內容,邀請三十余位行業(yè)領軍人物接受視頻采訪,為大家分享產業(yè)新動向、產品新技術、創(chuàng)新解決方案等。

揚杰科技市場部經理王穎在接受電子發(fā)燒友采訪的時候,詳細談到功率器件的發(fā)展情況,包括SiC和GaN等第三代半導體的研發(fā)進展、IGBT方面的應用成果,以及當前功率芯片供應緊張的問題,及公司未來的產能布局計劃等。

揚杰科技市場部經理王穎


這兩年功率器件市場的發(fā)展很快,SiC和GaN等第三代半導體材料在兩年迅速落地。我們看到揚杰科技在三年前就開始投入了大量的資源在SiC等領域,請您給我們介紹一下,目前揚杰科技在第三代半導體領域的研發(fā)投入情況和研發(fā)成果,以及SiC市場的應用推廣效果。


王穎:我們確實非常看好第三代半導體的發(fā)展前景,目前我們在SiC產品這塊設立了一個專業(yè)的研發(fā)團隊進行芯片和封裝兩方面的共同研究開發(fā),去年我們推出了10A/20A 650V/1200VSiCSKY二極管JBS一代產品,今年將推出系列化2A/4A/6A/8A~30A/40A650V/1200V的SiCSKY二極管,同時開發(fā)薄片工藝,進一步優(yōu)化產品的性能,未來我們計劃推出SiCMOSFET產品。目前我們的SiCSKY已經在5G通訊電源、光伏逆變等領域取得了重要客戶的認可,并逐步展開合作。

左:電子發(fā)燒友編輯李彎彎 右:揚杰科技市場部經理王穎

除了SiC等第三代半導,IGBT在節(jié)能減排方面也很重要,比如特高壓輸電、軌道交通、新能源汽車等應用場景都需要用到。請問目前揚杰科技在IGBT方面取得了哪些成果?產品主要應用在哪些市場?跟海外大廠的IGBT產品相比有哪些優(yōu)缺點?

王穎:目前我們已經面向電焊機、變頻器領域推出了10A~400A 1200VIGBT模塊產品,并通過了部分客戶的認證。今年會增加600V/650VTrench工藝的IGBT產品開發(fā),同時把應用擴展到電源、伺服等領域。未來我們會開發(fā)更高電壓1700V/3300V/6500V的IGBT,把應用拓寬到太陽能逆變、電動汽車等領域。

相較國際品牌,我們IGBT的優(yōu)點是:
1、揚杰科技IGBT技術團隊擁有多年的研發(fā)經驗,已經掌握了最新一代的Trench-FSIGBT的器件結構,保持了和國際先進水平的同步。
2、揚杰科技IGBT產品的業(yè)務方式靈活,能夠及時響應客戶需求,支持高端的定制化產品,面向客戶需求在產品結構、電路拓撲以及芯片定制開發(fā)等均可以進行面向客戶實際應用端的設計和優(yōu)化。
3、揚杰科技自有車規(guī)級IGBT模塊封裝產線,關鍵的生產、測試、可靠性設備均是業(yè)內最頂級的設備,產品具有優(yōu)異的性能和可靠性。
4、揚杰科技秉持為客戶提供性價比最高的產品,與國際一線的品牌相比,產品具有較大的價格優(yōu)勢,與國產品牌相比,公司的研發(fā)實力,產品性能有明顯的優(yōu)勢。
5、揚杰科技立足于本地化的供應商資源,產品的供貨周期短,能夠根據(jù)市場的變快快速做出響應,在市場需求到來時,能夠快速的給客戶進行支撐。

我們IGBT的不足是:
1、中國功率半導體市場約占世界市場份額50%,但是中高端的MOSFET、IGBT主流器件市場基本被歐美、日本企業(yè)壟斷。國外品牌對高端市場具有壟斷效應,建立了良好的品牌效應,給后來者的進入增添了進入市場的難度。
2、IGBT行業(yè)存在技術門檻較高、人才匱乏、市場開拓難度大、資金投入較大等困難,國內企業(yè)在產業(yè)化的進程中始終進展緩慢。
3、IGBT模塊是下游產品中的關鍵部件,其性能表現(xiàn)、穩(wěn)定性和可靠性對下游客戶來說至關重要,因此認證周期較長,替換成本高。

因此,對揚杰科技來說,主要的不足就是IGBT模塊產品進入市場時間還不長,我們希望通過我們的努力在較短的時間里贏得客戶的認可、擴大市場份額。

在本次慕尼黑上海電子展上,貴公司重點展示的產品和技術方案有哪些?它們的技術亮點是什么?

