日B视频 亚洲,啪啪啪网站一区二区,91色情精品久久,日日噜狠狠色综合久,超碰人妻少妇97在线,999青青视频,亚洲一区二卡,让本一区二区视频,日韩网站推荐

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

詳解MOS管電源開關(guān)電路如何開啟帶軟開啟功能

GReq_mcu168 ? 來源:芯片之家 ? 作者:LR梁銳 ? 2021-04-28 17:01 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

電源開關(guān)電路,經(jīng)常用在各“功能模塊”電路的電源通斷控制,是常用電路之一。

本文要講解的電源開關(guān)電路,是用MOS管實現(xiàn)的,且?guī)к涢_啟功能,非常經(jīng)典。

詳解MOS管電源開關(guān)電路如何開啟帶軟開啟功能

一、電路說明

電源開關(guān)電路,尤其是MOS管電源開關(guān)電路,經(jīng)常用在各“功能模塊”電路的電源通斷控制,如下框圖所示。

詳解MOS管電源開關(guān)電路如何開啟帶軟開啟功能

▲ 框圖中“1個MOS管符號”代表“1個完整的MOS管電源開關(guān)電路”

在設(shè)計時,只要增加一個電容(C1),一個電阻(R2),就可以實現(xiàn)軟開啟(soft start)功能。

詳解MOS管電源開關(guān)電路如何開啟帶軟開啟功能

▲ 電容C1、電阻R2實現(xiàn)軟開啟(soft start)功能

軟開啟,是指電源緩慢開啟,以限制電源啟動時的浪涌電流

在沒有做軟開啟時,電源電壓的上升會比較陡峭。

詳解MOS管電源開關(guān)電路如何開啟帶軟開啟功能

▲ 沒有做軟開啟時,電源電壓上升沿比較陡峭

加入軟開啟功能后,電源開關(guān)會慢慢打開,電源電壓也就會慢慢上升,上升沿會比較平緩。

詳解MOS管電源開關(guān)電路如何開啟帶軟開啟功能

▲ 加入軟開啟功能,電源電壓上升沿比較平緩

浪涌電流可能會令電源系統(tǒng)突然不堪重負(fù)而掉電,導(dǎo)致系統(tǒng)不穩(wěn)定。嚴(yán)重的可能會損壞電路上的元器件。

▲ 浪涌電流時常導(dǎo)致系統(tǒng)不穩(wěn)定,并可能損壞電路元器件

電源上電過快過急,負(fù)載瞬間加電,會突然索取非常大的電流。比如在電源電壓是5V,負(fù)載是個大容量電容的時候,電源瞬間開啟令電壓瞬間上升達(dá)到5V,電容充電電流會非常大。如果同樣的時間內(nèi)電源電壓只上升到2.5V,那么電流就小得多了。下面從數(shù)學(xué)上分析一下。

電量 = 電容容量 * 電容兩端的電壓,即:

Q = C * U

同時 電量 = 電流 * 時間,即:

Q = I * t

所以電流:

I = (CU) / t

從公式可以看出,當(dāng)電容容量越大,電壓越高,時間越短,電流就會越大,從而形成浪涌電流。

大電容只是形成浪涌電流的原因之一,其他負(fù)載也會引起浪涌電流。

二、原理分析

1、控制電源開關(guān)的輸入信號 Control 為低電平或高阻時,三極管Q2的基極被拉低到地,為低電平,Q2不導(dǎo)通,進(jìn)而MOS管Q1的Vgs = 0,MOS管Q1不導(dǎo)通,+5V_OUT 無輸出。電阻R4是為了在 Control 為高阻時,將三極管Q2的基極固定在低電平,不讓其浮空。

詳解MOS管電源開關(guān)電路如何開啟帶軟開啟功能

2、當(dāng)電源 +5V_IN 剛上電時,要求控制電源開關(guān)的輸入信號 Control 為低電平或高阻,即關(guān)閉三極管Q2,從而關(guān)閉MOS管Q1。因 +5V_IN 還不穩(wěn)定,不能將電源打開向后級電路輸出。此時等效電路圖如下。

