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關于未來即將出現的GaN創(chuàng)新技術與其對基站設計和發(fā)展的影響

Qorvo半導體 ? 來源:電子工程世界 ? 作者:Roger Hall,Qorvo ? 2021-04-24 11:34 ? 次閱讀
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現在GaN很火 ,人們似乎忘記了GaN 依然是一項相對較新的技術,仍處于發(fā)展初期,還有較大的改進潛力和完善空間。本文將介紹多項即將出現的 GaN 創(chuàng)新技術,并預測未來幾年這些創(chuàng)新技術對基站設計和發(fā)展的影響。

功率密度

我們預計在未來三到五年內,GaN 強大的功率密度將得到進一步提升。如今已有方法利用 GaN 實現更高的功率密度,但成本極高,從商業(yè)角度而言還不可行。例如將 GaN 置于金剛石而非碳化硅襯底上,這一方案雖然可以成功,但費用高昂,無法運用于基站。相關人員仍在研究其它高效益但相對低成本的工藝,力爭在未來幾年內提高材料的原始功率密度。

這對 5G 基礎設施市場而言吸引力頗大,他們追求成本更低、效率更高、帶寬更大的基站。其它行業(yè)也對此表現出濃厚的興趣。雷達應用領域尤其受益,因其致力于在給定空間內提供更多功率和更高效率。隨著 GaN 在細分市場的迅猛增長,其規(guī)模效應將不斷擴大,價位也將持續(xù)下降。

線性度

毫無疑問,在基站領域中,GaN 半導體行業(yè)的首要考慮因素是提高線性功率。其研發(fā)工作均聚焦于未來幾年內如何提升線性效率。

與此同時,我們預計在未來三到五年內,基站的調制方案不會出現顯著變化。調制方式可以理解為每赫茲所傳輸數據的簡單計算。無論采用 256 QAM 還是 1024 QAM,系統(tǒng)都將于每赫茲帶寬獲得一定數量的位數據。如果這些數字不會發(fā)生顯著變化,那么從系統(tǒng)中獲得更多位數據的理想方式就是提高線性效率。

但這并非表示不能通過提高基礎設備的功率解決問題。即使未實現線性度改進,PA 的整體功率仍可帶來信號改善。

此外,因其所需系統(tǒng)功率更低、天線陣列更少,此方法還有助于設計人員減少系統(tǒng)復雜性。雖然額外功率或二級解決方案確實有效,但業(yè)內 GaN 供應商的目標在于減小陷阱效應,以盡量簡化系統(tǒng)。

溫度

基站的溫度將隨時間的推移而不斷上升。五年前的標準是將設備溫度指定為 85℃。OEM 已經將其提高至 105℃,并且預計基站設計將提升至適應 125℃ 的高溫。

而大多數 GaAs 器件的最高工作溫度為 150℃,因此只有 25℃ 的溫升范圍。未來,GaN 供應商必須與系統(tǒng)設計人員密切合作,以尋求創(chuàng)新方法使嵌入式元件保持低溫狀態(tài)。

對于包含大規(guī)模 MIMO 陣列的小型室外設備而言,這種壓力將更為嚴峻。目前確實存在創(chuàng)新的解決方案,但性價比卻不高。我們預計未來幾年內,這種情況將有所改變。

整體解決方案

所有 GaN 供應商都在針對 GaN 器件的物理特性進行微調,以提高設備的線性效率、功率密度和可靠性,同時減小陷阱效應、電流崩塌效應和電流漂移等引起的負面影響。一定程度上,以上目標可以在設備層面實現。但為發(fā)揮全部潛力,基站射頻前端(RFFE)系統(tǒng)應與總體架構鏈同步發(fā)展,我們看到在這個領域有許多前沿研究。

隨著行業(yè)從 LDMOS 轉向 GaN 解決方案,同步發(fā)展尤其重要。二者所采用的技術完全不同。并非簡單地換用 GaN PA 就能將效率提升 10 個百分點。因為系統(tǒng)問題和解決方案各不相同,針對 LDMOS 優(yōu)化的基站可能不適用于GaN PA,反之亦然。我們應對 GaN 基站系統(tǒng)進行全面優(yōu)化。

目前,GaN 基站系統(tǒng)已開始投入使用,并且因為性能優(yōu)勢,預計在未來幾年將得到更廣泛的應用。與供應商攜手縮小整體設計差距的嵌入式設計人員將會躋身為行業(yè)領導者。OEM肯定認為自己已經在使用系統(tǒng)級方法,我們并不否認這一事實,但隨著射頻鏈更加智能且集成度越來越高,我們將會獲得進一步的收益。

智慧射頻和人工智能

減小陷阱效應對于所有半導體材料而言都是一大問題,GaN 也不例外。高速開關應用可能會為 GaN 功率放大器創(chuàng)造極具挑戰(zhàn)的陷阱環(huán)境。由于 PA 行為取決于 PA 先前接收的信號,因此解決這些陷阱效應問題可能十分復雜。傳統(tǒng)方法著眼于物理層,一直延伸至基板,從而確定導致問題行為的原因。目前的技術還不能徹底緩解陷阱效應,但相關人員仍在不斷進行研發(fā)。

另一種方法是采用軟件算法預測導致陷阱效應的變化。在深入了解既定條件的前提下,通過智能RF控制器,設備將有可能識別流量模式,并預測下一個活動高峰?;蛘咦R別活動的降幅,并更改控制器層面的內容,從而減少功耗。早在許多年前,此方法已在基站領域得以實現,但人們仍在不斷努力改進這項技術。

基于上述情況,OEM 開始考慮在無線電層面應用人工智能。RFFE 系統(tǒng)能夠隨著時間推移自行優(yōu)化。從理論上說,如果現場無線電輸出發(fā)生故障,那么 RFFE 系統(tǒng)能夠自行識別錯誤,并從中“吸取教訓”。下一次,它便可以防止一系列可能導致故障的事件,甚至有可能修復故障。這樣一來便不需要向運營商報備故障、出動卡車前往故障處,也不需要派工作人員在信號塔中解決一些小問題??梢韵胂?,這樣可減少大量的停機時間,節(jié)省維修費用。

6G

盡管 5G 仍處于推廣的初級階段,但有關 6G 的討論已經開始。早期的預測表明,在遠超 100GHz 的頻段上可實現 6G。眾所周知,這正是 GaN 可以支持的頻段。這種解決方案極有可能不會采用傳統(tǒng)的小基站部署,但無論采用何種形式,我們相信 GaN 在高頻率和大帶寬下的效率將使其成為實現 6G 的關鍵元素。
編輯:lyn

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原文標題:未來幾年會出現哪些GaN 創(chuàng)新技術?

文章出處:【微信號:Qorvo_Inc,微信公眾號:Qorvo半導體】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

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