王穎:本次我們展會上重點圍繞6大應用領域展示揚杰的新產品:

針對快充和5G通訊的大電流貼片橋堆、大功率TVS,其中大電流貼片橋堆可滿足各個功率檔位需求,大功率TVS則具有出色的箝位能力、高峰值脈沖功率,同時封裝小型化;

針對安防行業(yè)推出了微型貼片TVS和ESD,TVS具備高抗雷擊能力;ESD則有低容值,低殘壓,高抗靜電能力;

針對白電行業(yè)的LOWVF橋堆,則具備大電流、低正向電壓、低正向損耗、高輸出的特性;

針對充電樁用的FRED二極管,技術亮點是,正向壓降VF與反向漏電IR較低,正向浪涌能力強,低功耗,高效率;


針對光伏新能源推出的GF30/35的模塊產品,具備正向壓降低、反向漏電小、長期可靠性、散熱能力強的特點;

針對汽車電子領域推出的拋負載保護DO-218ABTVS,具備1.8倍IPP極限能力(10/1000us),同時滿足ISO16750-2(5a)標準。


同時,我們也推出了圍繞3電應用的SGTMOS產品, 第三代半導體SiC產品。另外,我司在大功率模塊產品方面本次展示了整流、快恢、晶閘管等全系列的封裝,面向不同的應用場景。

去年年底以來,功率芯片的供應一直都比較緊張,缺貨和漲價問題一直困擾業(yè)界。在您看來導致供應緊張和漲價的原因是什么?這種狀況對揚杰科技來說,會有什么影響?

王穎:首先關于半導體產品價格上漲,主要是因為上游的原材料價格上漲比較厲害,比如大宗金屬銅價在持續(xù)攀升,導致銅框架成本較去年上升了20~30%,芯片因為FAB廠的產能緊張成本平均上漲了20%以上,塑封料從去年到現(xiàn)在也在不斷上調價格,漲價幅度也在10~20%。而春節(jié)后這一輪的價格調漲更多的是因為上游晶圓廠的產能緊缺導致的,短期內沒有更多的fab.產能出來,2021年是持續(xù)看漲的行情。我司針對原材料價格上漲的情況,首先是通過產能利用率的提升,產品結構調整,內部的精益生產等手段去緩解部分的成本壓力,對于無法消化的部分產品,我們會與客戶協(xié)調進行適當?shù)膬r格調整。在現(xiàn)階段產能緊缺,原材料持續(xù)上漲的壓力下,行業(yè)內絕大部分公司都會根據(jù)實際情況進行價格調整的,如果不去調整價格,維持利潤確實會比較困難。

而缺貨的話,主要有兩個原因,一是由于疫情的長期影響,居家辦公帶來消費電子產品需求增加,而疫情影響、德州大雪等一系列事件影響,部分國際大廠的海外產能受到限制;另一方面很多客戶擔心原材料短缺風險、價格持續(xù)上漲帶來的成本壓力,將下單前置,備單的情況也很普遍,導致市場出現(xiàn)了供不應求的狀況。

針對缺貨,我們會理性地分析客戶的需求,是長期的策略合作,還是短期的急單,產品需求利潤結構如何等,進行相應的平衡生產,另各產品線PM根據(jù)市場需求調研情況,結合現(xiàn)在的實際訂單快速地進行擴產規(guī)劃決策,以滿足未來市場的長期增長需求。

在制造方面,目前揚杰科技的成熟產品主要集中在幾寸產線,產能情況如何?未來是否有擴產計劃?請您給我們介紹一下?lián)P杰科技未來幾年的產能布局計劃?