詳解MOS管電源開關(guān)電路如何開啟帶軟開啟功能

此時電源 +5V_IN 剛上電,使MOS管G極與S極等電勢,即Vgs = 0,令Q1關(guān)閉。

3、電源 +5V_IN 上電完成后,MOS管G極與S極兩端均為5V,仍然Vgs = 0。

4、此時將 Control 設(shè)為高電平(假設(shè)高電平為3.3V),則:

詳解MOS管電源開關(guān)電路如何開啟帶軟開啟功能

①三極管Q2的基極為0.7V,可算出基極電流Ibe為:

(3.3V - 0.7V) / 基極電阻R3 = 0.26mA

②三級管Q2飽和導(dǎo)通,Vce ≈ 0。電容C1通過電阻R2充電,即C1與G極相連端的電壓由5V緩慢下降到0V,導(dǎo)致Vgs電壓逐漸增大。

③MOS管Q1的Vgs緩慢增大,令其緩慢打開直至完全打開。最終Vgs = -5V。

④利用電容C1的充電時間實現(xiàn)了MOS管Q1的緩慢打開(導(dǎo)通),實現(xiàn)了軟開啟的功能。

MOS管打開時的電流流向如下圖所示:

詳解MOS管電源開關(guān)電路如何開啟帶軟開啟功能

5、電源打開后,+5V_OUT 輸出為5V電壓。此時將 Control 設(shè)為低電平,三極管Q2關(guān)閉,電容C1與G極相連端通過電阻R2放電,電壓逐漸上升到5V,起到軟關(guān)閉的效果。軟關(guān)閉一般不是我們想要的,過慢地關(guān)閉電源,可能出現(xiàn)系統(tǒng)不穩(wěn)定等異常。過程如下圖。

詳解MOS管電源開關(guān)電路如何開啟帶軟開啟功能

過慢地開啟和關(guān)閉電源都可能導(dǎo)致電路系統(tǒng)異常,這個MOS管電源開關(guān)電路及其參數(shù)已經(jīng)過大批量使用驗證,一般情況下可以直接照搬使用。

三、電路參數(shù)設(shè)定說明

調(diào)整C1、R2的值,可以修改軟啟動的時間。值增大,則時間變長。反之亦然。

如果不想使用軟開啟功能,直接不上件電容C1即可。

使用原理圖中所標(biāo)型號的MOS管(WPM2341A-3/TR),通過的電流最好不要超過1.75A,留至少30%的余量,并且要注意散熱。

因為下圖中該MOS管的數(shù)據(jù)手冊說它超過2.5A會損壞。

詳解MOS管電源開關(guān)電路如何開啟帶軟開啟功能

編輯:lyn

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 電路
    +關(guān)注

    關(guān)注

    173

    文章

    6088

    瀏覽量

    178922
  • MOS管
    +關(guān)注

    關(guān)注

    111

    文章

    2814

    瀏覽量

    77941
  • 電源開關(guān)
    +關(guān)注

    關(guān)注

    12

    文章

    1234

    瀏覽量

    48888

原文標(biāo)題:帶軟開啟功能的MOS管電源開關(guān)電路

文章出處:【微信號:mcu168,微信公眾號:硬件攻城獅】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點推薦

    MOSFET開關(guān)電路基本知識總結(jié)

    總結(jié)以上知識,在選MOSFET開關(guān)時,首先選MOS的VDS電壓,和其VGS開啟電壓,再就是ID電流值是否滿足系統(tǒng)需要,然后再考慮封裝了,功耗了,價格了之類次要一些的因素了,以上是用P
    的頭像 發(fā)表于 04-20 11:26 ?375次閱讀
    MOSFET<b class='flag-5'>管</b><b class='flag-5'>開關(guān)電路</b>基本知識總結(jié)

    ATX電源電路分析詳解開關(guān)電源的原理

    ATX電源電路分析詳解開關(guān)電源的原理,WORD版,圖文并茂,詳細(xì)說明各個元件在電路中的作用。適合初學(xué)者
    發(fā)表于 03-29 16:47 ?3次下載

    詳解MOS的關(guān)鍵參數(shù)和工作損耗

    MOS屬于電壓驅(qū)動型器件,廣泛應(yīng)用于現(xiàn)代電子電路中,常作為電子開關(guān)、放大器等功能使用。
    的頭像 發(fā)表于 01-30 14:14 ?8938次閱讀
    <b class='flag-5'>詳解</b><b class='flag-5'>MOS</b><b class='flag-5'>管</b>的關(guān)鍵參數(shù)和工作損耗

