2026年4月，博世正式推出第三代碳化硅芯片，以“綜合性能提升20%”為核心突破，通過全球產(chǎn)能布局與技術(shù)革新，為電動(dòng)汽車電驅(qū)系統(tǒng)注入高效能量控制新動(dòng)能，標(biāo)志著碳化硅半導(dǎo)體在電動(dòng)出行領(lǐng)域的技術(shù)與產(chǎn)業(yè)雙重突破。

技術(shù)革新：功率密度與效率雙突破
第三代碳化硅芯片采用博世獨(dú)創(chuàng)的“博世工藝”（溝槽刻蝕技術(shù)），在碳化硅中構(gòu)建高精度垂直結(jié)構(gòu)，將功率密度大幅提升，成為800V高壓平臺(tái)的核心支撐。芯片尺寸較上一代更精巧，單片晶圓產(chǎn)能提升，推動(dòng)成本效益優(yōu)化；短路耐量能力提升10%，高溫系數(shù)從2.1優(yōu)化至1.8，芯片厚度從180微米降至110微米，支持直接集成電流與溫度傳感器，實(shí)現(xiàn)器件級(jí)系統(tǒng)保護(hù)。該芯片開關(guān)速度與運(yùn)行效率顯著高于傳統(tǒng)硅芯片，可將電驅(qū)系統(tǒng)效率提升，能量損耗降低，助力電動(dòng)汽車?yán)m(xù)航里程增加。

產(chǎn)能布局：全球雙中心+本土化協(xié)同
博世已構(gòu)建“德國(guó)羅伊特林根+美國(guó)羅斯維爾”雙中心制造網(wǎng)絡(luò)：德國(guó)工廠在200毫米晶圓上生產(chǎn)第三代芯片，美國(guó)工廠投資19億歐元，預(yù)計(jì)2026年內(nèi)產(chǎn)出首批測(cè)試樣片，目標(biāo)中期年產(chǎn)能提升至數(shù)億顆級(jí)別。在中國(guó)，上海研發(fā)團(tuán)隊(duì)與蘇州功率模塊生產(chǎn)基地形成“全球芯片供應(yīng)+本土模塊制造+本地研發(fā)驗(yàn)證”組合方案，針對(duì)400V向800V高壓平臺(tái)跨越的中國(guó)市場(chǎng)，實(shí)現(xiàn)樣片到量產(chǎn)周期顯著縮短，賦能本土車企全球化出海。

市場(chǎng)影響：電動(dòng)出行效率革命的關(guān)鍵推手
自2021年第一代產(chǎn)品投產(chǎn)以來，博世已全球交付超6000萬顆碳化硅芯片。第三代產(chǎn)品通過“性能提升20%+尺寸精巧化”雙重優(yōu)勢(shì)，推動(dòng)高性能電子器件普及。博世智能出行集團(tuán)主席馬庫斯·海恩博士強(qiáng)調(diào)：“碳化硅是電動(dòng)出行的核心‘節(jié)拍器’，精準(zhǔn)控制能量流至最高效狀態(tài)?！痹谥袊?guó)新能源汽車市場(chǎng)，該芯片深度契合800V高壓平臺(tái)需求，通過全球供應(yīng)鏈韌性保障，助力本土主流車企規(guī)避供應(yīng)風(fēng)險(xiǎn)，加速電動(dòng)化轉(zhuǎn)型。

未來展望：碳化硅生態(tài)的持續(xù)進(jìn)化
博世同步推進(jìn)銅金屬化碳化硅芯片研發(fā)，預(yù)計(jì)2027-2028年推出，進(jìn)一步優(yōu)化性能。通過開放“博世工藝”IP核授權(quán)，支持芯片廠商定制化開發(fā)，構(gòu)建從芯片到系統(tǒng)的全產(chǎn)業(yè)鏈生態(tài)。隨著全球電動(dòng)汽車市場(chǎng)向高壓化、高效化演進(jìn)，博世第三代碳化硅芯片將成為重構(gòu)電動(dòng)出行效率格局的核心基石，為全球能源轉(zhuǎn)型與碳中和目標(biāo)提供關(guān)鍵技術(shù)支撐。

此次發(fā)布不僅是博世在碳化硅領(lǐng)域的技術(shù)里程碑，更通過“技術(shù)突破+產(chǎn)能布局+生態(tài)構(gòu)建”三維驅(qū)動(dòng)，重新定義電動(dòng)汽車能量控制標(biāo)準(zhǔn)，開啟碳化硅半導(dǎo)體普惠應(yīng)用的新紀(jì)元。