王穎:目前揚杰成熟的產品主要集中在4寸、6寸、8寸產線,4寸線的產能全球最大,達100萬片/月,6寸目前產能在5萬片/月,8寸目前我們是自己設計芯片并跟國內的TOP晶圓FAB廠合作流片。這幾年是國產替代的關鍵階段,我們也在積極布局產能規(guī)劃,無論是晶圓還是封裝成品,未來會增加1~2倍的產能。

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 電動汽車
    +關注

    關注

    156

    文章

    12703

    瀏覽量

    237315
  • 功率器件
    +關注

    關注

    43

    文章

    2227

    瀏覽量

    95524
  • 揚杰科技
    +關注

    關注

    1

    文章

    158

    瀏覽量

    12416
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    博世第三代碳化硅芯片:性能躍升20%,重構電動汽車效率新標桿

    2026年4月,博世正式推出第三代碳化硅芯片,以“綜合性能提升20%”為核心突破,通過全球產能布局與技術革新,為電動汽車電驅系統(tǒng)注入高效能量控制新動能,標志著碳化硅半導體電動出行
    的頭像 發(fā)表于 04-28 11:34 ?1366次閱讀

    深圳市薩科微slkor半導體有限公司是宋仕強于2015年在深圳市華強北成立,當時掌握了行業(yè)領先的第三代半導體

    深圳市薩科微slkor半導體有限公司是宋仕強于2015年在深圳市華強北成立,當時掌握了行業(yè)領先的第三代半導體碳化硅材料的肖特基二極管和碳化硅mos管的生產技術,開啟了在半導體行業(yè)高速
    發(fā)表于 01-31 08:46

    龍騰半導體推出全新第三代超結MOSFET技術平臺

    今天,龍騰半導體正式交出答卷 -- 基于自主工藝路線開發(fā)的全新第三代(G3) 超結 MOSFET技術平臺。
    的頭像 發(fā)表于 01-22 14:44 ?1154次閱讀
    龍騰<b class='flag-5'>半導體</b>推出全新<b class='flag-5'>第三代</b>超結MOSFET技術平臺

    行業(yè)快訊:第三代半導體駛入快車道,碳化硅器件成本有望年內接近硅基

    行業(yè)快訊:第三代半導體駛入快車道,碳化硅器件成本有望年內接近硅基
    的頭像 發(fā)表于 01-16 11:41 ?587次閱讀

    高頻交直流探頭在第三代半導體測試中的應用

    高頻交直流探頭基于法拉第電磁感應原理,具備高帶寬、高精度和高分辨率,適用于第三代半導體器件的動態(tài)特性、柵極電流測量及開關損耗計算。
    的頭像 發(fā)表于 01-15 09:16 ?419次閱讀

    芯干線斬獲2025行家極光獎年度第三代半導體市場開拓領航獎

    2025年12月4日,深圳高光時刻!由第三代半導體產業(yè)標桿機構「行家說三代半」主辦的「2025行家極光獎」頒獎晚宴盛大啟幕,數(shù)百家SiC&GaN領域精英企業(yè)齊聚一堂,共襄產業(yè)盛事。
    的頭像 發(fā)表于 12-13 10:56 ?1164次閱讀
    芯干線斬獲2025行家極光獎年度<b class='flag-5'>第三代</b><b class='flag-5'>半導體</b>市場開拓領航獎

    CINNO出席第三代半導體產業(yè)合作大會

    10月25日,第三代半導體產業(yè)合作大會在鹽城高新區(qū)召開。省工業(yè)和信息化廳二級巡視員余雷、副市長祁從峰出席會議并致辭。鹽都區(qū)委書記馬正華出席,鹽都區(qū)委副書記、區(qū)長臧沖主持會議。
    的頭像 發(fā)表于 10-27 18:05 ?1591次閱讀