    詳解LLC開關(guān)電源MOS的失效機(jī)制

    我們知道的MOS的失效機(jī)制就是——你不能讓功率回路的電流相位超前電壓。這個超前的,與即將開通的MOS的帶來的電壓方向反相的電流會被反拉回零點。而不是像正常的感性
    的頭像 發(fā)表于 01-24 16:58 ?2949次閱讀
    <b class='flag-5'>詳解</b>LLC<b class='flag-5'>開關(guān)電源</b>中<b class='flag-5'>MOS</b><b class='flag-5'>管</b>的失效機(jī)制

    MOS驅(qū)動電路設(shè)計如何讓MOS快速開啟和關(guān)閉?

    近期使用MOS進(jìn)行電路開發(fā),需要MOS快速的電路開合,應(yīng)該注意哪些事項?
    發(fā)表于 12-05 06:21

    開啟功能MOS開關(guān)電路說明

    電源開關(guān)電路,經(jīng)常用在各“功能模塊”電路電源通斷控制,是常用電路之一。本文要講解的電源開關(guān)電路
    發(fā)表于 12-01 08:23

    一個適合 DIY 的單鍵電子開關(guān)電路 #MOS #電子 #開關(guān)電路 #半導(dǎo)體

    MOS
    微碧半導(dǎo)體VBsemi
    發(fā)布于 :2025年10月24日 17:16:53

    從錯誤電路電源開關(guān):三極MOS怎么選? #MOS #電源 #電路 #三極

    MOS
    微碧半導(dǎo)體VBsemi
    發(fā)布于 :2025年07月25日 16:31:09

    一個經(jīng)典的pwm驅(qū)動mos開關(guān)電路 #MOS #驅(qū)動 #開關(guān) #nmos

    MOS
    微碧半導(dǎo)體VBsemi
    發(fā)布于 :2025年07月18日 16:42:48

    MCU為什么不能直接驅(qū)動大功率MOS

    在設(shè)計驅(qū)動電路時,經(jīng)常會用到MOS開關(guān)電路,而在驅(qū)動一些大功率負(fù)載時,主控芯片并不會直接驅(qū)動大功率MOS
    的頭像 發(fā)表于 06-06 10:27 ?3581次閱讀
    MCU為什么不能直接驅(qū)動大功率<b class='flag-5'>MOS</b><b class='flag-5'>管</b>

    N溝道mos開關(guān)電路問題。

    輸出,查找DTU40N60數(shù)據(jù)手冊得知該器件的導(dǎo)通電壓應(yīng)該為2-4V,所以,在QU1向柵極輸入低電平時,電壓應(yīng)該低于2V三極才會閉合。如何更改電路才能利用其開關(guān)特性來有效控制外設(shè)
    發(fā)表于 05-26 16:16

    電源開關(guān)芯片有哪些平臺 電源開關(guān)詳解

    開關(guān)模式電源又稱交換式電源開關(guān)變換器,是一種高頻化電能轉(zhuǎn)換裝置,是電源供應(yīng)器的一種。其功能是將
    的頭像 發(fā)表于 05-16 17:13 ?2783次閱讀
    <b class='flag-5'>電源開關(guān)</b>芯片有哪些平臺 <b class='flag-5'>電源開關(guān)</b><b class='flag-5'>詳解</b>
    英吉沙县| 衡东县| 吴旗县| 黄山市| 阳新县| 怀远县| 嘉峪关市| 乾安县| 西昌市| 滁州市| 宜黄县| 孟津县| 吐鲁番市| 阿荣旗| 德格县| 乳山市| 曲靖市| 临漳县| 白水县| 扎兰屯市| 德江县| 台中县| 绍兴县| 额敏县| 茂名市| 岳阳县| 大竹县| 醴陵市| 东台市| 沾益县| 永丰县| 武宣县| 拉孜县| 昌吉市| 峨山| 隆昌县| 阿坝县| 东兰县| 九江县| 宁晋县| 镇巴县|