- 完成了基于110納米的全局快門和SPAD工藝的研發(fā)

- 可滿足多種應用，包括汽車和工業(yè)機器視覺、增強現(xiàn)實（AR）/虛擬現(xiàn)實（VR）可穿戴設備等

據(jù)麥姆斯咨詢報道，近日，DB HiTek公司宣布已研發(fā)出基于110納米的全局快門（Global Shutter）和單光子雪崩二極管（Single-Photon Avalanche Diode，SPAD）工藝，并將擴展其圖像傳感器產品系列。

全局快門使得圖像傳感器能夠同時感應所有像素的圖像信息，即使在拍攝快速移動的物體時，也能準確記錄視頻和圖像而不會失真。此外，全局快門還能助力機器視覺高度精確地識別物體形態(tài)。近來，全局快門廣泛應用于工業(yè)機器視覺，此外還適用于汽車和無人機攝像頭等各種應用。

DB HiTek的全局快門基于110nm背照式（BSI）工藝，并采用了遮光罩（light shield）和導光（light guide）技術，擁有99.99%的全局快門效率（GSE）性能，并且能支持最小至2.8um的多種像素尺寸。

DB HiTek的CMOS圖像傳感器技術路線圖

SPAD是一種光電傳感技術，可以檢測到單光子水平的弱光信號。SPAD能夠識別從傳感器發(fā)射光線到物體反射回光線所需的飛行時間（ToF），從而測量出傳感器與物體之間的距離。憑借長距離和高精度優(yōu)勢，SPAD被積極應用于車載激光雷達（LiDAR）等ToF測距領域，同時也適用于智能手機、AR/VR可穿戴設備、監(jiān)控攝像頭和工業(yè)機器視覺等各種應用。

DB HiTek以110納米前照式（FSI）工藝為基礎，實現(xiàn)了3.8%光子探測概率（@905納米波長）性能，公司還計劃在今年內實現(xiàn)BSI工藝，并完成7%光子探測概率（@905納米波長）的SPAD工藝研發(fā)。

為了協(xié)助無晶圓廠客戶按時進入市場并提高產品競爭力，DB HiTek將在今年9月提供專門為全局快門和SPAD技術研發(fā)的多項目晶圓（Multi Project Wafer，MPW）服務。

關于DB HiTek

DB HiTek前身是Dongbu HiTek（東部高科），是全球領先的專業(yè)晶圓代工廠，公司總部位于韓國，在BCDMOS、CMOS圖像傳感器（CIS）、MEMS、MS/RF和SJ MOSFET工藝方面具有競爭優(yōu)勢。

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