    材料與應用:第三代半導體引領產業(yè)升級

    以氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)為代表的第三代半導體材料,正加速替代傳統(tǒng)硅基材料,在新能源汽車、工業(yè)控制領域實現(xiàn)規(guī)?;瘧谩aN 憑
    的頭像 發(fā)表于 10-13 18:29 ?1066次閱讀

    基本半導體B3M平臺深度解析:第三代SiC碳化硅MOSFET技術與應用

    基本半導體B3M平臺深度解析:第三代SiC碳化硅MOSFET技術與應用 第一章:B3M技術平臺架構前沿 本章旨在奠定對基本半導體(BASIC Semiconductor)B3M系列的技術認知
    的頭像 發(fā)表于 10-08 13:12 ?1092次閱讀
    基本<b class='flag-5'>半導體</b>B3M平臺深度解析:<b class='flag-5'>第三代</b>SiC碳化硅MOSFET技術與應用

    科技亮相2025南京世界半導體博覽會

    此前,6.20~22日,為期天的2025南京世界半導體博覽會圓滿落幕,本次大會集聚優(yōu)勢資源,聚焦人工智能技術、第三代半導體汽車
    的頭像 發(fā)表于 06-24 17:59 ?1559次閱讀

    電鏡技術在第三代半導體中的關鍵應用

    第三代半導體材料,以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表,因其在高頻、高效率、耐高溫和耐高壓性能上的卓越表現(xiàn),正在成為半導體領域的重要
    的頭像 發(fā)表于 06-19 14:21 ?934次閱讀
    電鏡技術在<b class='flag-5'>第三代</b><b class='flag-5'>半導體</b>中的關鍵應用

    SiC碳化硅第三代半導體材料 | 耐高溫絕緣材料應用方案

    最成熟的第三代半導體材料,可謂是近年來最火熱的半導體材料。尤其是在“雙碳”戰(zhàn)略背景下,碳化硅被深度綁定新能源汽車、光伏、儲
    的頭像 發(fā)表于 06-15 07:30 ?1757次閱讀
    SiC碳化硅<b class='flag-5'>第三代</b><b class='flag-5'>半導體</b>材料 |  耐高溫絕緣材料應用方案

    科技出席2025功率半導體器件與集成電路會議

    ,與來自高校、科研機構及產業(yè)鏈企業(yè)的多位專家,圍繞“第三代半導體未來發(fā)展的趨勢及當下面臨的問題”議題展開深入交流。施俊先生也為大家?guī)砹恕禨iC功率器件的技術
    的頭像 發(fā)表于 05-26 18:07 ?1721次閱讀

    第三代半導體的優(yōu)勢和應用領域

    )和碳化硅(SiC),它們在電力電子、射頻和光電子領域展現(xiàn)出卓越的性能。本文將詳細探討第三代半導體的基本特性、優(yōu)勢、應用領域以及其
    的頭像 發(fā)表于 05-22 15:04 ?2915次閱讀

    半導體第三代超結MOSFET技術解析(1)

    隨著AI技術井噴式快速發(fā)展,進一步推動算力需求,服務器電源效率需達97.5%-98%,通過降低能量損耗,來支撐高功率的GPU。為了抓住市場機遇,瑞半導體先發(fā)制人,推出的第三代超結MO
    的頭像 發(fā)表于 05-22 13:58 ?1105次閱讀
    瑞<b class='flag-5'>能</b><b class='flag-5'>半導體</b><b class='flag-5'>第三代</b>超結MOSFET技術解析(1)
    田东县| 大厂| 杭锦后旗| 通海县| 阿合奇县| 义乌市| 自治县| 无棣县| 梅州市| 武义县| 旬阳县| 从江县| 师宗县| 松原市| 凌云县| 平度市| 凉山| 纳雍县| 新干县| 汽车| 甘谷县| 凌海市| 迁安市| 光山县| 吉木乃县| 麦盖提县| 敦化市| 太湖县| 清水河县| 全州县| 富平县| 吴忠市| 永福县| 拜泉县| 陆良县| 文成县| 大安市| 临泉县| 济源市| 县级市| 延川县|